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有機(jī)硅作為一種穩(wěn)定可靠的高分子材料在IGBT上的主要應(yīng)用是灌封(即硅凝膠,Silicone gel)和導(dǎo)熱(即涂覆模塊與散熱板之間的高導(dǎo)熱硅脂)。有機(jī)硅凝膠是一種存在液體和固體兩種相態(tài)的“固液共存”的特殊硅橡膠,其質(zhì)地很柔軟,不會對IGBT芯片產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力,即使所處溫度介于-50℃~200℃,其柔軟性能也基本不變,能很好地保護(hù)IGBT芯片免受濕氣侵蝕,達(dá)到絕緣、防潮、防塵、減震和防腐蝕的作用。

有機(jī)硅凝膠種類繁多,就反應(yīng)類型來看可以分為加成型和縮合型。縮合型有機(jī)硅凝膠具有較好的粘接性和自修復(fù)性,但反應(yīng)過程中會有小分子物質(zhì)產(chǎn)生,收縮率較大且容易形成氣泡,因此并不適合灌封要求較高的功率半導(dǎo)體封裝。加成型有機(jī)硅凝膠主要是由乙烯基硅油(或丙烯基)、含氫硅油以及貴金屬催化劑等組成,反應(yīng)過程為乙烯基與活性氫的加成反應(yīng),無副產(chǎn)物產(chǎn)生,硫化物純度高且無收縮,因此在IGBT封裝中主要采用的是加成型有機(jī)硅凝膠。

有機(jī)硅凝膠在功率模塊封裝中的研究與應(yīng)用
有機(jī)硅凝膠在功率模塊封裝中的研究與應(yīng)用

圖1 有機(jī)硅凝膠及其在功率模塊灌封中的應(yīng)用

Fig.1 Silicone gel and its application in powermodule package

普通線性聚二甲基硅氧烷(PDMS)凝膠在超過175℃的高溫下存放時間超過1000h后會變脆,機(jī)械性能和介電性能下降很嚴(yán)重,甚至?xí)_裂。而隨著IGBT模塊封裝形式的不斷發(fā)展,對于封裝所采用的有機(jī)硅凝膠也提出更高的需求。IGBT模塊封裝用有機(jī)硅凝膠的高純度、耐高溫性和高介電性是需要重點(diǎn)關(guān)注的發(fā)展方向。有機(jī)硅凝膠純度不足的原因是由于原材料純度和制備工藝所導(dǎo)致。離子含量過高的有機(jī)硅凝膠在長期的高溫和高電場強(qiáng)度環(huán)境中會發(fā)生黃變、硬化、金屬離子遷移等問題,直接影響IGBT的可靠性,因此對于有機(jī)硅凝膠純度的問題需要重點(diǎn)關(guān)注。瓦克開發(fā)出的超純度有機(jī)硅凝膠其總殘余離子含量<2ppm,特別是SEMICOSIL 915HT和SEMICOSIL 920LT兩款有機(jī)硅凝膠具有純度高,耐黃變性好的優(yōu)點(diǎn)。

有機(jī)硅凝膠在功率模塊封裝中的研究與應(yīng)用

圖2 硅凝膠熱老化前(上圖);200℃下老化1000h后(下圖)

Fig.2. Above: Initial state; Below: after 1000hours of storage at 200℃

新一代IGBT模塊,如碳化硅、氮化鎵等功率模塊的發(fā)展也對有機(jī)硅凝膠的耐高溫性和介電性是新的考驗(yàn)。信越關(guān)注了有機(jī)硅凝膠在高溫下的“凝膠裂縫”現(xiàn)象和長期在200℃下使用的有機(jī)硅凝膠的開發(fā)和應(yīng)用,并對有機(jī)硅凝膠在高溫儲存下的失效模式以及如何克服這些失效模式進(jìn)行探討。瓦克推出的SEMICOSIL 915HT有機(jī)硅凝膠可以使用紫外線活化的催化劑進(jìn)行固化,即使在室溫下也能縮短處理時間,其混合比例10:1,硫化后介電常數(shù)2.8,介電強(qiáng)度達(dá)到30.0kV/mm,在210℃的高溫下測試2000h后外觀和機(jī)械性能基本不變,具有很好的介電性能和耐高溫性能。道康寧也為新一代功率模塊在200℃連續(xù)工作而開發(fā)出耐高溫有機(jī)硅凝膠,該硅凝膠在215℃的高溫下耐受時間達(dá)2000h。趙慧宇等以自制乙烯基硅油和含氫硅油為原材料,開發(fā)出用于IGBT模塊灌封的雙組分加成型硅凝膠,其介電強(qiáng)度達(dá)到22.6kV/mm,相對介電常數(shù)為2.65,具有較高的電絕緣性。丁聘等以聚甲基乙烯基硅氧烷為基礎(chǔ)硅油、端含氫硅油為擴(kuò)鏈劑、側(cè)鏈含氫硅油為交聯(lián)劑,輔以鉑催化劑和炔醇類抑制劑,制備出的雙組分有機(jī)硅凝膠經(jīng)過對6500V的IGBT模塊進(jìn)行灌封評估后發(fā)現(xiàn)模塊局部放電量小于10pC,順利通過模塊振動、高溫存儲、低溫存儲等多項(xiàng)應(yīng)用性試驗(yàn)。筆者之前設(shè)計了一種MDT樹脂應(yīng)用于耐高溫的有機(jī)硅凝膠,使其在220℃下熱老化1000h不發(fā)生黃變,具有很好的耐高溫性能。

表1 幾種功率模塊封裝用有機(jī)硅凝膠性能

Tab.1 the performances of Silicone gelfor power module package

種類

膠1

膠2

膠3

組分

A

B

A

B

A

B

外觀

透明

透明

透明

透明

透明

透明

比重(23℃)

0.97

0.97

0.97

0.97

0.97

0.97

黏度(mPa.s, 23℃)

1000

1000

450

450

1000

1000

混合比(質(zhì)量/體積)

0.042361111

0.042361111

0.042361111

混合黏度(mPa.s, 23℃)

1000

450

1000

適用期(h)

2.5(25℃)

1.7(23℃)

0.75(25℃)

凝膠時間(min)

30.0(150℃)

7.0(135℃)

30.0(150℃)

錐入度(0.1mm, 23℃)

85

85

85

介電常數(shù)(50Hz)

2.7

2.7

2.7

介電強(qiáng)度(kV/mm)

17

15

19.2

體積電阻率(Ω.cm)

1.0×1015

3.0×1015

6.0×1015

通過混合高介電強(qiáng)度的填料也可以改善有機(jī)硅凝膠的介電性能。Wang等采用在有機(jī)硅凝膠中添加BaTiO3粉體的方式以提高硅凝膠的相對介電常數(shù),通過檢測發(fā)現(xiàn)硅凝膠介電常數(shù)達(dá)到6.4,且會隨著電場改變而改變,實(shí)現(xiàn)了硅凝膠的介電常數(shù)可調(diào)性,并利用復(fù)合硅凝膠在3300V的商業(yè)化IGBT模塊進(jìn)行測試。王昭等進(jìn)一步利用有限元分析方法分析了BaTiO3復(fù)合硅凝膠對IGBT模塊內(nèi)部電場分布的影響,驗(yàn)證了提高硅凝膠介電常數(shù)對IGBT模塊內(nèi)電場強(qiáng)度的抑制作用。

筆者介紹:

曾亮(1984.09-),男,湖南株洲人,漢族,高級工程師。長期從事功率半導(dǎo)體封裝用高分子材料研究與開發(fā)。

曾就職于中國中車、中國化工等公司,目前就職于湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司。

原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)):有機(jī)硅凝膠在功率模塊封裝中的研究與應(yīng)用

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