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TOPCon與PERC成本及溢價對比

TOPCon與PERC電池成本對比

(以LPCVD路線為例)

TOPCon與PERC成本及溢價對比
目前TOPCon電池成本較PERC高出約0.01元/W,考慮硅片薄片化進度、電池 導電銀漿成本降低及良率提升,以及高功率組件攤薄非硅成本降本空間,一體化下 成本有望率先與PERC打平。
為量化TOPCon降本進程,我們按照PERC/TOPCon 電池平均量產轉換效率分別為23.2%/25%進行成本測算。
TOPCon與PERC成本及溢價對比
TOPCon與PERC成本及溢價對比
TOPCon與PERC成本及溢價對比

電池環節

TOPCon與PERC成本及溢價對比
(1)硅片成本:N型硅片是通過摻雜磷元素制成,由于磷原子與硅相溶性較 差,因此對硅料、輔材的純度及生產過程控制要求更高,成本更高,較P型硅片存在一定溢價。
但隨著N型硅片規模化生產及技術進步,疊加薄片化進程加速,N型硅片 溢價有望逐步縮小。
根據TCL中環23年5月11日硅片報價,182尺寸N型硅片較P型存 在1.8%溢價,較2022年6月8.1%的溢價已出現大幅下降。
根據CPIA,2022年 TOPCon/PERC硅片的平均厚度分別為140μm、155μm,預計2025年有望分別減薄 至120μm、140μm。根據我們測算,截至23年5月11日P型182電池硅片全成本0.48 元/W,TOPCon硅片全成本0.44元/W;若轉換效率達25%、良率提高至99%,TOPCon 電池單瓦硅成本有望與PERC持平。
(2)非硅成本:根據我們測算,目前TOPCon非硅成本為0.21元/W,相較PERC 高出0.05元/W,主要銀漿增加約0.025元/W,設備增加帶來折舊增加約0.005元/W, 能耗增加約0.006元/W,良率及耗材增加0.014元/W,具體降本路徑如下:
①銀漿:由于TOPCon電池的發射極需增加銀漿用量才可達到適合規模化應用 的電學性能,同時TOPCon電池正反面均需要使用銀漿,因此單片TOPCon電池的銀漿耗量大幅提升。
根據CPIA統計,2022年P型電池正銀耗量約65mg/片,背銀約 26mg/片;TOPCon電池雙面銀漿(95%銀,正面主柵使用銀漿,細柵使用銀鋁漿) 平均消耗量約 115mg/ 片,且由于TOPCon銀漿價格目前仍高于PERC銀漿,測算 得到TOPCon電池銀漿成本高出約0.025元/W。
未來隨著TOPCon高溫銀漿規模生產,采購溢價將逐步縮小;SMBB、無主柵及激光轉印等技術升級推動單片電池銀漿耗 量下降,單片電池銀漿成本有望下降。此外,電池轉換效率的提高將攤薄銀漿單瓦 成本。
②折舊:由于TOPCon增加硼擴、隧穿氧化及多晶硅層沉積設備,當下新建 LPCVD產線設備投資額為0.17元/W,對應折舊成本增加約0.017元/W,未來仍可通 過關鍵零部件國產化等方式進一步降低。
③能耗:由于TOPCon摻雜元素由磷變為硼,需要在高達900-1100攝氏度高溫 擴散或進行二次摻雜,導致能耗成本增加約0.006元/W,可通過激光摻雜進行降低能 耗,同時提升效率。
④良率及耗材:LPCVD路線成熟度較高,但容易產生繞鍍問題,清洗時導致 良率降低,目前平均量產良率約98%,較PERC良率99%仍有差距,良率損失導致 非硅成本增加約0.006元/W,同時,LPCVD容易導致石英管炸裂,每15天需對石英 管進行一次清洗,石英耗材成本增加約0.008元/W。
組件環節:TOPCon組件能夠與多主柵、半片、疊瓦等技術匹配,實現更高輸 出功率,以晶科能源推出的TOPCon組件Tiger Neo為例,其選擇182尺寸硅片,結合多主柵以及半片技術降低內阻損耗,并采用圓絲焊帶、高反光貼附材料等獲得更 好發電增幅,雙面率最高達85%以上,性能、功率、能量密度和可靠性全面增強, 量產輸出功率最高達625W(182-78P),較相同封裝方案下的PERC組件高出約30W, 有效攤薄組件環節非硅成本。
根據我們測算,盡管TOPCon組件出于更高阻水性要 求,傾向使用POE膠膜,在相同封裝版型方案下,當TOPCon組件輸出功率分別高 出PERC組件25W、50W、75W時,其非硅成本較PERC降低約0.01元/W、0.036元 /W、0.048元/W。
?TOPCon與PERC成本及溢價對比
TOPCon與PERC成本及溢價對比

TOPCon 與 PERC 電池溢價對比

(以 LPCVD 路線為例)

TOPCon與PERC成本及溢價對比

采用激光技術摻雜形成SE可提升TOPCon電池效率約0.2-0.3%。

選擇性發射極 (Selective emitter,SE)結構是提高晶硅電池轉換效率的重要方式,該結構特點是 在接受光照的區域淺擴散形成低摻雜區,在金屬電極下形成高摻雜區域,從而使得表面少子復合減少,金屬電極與發射極之間形成良好歐姆接觸,從而獲得更高短路電流、開路電壓和填充因子,從而提高轉換效率,激光摻雜(laser doping,LD)可 在常溫常壓下形成SE結構,改善由高溫導致的硅片表面損失。
TOPCon激光硼摻雜 技術是通過沉積或印刷硼摻雜源,在激光背面開槽過程中同步形成激光重摻雜區, 降低背面接觸復合速率及背面硅鋁接觸電阻,提升太陽電池開路電壓Voc和填充因子 FF,將轉換效率0.5%。
根據帝爾激光《2023年1月2日-2023年1月4日投資者關系活動記錄表》,其通過激光工藝提升TOPCon轉換效率約0.2-0.3%。
TOPCon組件兼備高雙面率、低溫度系數和低衰減等優勢,賦予性能溢價。根 據坎德拉具體項目案例,TOPCon組件與PERC相比,由于高雙面率(85%)、低溫度系數(-0.25%/℃)、高轉換效率(22%以上)、低衰減率(-0.4%/年)等優勢, 全生命周期的發電增益達3%以上,同時能夠使系統BOS成本有所下降。
由于在 LCOE或IRR相同時,組件溢價空間主要取決于發電量的提升及系統成本的下降程度, 坎德拉以P型PERC組件為測算基準,在相同IRR時,測算N型TOPcon組件發電量增 益及系統成本下降所帶來的溢價能力。
發電量提升帶來的溢價空間:在IRR相同條件下,當TOPCon組件相較PERC組 件發電增益分別為2.55%、4%時,其溢價空間分別為0.12元/W、0.175元/W。
TOPcon 組件首年發電小時數與PERC組件增益2.55%,其溢價空間為0.12元/W。當地面反射率增加至40%,發電增益為4%時,溢價空間為0.175元/W。
BOS節約帶來的溢價空間:由于N型組件轉換效率更高,從而在單位面積下的 輸出功率較高,因此在土地面積和組件數量相同的情況下,系統裝機容量更大。但由于組件電性能參數不同、組件串聯數不同,使得支架、電纜成本仍有差異。

組件并聯數的差異影響匯流箱成本,組件數量的差異則會影響土安裝面積和人工安裝成本。根據測算,N型TOPcon在BOS方面節約成本為0.0174元/W。

來源:未來智庫,廣發證券,電力電子研究院

END

TOPCon與PERC成本及溢價對比

原文始發于微信公眾號(艾邦光伏網):TOPCon與PERC成本及溢價對比

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