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IGBR 是具有防潮功能的大功率背接觸式電阻器，可實現超高額定功率，具有適用于混合組件的微型外殼尺寸。

為什么 IGBT 模塊中需要柵極電阻器？

IGBR 電阻器具有高額定功率、單一引線接合組裝的特性，外殼尺寸從 0202 到 0808 不等。典型應用于功率轉換器（第三代 SiC MOSFET）的柵極電阻器、大功率應用和替代能源等領域。IGBR 是節省電源模塊空間的完美部件。
為什么 IGBT 模塊中需要柵極電阻器？

1.?通過限制電流影響開關速度

2.?限制柵極驅動路徑中的噪聲
3. 限制寄生電感和電容
4.?限制對柵極進行充電和放電的電流
5.?限制峰值柵極電流以保護驅動器輸出級
6.?耗散柵極回路中的功率
7.?影響開關損耗并防止柵極振蕩
深圳市禹龍通電子股份有限公司成立于 2000 年，坐標深圳市南山區，擁有獨立自主的厚膜、薄膜生產線。我司 2005 年獲得軍工武器裝備資質，最高可生產宇航標準等級產品；2010?年成為國家高新技術企業，目前主要給 5G 通訊和軍工產品作配套。
目前禹龍通生產的 IGBR 主要應用于 SiC MOSFET 模塊中，作為柵極電阻起到驅動的作用。當前國內 SiC MOSFET模塊基本是都是用國外(美國)威世的電阻，我們可以對其進行國產化替代。
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為什么 IGBT 模塊中需要柵極電阻器？

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原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：為什么 IGBT 模塊中需要柵極電阻器？

作者 li, meiyong

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