美國晶片巨擘英特爾周一（18?日）宣布推出業(yè)界首款用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板，計(jì)劃于2026 年至2030 年量產(chǎn)，憑借單一封裝納入更多的電晶體，預(yù)計(jì)這將實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的算力（HashRate），持續(xù)推進(jìn)摩爾定律極限，這也是英特爾從封裝測試下手，迎戰(zhàn)臺積電的新策略。

英特爾趕在創(chuàng)新日（19 日）活動開跑前，搶先宣布推出業(yè)界首款用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板方案。

英特爾推先進(jìn)封裝玻璃基板持續(xù)推進(jìn)摩爾定律（圖源：英特爾）

英特爾稱在基板材料方面取得重大突破，新型玻璃基板將用于下一代先進(jìn)晶片設(shè)計(jì)，將比現(xiàn)有有機(jī)材料更堅(jiān)固、更高效。

英特爾（INTC-US）指出，玻璃基板可以承受更高的溫度，圖案變形減少 50%，并具有超低平坦度，可改善曝光深焦，并具有極其緊密的層間互連覆蓋所需的尺寸穩(wěn)定性。

英特爾預(yù)計(jì)在 2026 至 2030 年推出完整的玻璃基板解決方案(圖片：英特爾)

英特爾稱，憑借這些功能，玻璃基板上的互連密度可以提高 10 倍，并允許實(shí)現(xiàn)高組裝良率的超大型封裝，該公司預(yù)計(jì)在 2026 至 2030 年推出完整的玻璃基板解決方案。

英特爾提及，玻璃基板重大突破使封裝技術(shù)能夠持續(xù)擴(kuò)展，在單一封裝中容納 1 兆個(gè)電晶體的目標(biāo)，并將摩爾定律延續(xù)到 2030 年之后。

英特爾預(yù)測：「我們將首先在人工智慧（AI）、繪圖處理和資料中心等高性能領(lǐng)域看到使用玻璃基板的晶片。」

英特爾此一突破性成就是英特爾也在為其美國晶片代工廠增強(qiáng)先進(jìn)封裝能力的另一個(gè)跡象，這也是英特爾迎戰(zhàn)臺積電的新策略。

據(jù)報(bào)導(dǎo)，英特爾對手臺積電（TSM-US）的亞利桑那州廠計(jì)劃生產(chǎn) 4 納米和 3 納米晶片，但目前并無在亞利桑那州或美國境內(nèi)打造封裝廠的計(jì)畫，主要卡關(guān)因素是「成本高昂」，因此這些先進(jìn)晶片不會在美國完成封裝。

英特爾先進(jìn)封裝資深經(jīng)理 Mark Gardner 于今年 5 月份指出，英特爾晶片制造工廠和組裝、測試、封裝站點(diǎn)分布在世界各地，相較臺積電目前大部分晶片制造設(shè)施都在臺灣，英特爾優(yōu)勢在于提供安全供應(yīng)鏈、分散地緣風(fēng)險(xiǎn)，也可提供客戶部分 IDM 流程，擁有更大的彈性選擇。

Gardner 稱：「英特爾晶圓制造服務(wù)愿意讓客戶只使用服務(wù)的一部分，也就是說，他們可以委托其他晶圓代工業(yè)者生產(chǎn)晶片，英特爾只做封測。」

文章來源：https://news.cnyes.com/news/id/5327704

原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：迎戰(zhàn)臺積電英特爾推下一代先進(jìn)封裝用玻璃基板