近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。包括之前通過測(cè)試認(rèn)證的650V/20A TO-252-3封裝 SiC SBD產(chǎn)品在內(nèi)，芯塔電子已有兩款核心產(chǎn)品通過此項(xiàng)認(rèn)證。本次認(rèn)證成功通過，為芯塔電子拓展新能源車用市場(chǎng)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過測(cè)試，已進(jìn)入批量導(dǎo)入階段。
芯塔電子1200V/80mΩTO-263-7封裝器件及晶圓
芯塔電子1200V/80mΩ?SiC MOSFET車規(guī)級(jí)認(rèn)證證書
隨著新能源汽車800V高壓平臺(tái)的大規(guī)模上車，SiC器件憑借其自身性能優(yōu)勢(shì)進(jìn)入了黃金賽道。芯塔電子針對(duì)新能源汽車車用場(chǎng)景推出了系列SiC應(yīng)用方案，助力新能源車企實(shí)現(xiàn)超級(jí)快充、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實(shí)現(xiàn)輕量化等。
圖一 基于Si MOSFET的6.6kw OBC拓?fù)?/span>
圖1為基于Si MOSFET器件的6.6KW傳統(tǒng)電路拓?fù)洌耙患?jí)DC/DC為兩個(gè)BOOST PFC交錯(cuò)并聯(lián)，后面一級(jí)DC/DC為L(zhǎng)LC。圖2為基于SiC MOSFET方案的電路拓?fù)洹Ｇ耙患?jí)DC/DC為單個(gè)單相Totem Pole PFC，后一級(jí)DC/DC為L(zhǎng)LC。
圖二 基于SiC MOSFET的6.6kw OBC拓?fù)?/span>
對(duì)應(yīng)前一級(jí)的PFC電路，如果使用Si器件，開關(guān)損耗高、功率器件溫度高，因此單個(gè)單向PFC電路功率有限，需要兩路PFC交錯(cuò)并聯(lián)來擴(kuò)展功率。在后一級(jí)LLC電路中，如果使用低壓Si MOSFET作為同步整流，無法支持高電池電壓（1000V）充電，而使用1200V SiC MOSFET則可以支持高壓電池充電。另外，SiC MOSFET體二極管反向恢復(fù)損耗遠(yuǎn)低于Si MOSFET, 非常適合用于V2G功能的OBC。不僅如此，SiC MOSFET使用還有助于提高OBC效率和功率密度。
來源：芯塔電子公眾號(hào)
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級(jí)認(rèn)證，批量導(dǎo)入新能源汽車