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12月20日,光谷宣布投資50億元建設化合物半導體孵化加速及制造基地,選址湖北武漢九峰山實驗室南面,建設研發辦公樓、中試車間、潔凈廠房、會議中心等孵化加速功能載體,及人才公寓等配套設施,明年開工,后年投用。作為總部園區,力爭在3年內引育企業100家。

目前已有天工芯測檢測中心項目、芯導傳能等6個項目團隊明確入駐意愿,潔凈室廠房需求達1.7萬平方米。

投資50億元,光谷打造化合物半導體企業總部園區

化合物半導體孵化加速及制造基地項目效果圖

總部園區由武漢高科集團投資建設,將借助九峰山實驗室工藝產線和檢測能力等資源,降低開發門檻、縮短開發周期,重點突破設計、設備、材料等產業鏈關鍵環節,完成創新鏈和產業鏈的對接。九峰山實驗室是十大湖北實驗室之一,已建成化合物半導體產業最先進、規模最大的科研及中試平臺。

光谷積極謀劃化合物半導體產業高質量發展,發布了九峰山科技園產業發展規劃,以九峰山實驗室為核心,規劃建設九峰山科技園,構建設備、材料、設計、芯片、器件、模塊、制造、封裝、檢測的全產業鏈體系,推動創新鏈、人才鏈、資金鏈和產業鏈深度融合發展,形成創新活躍、要素齊全、開放協同的產業生態,打造世界領先的化合物半導體產業高地。到2035年,九峰山科技園全面建成,形成完整化合物半導體全產業鏈。

除該項目外,圍繞九峰山科技園及周邊,還布局了化合物半導體學院,配套了未來商業廣場、創新園等設施,可滿足企業和員工工作生活需要。

化合物半導體指除單質半導體(如硅Si、鍺Ge之外的半導體材料,主要分三類。一類主要的化合物半導體是由ⅢA與ⅤA元素組成,即Ⅲ-Ⅴ族化合物,包括:砷化鎵(GaAs),磷化銦(InP),氮化鎵(GaN)等。一類來自于ⅡB族與ⅥA族元素,被稱為Ⅱ-Ⅵ族化合物,包括硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)等。另一類則是Ⅳ-Ⅳ族化合物,碳化硅(SiC),硅鍺合金(SiGe)等。
化合物半導體具體應用可按具體材料分類:
GaAs,InP,GaN:光子集成電路、激光器、LED、光探測器、光伏器件等功率放大器(PA),LNA,射頻開關濾波器,單片微波集成電路等;
GaN,SiC:肖特基勢生二極管(SBD)、MOSFET、IGBT等。
來源:中國光谷、Tom聊芯片智造 公眾號

原文始發于微信公眾號(艾邦半導體網):投資50億元,光谷打造化合物半導體企業總部園區

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