在2024年的開端，安森美挑選了大家普遍比較關(guān)心的幾個問題，就這些問題對汽車領(lǐng)域的未來發(fā)展做出了展望和預(yù)測。

在800V母線電壓的充電設(shè)施和電驅(qū)系統(tǒng)中，SiC功率器件必不可少。SiC比Si器件具有更強的耐壓能力，隨著母線電壓的提升，它的低導(dǎo)通阻抗和高速開關(guān)特性也更能發(fā)揮優(yōu)勢。基于 EliteSiC的方案與Si IGBT方案相比，系統(tǒng)尺寸更小，功率密度更大，整體效率更高。

盡管SiC MOSFET相對于Si IGBT在性能上更加優(yōu)越，但是Si IGBT目前來看仍然具有相當(dāng)?shù)某杀緝?yōu)勢，在800V的系統(tǒng)里也將占據(jù)一席之地。短時間內(nèi)，以高壓雙電驅(qū)應(yīng)用為例，會存在SiC MOSFET和Si IGBT“高低搭配”的情景。

IDM模式的優(yōu)點在于從設(shè)計、制造到封測全過程的垂直整合，能夠更好地控制產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)周期和供應(yīng)鏈，這對于對可靠性要求極高的汽車半導(dǎo)體行業(yè)來說是非常重要的。然而，IDM模式需要巨大的資本投入來建設(shè)和維護晶圓廠，技術(shù)更新和產(chǎn)能擴展的靈活性相對較低。

Fabless模式則專注于芯片設(shè)計，將生產(chǎn)、封裝和測試等環(huán)節(jié)外包給專業(yè)的代工廠，這樣可以降低初始投資和運營成本，同時利用代工廠的先進工藝和技術(shù)快速響應(yīng)市場變化。但是，這種模式下的公司對供應(yīng)鏈的控制力較弱，可能面臨供應(yīng)穩(wěn)定性和質(zhì)量控制的挑戰(zhàn)。

安森美整體的制造戰(zhàn)略是Fab-Right，這可以優(yōu)化資產(chǎn)足跡以提高效率和一流投資資本回報率 (ROIC)，建立更具彈性和韌性的產(chǎn)能體系，減少利潤波動。在SiC方面，安森美的策略是上下游一體化垂直整合。

隨著電動汽車市場的發(fā)展，對車載功率器件的需求持續(xù)增長，這可能會推動更多的產(chǎn)能擴張。

車載應(yīng)用是SiC市場的重要驅(qū)動力，尤其是電動汽車和混合動力汽車的普及，預(yù)計2024年車載SiC市場將繼續(xù)保持強勁的增長態(tài)勢，向 200mm SiC 晶圓的發(fā)展將加快電氣化進程，促進規(guī)模經(jīng)濟，技術(shù)進步和制造效率的提升將有助于降低SiC器件的成本，推動其在車載應(yīng)用中的更廣泛采用。

隨著汽車制造商對更高能效和續(xù)航能力的追求，會有更多搭載800V平臺的車型發(fā)布，對SiC功率器件的需求會進一步增加。為了確保供應(yīng)穩(wěn)定性和應(yīng)對潛在的供應(yīng)鏈風(fēng)險，汽車制造商和SiC供應(yīng)商應(yīng)加強合作，包括簽訂長期供貨協(xié)議和投資擴產(chǎn)項目。

那些能夠提高能源效率、增強安全性能、支持先進通信技術(shù)和提升駕駛體驗的模擬芯片品類將在汽車電動化、智能化的浪潮中得到更多的關(guān)注和發(fā)展機會。電動汽車對高效、可靠的電源管理需求極高，包括主驅(qū)逆變器、車載充電器（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器等。這些系統(tǒng)都需要高性能的電源管理芯片來優(yōu)化能源使用、延長電池壽命并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。電動車的電動機控制需要高效的電機驅(qū)動芯片，以實現(xiàn)精確的速度控制、扭矩管理和能效優(yōu)化。

自動駕駛和先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）依賴于智能感知方案，如CMOS成像、超聲波和深度感知等傳感器融合算法能夠探測到更多關(guān)鍵細節(jié)信息，幫助駕乘人員迅速作出反應(yīng)，安全性大大提升。在汽車信息娛樂系統(tǒng)、車載通信系統(tǒng)以及安全系統(tǒng)中，信號鏈器件如運算放大器、比較器、數(shù)據(jù)鎖存器等對于信號處理和系統(tǒng)性能至關(guān)重要。

為了確保汽車電子系統(tǒng)的安全和可靠性，過壓保護、過流保護以及電氣隔離器件的需求也將增長。精確的溫度和電流檢測對于監(jiān)控系統(tǒng)狀態(tài)和防止過熱、過載等故障也非常重要。安森美深耕汽車領(lǐng)域二十余年，擁有上述所有品類的高性能AEC認證產(chǎn)品組合，推動汽車電氣化、智能化進程。

在2024年，安森美將會繼續(xù)深耕智能電源和智能感知技術(shù)，通過技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級來提高在電動汽車、自動駕駛、充電樁、光伏儲能、工業(yè)自動化等關(guān)鍵市場的競爭力，并繼續(xù)執(zhí)行收入增長戰(zhàn)略，以新品發(fā)售、增量利潤投入碳化硅(SiC)增產(chǎn)等方式，努力實現(xiàn)高于半導(dǎo)體市場預(yù)期的年復(fù)合增長率，加強碳排放管理和可持續(xù)發(fā)展實踐，推動業(yè)務(wù)流程的深度去碳化。

以下是安森美在汽車領(lǐng)域一些關(guān)鍵的產(chǎn)品和解決方案：

SiC方案

SiC MOSFET和SiC二極管能夠提高系統(tǒng)的能效、減小尺寸和重量，從而提升電動汽車的續(xù)航里程和性能。安森美的SiC工藝平臺已從M1的Square Cell結(jié)構(gòu)、M2的Hex-cell迭代到M3的strip-cell，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、反向恢復(fù)損耗以及短路時間等關(guān)鍵性能指標上均為業(yè)界領(lǐng)先水平，同時實現(xiàn)最優(yōu)的成本。我們也提供優(yōu)化的柵極驅(qū)動方案，以更高效可靠地驅(qū)動SiC。此外，我們的Elite Power Simulator在線仿真工具和PLECS模型自助生成工具針對EliteSiC系列及應(yīng)用，使工程師在開發(fā)周期的早期階段，通過對復(fù)雜電力電子應(yīng)用進行系統(tǒng)級仿真，獲得有價值的參考信息，適用于軟/硬開關(guān)應(yīng)用、邊界建模和自定義寄生環(huán)境，為電力電子工程師節(jié)省時間和成本。

功率模塊及先進封裝

安森美持續(xù)開發(fā)先進的封裝技術(shù)，如銀燒結(jié)、壓鑄模雙面水冷等實現(xiàn)高效率、高功率密度的功率模塊 (包括硅基模塊和SiC模塊)，用于車載充電器(OBC)、主驅(qū)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等，優(yōu)化能源使用，延長電池壽命，并確保車輛電氣系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。創(chuàng)新的Top Cool MOSFET將散熱焊盤移至頂部，這樣散熱器可以直接焊接到器件上，不僅改善了 MOSFET 的散熱，還可以在 PCB 的下側(cè)布置元件，從而提高功率密度并簡化設(shè)計。