國內(nèi)6英寸碳化硅襯底和外延在近兩年獲得了大量投資和量產(chǎn)，而隨著電子設(shè)備對(duì)更高性能和更低能耗的需求日益增長，8英寸SiC晶圓將為晶圓廠的生產(chǎn)效率、成本效益和技術(shù)應(yīng)用等方面帶來顯著優(yōu)勢，需求也在日益凸顯。

• 從生產(chǎn)效率來看，8英寸晶圓可以切割出更多的芯片，提高生產(chǎn)量和效率，同時(shí) 8 英寸襯底厚度增加有助于在加工時(shí)保持幾何形狀、減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率；

• ?在技術(shù)應(yīng)用方面，8英寸SiC晶圓為電力電子器件的設(shè)計(jì)和制造提供了更多可能性，更大的晶圓尺寸允許制造商在單片晶圓上集成更多的功能區(qū)域；

• ?從成本效益分析，根據(jù) Wolfspeed 數(shù)據(jù)，從 6 英寸升級(jí)到 8 英寸，襯底的加工成本有所增加，但合格芯片產(chǎn)量可以增加 80%-90%，采用 8 英寸襯底可以將單位綜合成本降低 50%。

國外8英寸碳化硅襯底已在量產(chǎn)前夕，而國內(nèi)也在加快8英寸碳化硅晶圓的量產(chǎn)進(jìn)程，在Semicon China期間，碳化硅襯底和外延參展企業(yè)幾乎都展示了8英寸樣品。

天岳先進(jìn)上海工廠自2023年投產(chǎn)以來， 6英寸襯底的產(chǎn)量擴(kuò)產(chǎn)順利，交付穩(wěn)定。天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)了8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品的批量銷售。在展會(huì)期間，天岳先進(jìn)推出了采用液相法制備的P型碳化硅襯底，為碳化硅向以智能電網(wǎng)為代表的更高電壓領(lǐng)域提供了可能性。

天域半導(dǎo)體展示了6-8英寸碳化硅襯底、外延片、晶圓以及MOS管、模塊等產(chǎn)品。

天科合達(dá)展出6-88英寸碳化硅外延片及碳化硅襯底等產(chǎn)品

?同光股份展示了6-8英寸導(dǎo)電性碳化硅襯底、6英寸半絕緣型碳化硅襯底、碳化硅晶錠等產(chǎn)品。

中電科半導(dǎo)體材料有限公司攜山西爍科晶體有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、南京國盛電子有限公司參展，產(chǎn)品包括：4~6英寸高純半絕緣碳化硅襯底、4~8英寸N型碳化硅晶體及襯底及4~8英寸碳化硅外延等。

晶盛機(jī)電圍繞“先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備”的雙引擎可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，持續(xù)深化“裝備+材料”的協(xié)同產(chǎn)業(yè)布局。在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司聚焦6-8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化，致力于從長晶-切磨拋-外延全鏈條設(shè)備的國產(chǎn)替代。

寧波合盛新材料展示了6-8英寸導(dǎo)電性碳化硅襯底及外延片。

天成半導(dǎo)體展示了碳化硅粉料、晶錠、6-8英寸碳化硅襯底等產(chǎn)品。

山西天成半導(dǎo)體材料有限公司是由多位SiC領(lǐng)域博士及具有頭部生產(chǎn)企業(yè)任職經(jīng)歷的業(yè)內(nèi)一線人員發(fā)起，是一家專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)及相關(guān)生長裝備制造的高新技術(shù)企業(yè)。2023年，榮獲“第三代半導(dǎo)體年度新銳企業(yè)”，公司具備成熟科研團(tuán)隊(duì)、迭代技術(shù)儲(chǔ)備。

希科半導(dǎo)體展示了碳化硅外延片。

海乾半導(dǎo)體展示的是6-8英寸4H-SiC單極型器件用碳化硅外延片及4H-SiC雙極型器件用碳化硅外延片。

南京百識(shí)電子展示了6-8英寸碳化硅外延片。

中環(huán)領(lǐng)先攜4-12英寸化腐片、拋光片、退火片、外延片、SOI片等全產(chǎn)品系列展出，包括6-8英寸的碳化硅外延片。

中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體科技股份有限公司，專注于半導(dǎo)體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，堅(jiān)持為全球客戶提供Total Solution全產(chǎn)品解決方案，產(chǎn)品涵蓋4-12英寸化腐片、拋光片、退火片、外延片、SOI片等。

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