絕緣柵雙極型晶體管 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是由 BJT (雙極型三極管)和 MOS (絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域電力電子設(shè)備中。2023 年雖然全球半導(dǎo)體市場整體面臨下滑，但 IGBT 市場憑借關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求，帶動(dòng)國內(nèi) IGBT 企業(yè)業(yè)績基本上漲，同時(shí)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)品性能的提升和應(yīng)用范圍的擴(kuò)展，國產(chǎn)化和政策支持進(jìn)一步加速市場的本土化進(jìn)程，預(yù)計(jì) 2024 年將繼續(xù)保持增長趨勢。
圖源賽晶科技
①新能源驅(qū)動(dòng)需求，IGBT市場快速增長在“雙碳”政策的推動(dòng)下，國內(nèi)新能源汽車滲透率迅速提升，風(fēng)-光-儲(chǔ)-氫等新能源發(fā)電產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)多點(diǎn)耦合爆發(fā)式增長。IGBT 作為能源轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵钠骷切履茉串a(chǎn)業(yè)及工業(yè)應(yīng)用中不可或缺的組成部分，隨著這些市場的快速擴(kuò)張，對(duì)高性能 IGBT 的需求預(yù)計(jì)將持續(xù)增長。②國內(nèi)產(chǎn)能快速擴(kuò)張，競爭加劇面對(duì)龐大的市場需求，國內(nèi)多家 IGBT 生產(chǎn)商紛紛擴(kuò)大產(chǎn)能，進(jìn)行產(chǎn)品線生產(chǎn)布局。由于部分 IGBT 產(chǎn)品下游市場需求減弱，產(chǎn)品價(jià)格承壓，同時(shí)國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)充，供給增加，價(jià)格競爭加劇。③技術(shù)創(chuàng)新促進(jìn)產(chǎn)品性能提升，IGBT模塊化發(fā)展為滿足終端領(lǐng)域的高功率密度需求，多家企業(yè)在 IGBT 結(jié)構(gòu)及工藝方面進(jìn)行優(yōu)化創(chuàng)新，加大產(chǎn)品研發(fā)力度，同時(shí)為了適應(yīng)多變的市場需求，開發(fā)多品類、多型號(hào)的 IGBT 產(chǎn)品，IGBT 模塊化、集成化發(fā)展。另外部分企業(yè)正在研究 IGBT 與 SiC 結(jié)合的新型功率器件，以滿足車規(guī)級(jí)等高端市場需求。④智能與自動(dòng)化等高端領(lǐng)域有望成為IGBT市場新增長點(diǎn)隨著“供給側(cè)改革”、“節(jié)能環(huán)保”、“智能制造”、“工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)”等國家政策支持，IGBT正在向更多高端新興應(yīng)用領(lǐng)域滲透，如智能電網(wǎng)管理、工業(yè)自動(dòng)化控制、制氫電源以及某些高技術(shù)醫(yī)療設(shè)備等，為IGBT市場提供了更多的發(fā)展機(jī)會(huì)。下面對(duì)國內(nèi) 17 家 IGBT 上市企業(yè)的 2023 年年報(bào)匯總，供大家參考。表??國內(nèi)17家IGBT上市企業(yè)2023年業(yè)績情況
制表：艾邦智造，數(shù)據(jù)來源：各公司年報(bào)各公司業(yè)績增長及下降的詳細(xì)情況如下（序號(hào)不代表排名）。艾邦建有IGBT/SiC產(chǎn)業(yè)鏈微信交流群，掃描下方二維碼即可加入。
1.中車時(shí)代半導(dǎo)體（時(shí)代電氣 688187）
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2024 年 3 月 28 日，株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司（時(shí)代電氣，證券代碼：688187 ） 發(fā)布2023 年年度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi)，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入人民幣 217.99 億元（同比增長 20.88%），主要系新興裝備產(chǎn)品收入持續(xù)保持高速增長所致，其中功率半導(dǎo)體器件收入人民幣 31.08 億元（上年同期人民幣 18.35 億元），同比增長 69.39%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤 31.06 億元，同比增長 21.51%；研發(fā)費(fèi)用為20.21 億元，較上年增幅 14.70%。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，時(shí)代電氣建有 6 英寸雙極器件、8 英寸 IGBT 和 6 英寸碳化硅的產(chǎn)業(yè)化基地， 擁有芯片、模塊、組件及應(yīng)用的全套自主技術(shù)，生產(chǎn)的全系列高可靠性 IGBT 產(chǎn)品打破了軌道交通和特高壓輸電核心器件由國外企業(yè)壟斷的局面，并于2023年完成全電壓等級(jí)系列新一代 IGBT 芯片產(chǎn)品開發(fā)等研發(fā)成果。在新產(chǎn)業(yè)方面，IGBT 模塊交付在軌交、電網(wǎng)領(lǐng)域市場份額大幅領(lǐng)先，占有率國內(nèi)第一；在新能源市場快速突破，根據(jù) NE 時(shí)代統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，時(shí)代電氣 2023 年新能源乘用車功率模塊裝機(jī)量達(dá) 100.55 萬套市占率 12.5%，排名第三；集中式光伏 IGBT 模塊市占率快速提升，組串式模塊實(shí)現(xiàn)批量供貨，超精細(xì)溝槽 7.5 代 STMOS+ 產(chǎn)品效率提升明顯，達(dá)到國際領(lǐng)先水平；5MW IGBT 制氫電源助力國內(nèi)首個(gè)萬噸級(jí)綠電制氫項(xiàng)目成功產(chǎn)氫。2. 斯達(dá)半導(dǎo)（603290）
2024 年 4 月 7 日，斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（斯達(dá)半導(dǎo)，證券代碼：603290）發(fā)布2023 年年度報(bào)告，報(bào)告顯示，2023年斯達(dá)半導(dǎo)實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入366,296.54 萬元，較2022年同期增長35.39%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤9.11億元，較2022年同期增長11.36%。斯達(dá)半導(dǎo)主營業(yè)務(wù)收入在各細(xì)分行業(yè)均實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長。報(bào)告期內(nèi)，斯達(dá)半導(dǎo)繼續(xù)保持以 IGBT 模塊為主的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，IGBT 模塊產(chǎn)量1373萬只，銷售1274萬只，營業(yè)收入 33.31 億元，同比增長35.66%，占主營業(yè)務(wù)收入的 91.55%；其他產(chǎn)品收入同比下降 32.81% ，主要原因?yàn)?023 年斯達(dá)半導(dǎo)IGBT 單管的核心下游戶用式光伏逆變器需求下降導(dǎo)致。2023 年，斯達(dá)半導(dǎo)和深藍(lán)汽車合資成立重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司，研發(fā)生產(chǎn)高性能、高可靠性的車規(guī)級(jí) IGBT 模塊和車規(guī)級(jí) SiC MOSFET 模塊，預(yù)計(jì) 2024 年完成廠房建設(shè)并開始生產(chǎn)；2023年斯達(dá)半導(dǎo)還在瑞士蘇黎世設(shè)立新的研發(fā)中心，進(jìn)一步加大對(duì)下一代 IGBT、 SiC芯片以及模塊先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)力度，報(bào)告期內(nèi)研發(fā)投入2.87億元，同比增加52.16%。2024年，斯達(dá)半導(dǎo)將繼續(xù)扎根 IGBT 為代表的功率半導(dǎo)體行業(yè)，完善汽車領(lǐng)域、工控及電源行業(yè)、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電及儲(chǔ)能等新能源領(lǐng)域、變頻白色家電市場等產(chǎn)業(yè)布局，加速下一代IGBT芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化、并開展3300V-6500V高壓IGBT的研發(fā)。3. 士蘭微（600460）
2024 年 4 月 7 日，杭州士蘭微電子股份有限公司 （士蘭微，證券代碼：600460）發(fā)布2023 年年度報(bào)告，報(bào)告顯示，2023 年，士蘭微實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入933,954 萬元，同比增長 12.77%，主要系 IPM 模塊、IGBT 器件、PIM 模塊、快恢復(fù)管、SiC 器件、32 位 MCU 等產(chǎn)品的營業(yè)收入增長較快；歸母凈利潤為-3,579 萬元，比 2022 年減少 103.40%。報(bào)告期內(nèi)，士蘭微加大產(chǎn)品研發(fā)投入，以及產(chǎn)品在高門檻市場的推廣力度，研發(fā)費(fèi)用達(dá)8.64億，同比增長 21.47%，營業(yè)收入比例為9.25%。2023 年，士蘭微分立器件產(chǎn)品的營業(yè)收入為 48.32 億元，較上年增長 8.18%，其中超結(jié) MOSFET、IGBT 器件、IGBT 大功率模塊（PIM）等產(chǎn)品的增長較快，IGBT（包括 IGBT 器件和 PIM 模塊）的營業(yè)收入已達(dá)到 14 億元，較去年同期增長 140%以上。報(bào)告期內(nèi)，士蘭微已完成 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的技術(shù)升級(jí)，完成多個(gè)電壓平臺(tái)的 RC-IGBT 產(chǎn)品的研發(fā)，將在汽車主驅(qū)、儲(chǔ)能、風(fēng)電、IPM 模塊等領(lǐng)域中推廣使用；并推出 SiC 和 IGBT 的混合并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方案（包括隔離柵驅(qū)動(dòng)電路），正在加快汽車級(jí) IGBT 芯片、SiC-MOSFET 芯片和汽車級(jí)功率模塊（PIM）產(chǎn)能的建設(shè)，預(yù)計(jì)今后 IGBT 器件成品和芯片、PIM 模塊（IGBT 模塊和 SiC 模塊）等產(chǎn)品的營業(yè)收入將快速成長。另外，士蘭微參股公司士蘭集科在?2023 年加快推進(jìn) IGBT 芯片產(chǎn)能建設(shè)，截至 2023 年年底，已具備月產(chǎn) 2.5 萬片 IGBT 芯片的生產(chǎn)能力，2024 年士蘭集科將加快車規(guī)級(jí) IGBT、MOSFET 等功率芯片產(chǎn)能釋放，改善盈利水平。4. 芯聯(lián)集成（688469）
2024 年 3 月 22 日，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（芯聯(lián)集成-U，證券代碼：688469）發(fā)布2023 年年度報(bào)告（該公司于2023年5月10日上市）。截至報(bào)告期末，芯聯(lián)集成尚未實(shí)現(xiàn)盈利，實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入53.24億元；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤-19.58億元，虧損同比增加79.92%。獲益于國內(nèi)新能源汽車行業(yè)的快速增長及國產(chǎn)替代的雙重紅利，芯聯(lián)集成主營業(yè)務(wù)收入49.11億元，比上年同期增加9.52億元，同比增長 24.06%。在報(bào)告期內(nèi)，芯聯(lián)集成年度研發(fā)投入15.29億元，占營業(yè)收入28.72%，在 8 英寸 IGBT 等功率器件及其他產(chǎn)品方向上持續(xù)增加研發(fā)投入。截至報(bào)告期末，芯聯(lián)集成已建設(shè)完成兩條8英寸硅基晶圓產(chǎn)線，月產(chǎn)量達(dá)17萬片，包括IGBT產(chǎn)品月產(chǎn)8萬片、MOSFET產(chǎn)品月產(chǎn)7萬片。當(dāng)前芯聯(lián)集成車規(guī)級(jí)IGBT和SiC模塊已實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能330,000只，良率較高。此外，該公司在光伏、工控、家電領(lǐng)域的多款新產(chǎn)品也已量產(chǎn)，車規(guī)級(jí)模組產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化生產(chǎn)。2023 年芯聯(lián)集成市場占有率大幅提升，車規(guī)產(chǎn)品覆蓋絕大部分新能源汽車終端客戶；工控產(chǎn)品覆蓋超八成風(fēng)光儲(chǔ)新能源終端客戶；高端消費(fèi)產(chǎn)品覆蓋七成以上的頭部消費(fèi)終端客戶（含手機(jī)及高端白色家電）；超高壓IGBT產(chǎn)品成功進(jìn)入國家電網(wǎng)智能柔性輸電系統(tǒng)。具體在IGBT 方面，應(yīng)用于車載及工控的核心芯片領(lǐng)域的 IGBT 產(chǎn)品技術(shù)已比肩國際先進(jìn)水平；一期、二期生產(chǎn)工廠均按照車規(guī)要求建設(shè)，是國內(nèi)最大的車規(guī)級(jí) IGBT 生產(chǎn)基地；IGBT 模組已全面覆蓋國內(nèi)頭部企業(yè)。5. 揚(yáng)杰科技（300373）
2024年4月22日，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司 （揚(yáng)杰科技，證券代碼：300373）披露2023 年年度報(bào)告。2023年，揚(yáng)杰電子實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入54.10億元，同比增長0.12%；歸母凈利潤9.24億元，同比下降12.85%。2023年揚(yáng)杰科技主營業(yè)務(wù)中，半導(dǎo)體器件收入46.24億元，同比增長0.05%，占營業(yè)收入的85.48%；半導(dǎo)體芯片收入4.88億元，同比增長0.83%，占營業(yè)收入的9.02%；半導(dǎo)體硅片收入1.73億元，同比下降29.34%，占營業(yè)收入的3.20%。
2023年揚(yáng)杰科技重點(diǎn)布局工控、光伏逆變、 新能源汽車等應(yīng)用領(lǐng)域，在 IGBT 模塊市場份額快速提升；同時(shí)瞄準(zhǔn)清潔能源市場，利用 Trench Field Stop 型 IGBT 技術(shù)，成功推出 1200V 系列、650V 系列 TO220、TO247、TO247PLUS 封裝產(chǎn)品，性能對(duì)標(biāo)國外主流標(biāo)桿。報(bào)告期內(nèi)，揚(yáng)杰科技新能源汽車 PTC 用 1200V 系列單管通過車規(guī)認(rèn)證，大批量交付客戶；針對(duì)光伏領(lǐng)域，成功研制了1200V/160A、650V/400A 和 450A 三電平 IGBT 模塊，并投放市場，同時(shí)著手開發(fā)下一代 950V/600A 三電平 IGBT 模塊。目前，揚(yáng)杰科技基于 Fabless 模式的 8 吋、12 吋平臺(tái)的 Trench 1200V IGBT 芯片，完成了 10A-200A 全系列的開發(fā)；在 G2 和 G3 平臺(tái)方面，目前已經(jīng)成功開發(fā)應(yīng)用于變頻器、光儲(chǔ)、電源領(lǐng)域的 1200V/35A～200A、950V/200A、650V/50A～100A 等多款 IGBT 芯片，對(duì)應(yīng)的 PIM 和 6 單元功率模塊 1200V/10A～200A、半橋模塊 50A～900A 也同步投放市場。2024 年，在 IGBT 板塊，揚(yáng)杰科技將加大芯片研發(fā)投入，引入 FS(場終止)技術(shù)、MPT 微溝槽技術(shù)，大力開發(fā) IGBT 芯片、車規(guī)級(jí)產(chǎn)品、大電流模塊、高壓模塊，實(shí)現(xiàn) IGBT 的進(jìn)口替代。6. 華潤微電子（688396）
2024年4月25日晚間，華潤微電子有限公司（華潤微，證券代碼：688396 ）披露2023 年年度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi)，華潤微實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 99 億元，較上年同期減少 1.59%；歸母凈利潤14.79億元，較上年同期減少43.48%；研發(fā)投入 11.54 億元，同比增長 25.30%，占營業(yè)收入的比例達(dá)到 11.66%。2023年華潤微 IGBT 產(chǎn)品線銷售收入近 7 億元，產(chǎn)品線銷售規(guī)模實(shí)現(xiàn)顯著增長。報(bào)告期內(nèi)，IGBT 產(chǎn)品線持續(xù)推進(jìn)“晶圓 8 吋化、封裝模塊化、應(yīng)用高端化”，12 吋高端 IGBT 預(yù)研能力建設(shè)有序快速推進(jìn)。其中8 吋 IGBT 晶圓貢獻(xiàn)規(guī)模增長 62%，工業(yè)（含光伏）領(lǐng)域銷售占比提升至 70%以上，汽車市場頭部客戶合作更加深入；功率產(chǎn)品模塊化成效顯著，整體規(guī)模增長 1.45 倍，其中 IGBT 模塊增長 1.1 倍，IPM 模塊增長 6.5 倍，TMBS 模塊增長 1.83 倍，IGBT 模塊完成電焊機(jī)、變頻器、光伏、新能源汽車電驅(qū)等應(yīng)用領(lǐng)域幾十余款型號(hào)的模塊產(chǎn)品開發(fā)；先進(jìn)功率封測基地量產(chǎn)規(guī)模快速提升，營收快速增長，TO、PPAK 等功率器件封測、智能功率模塊封測等已經(jīng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定大規(guī)模量產(chǎn)，IGBT 模塊、SiC 模塊已進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，TOLT、QDPAK 等新型功率器件封裝已完成布局，并與多家國內(nèi)外一流終端客戶達(dá)成合作。2024 年華潤微計(jì)劃 IGBT 產(chǎn)品線在確保整體規(guī)模大幅增長的同時(shí)，進(jìn)一步加大 12 吋 IGBT 工藝技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)投入，加快 8 吋產(chǎn)品系列化與上量以及 IGBT 模塊化及上量，同期開發(fā)高電壓段、高端 IGBT 和 FRD 產(chǎn)品，加快光伏儲(chǔ)能、工控和汽車電子等高端應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化，有序推進(jìn) IGBT 車規(guī)級(jí)產(chǎn)品開發(fā)與汽車電子核心應(yīng)用拓展。7. 東微半導(dǎo)（688261）
2024年4月25日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（東微半導(dǎo)，證券代碼：688261 ）披露2023 年年度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi)，東微半導(dǎo)實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 97,285.03 萬元，較上年同期減少 12.86%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤 14,002.50 萬元，較上年同期減少 50.76%。同時(shí)，東微半導(dǎo)Tri-gate IGBT 產(chǎn)品報(bào)告期內(nèi)實(shí)現(xiàn)營收 2,988.55 萬元，較 2022 年同期減少 33.01%。報(bào)告期內(nèi)，東微半導(dǎo)新型 Tri-gate IGBT （TGBT）產(chǎn)品報(bào)告期內(nèi)實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 2,988.55 萬元， 較 2022 年同期減少 33.01%。2023 年，東微半導(dǎo)在IGBT 產(chǎn)品轉(zhuǎn)換競爭策略，加強(qiáng)對(duì)自有知識(shí)產(chǎn)權(quán) Tri-gate IGBT 技術(shù)研發(fā)力度，由中小功率產(chǎn)品拓展至大功率產(chǎn)品方向研發(fā)應(yīng)用，填補(bǔ)了國內(nèi)市場空白，迅速實(shí)現(xiàn)了高性能 IGBT 產(chǎn)品的國產(chǎn)化替代。目前第二代 TGBT 技術(shù)已量產(chǎn)，第三代 TGBT 開發(fā)順利，已經(jīng)研發(fā)成功，正在快速孵化驗(yàn)證中。同時(shí)，東微半導(dǎo)基于 TGBT 技術(shù)開發(fā)的新型Hybrid-FET 器件，兼具 IGBT 與 MOSFET 器件的優(yōu)勢，目前已申請(qǐng)專利并開始產(chǎn)業(yè)化，持續(xù)穩(wěn)定批量出貨中。另外，東微半導(dǎo)于本報(bào)告期內(nèi)正式進(jìn)入 SiC 功率器件的自主研發(fā)工作。其中 650V SBD 系列產(chǎn)品目前和公司 IGBT 合封的高速器件已經(jīng)通過車規(guī)考核并且批量交付；1200V SBD 系列已經(jīng)產(chǎn)出，可以配合公司的 1200V IGBT 芯片形成高速 1200V 系列。8. 臺(tái)基股份（300046）
2024年4月17日，湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司（臺(tái)基股份，證券代碼：300046）披露2023 年年度報(bào)告，報(bào)告期內(nèi)實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 31,973.26 萬元，同比下降 9.22%；利潤總額 3,814.39 萬元，同比增長 94.60%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤 3,113.97 萬元，同比增長 57.82%。報(bào)告期內(nèi)，臺(tái)基股份銷售各類功率半導(dǎo)體器件及組件 204.30 萬只（包括晶閘管、模塊、芯片、組件、 散熱器等），同比增長 1.51%，其中晶閘管銷售 63.75 萬只，同比增長 6.07%；模塊銷售 110.34 萬只，同比下降 4.93%。2023 年市場需求階段性回落，臺(tái)基股份產(chǎn)品迭代升級(jí)速度，響應(yīng)客戶多樣化需求，IGBT 器件和焊接模塊器件銷量顯著增長，在變頻器、中頻電源、調(diào)功器、地鐵等工業(yè)電源裝置的應(yīng)用持續(xù)擴(kuò)展，陸續(xù)研發(fā)出適合數(shù)字能源和儲(chǔ)能領(lǐng)域的大功率半導(dǎo)體器件，并具備批量生產(chǎn)能力；加快懸浮壓接模塊研發(fā)進(jìn)度，IGBT 模塊及塑封 IGBT 器件形成批量生產(chǎn)能力，研發(fā)多款專用高壓器件應(yīng)用于醫(yī)美等新興領(lǐng)域，促進(jìn)了公司的業(yè)務(wù)擴(kuò)展。2024年臺(tái)基股份將重點(diǎn)開發(fā)新型 IGBT 模塊和 IGCT 等智能化器件，加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程；提升 IGBT 資源支撐，完成 1200V 系列規(guī)格、1700V 部分規(guī)格產(chǎn)品研發(fā)，形成量產(chǎn)能力，并在加熱和冶煉行業(yè)，加大 IGBT 在重點(diǎn)客戶的應(yīng)用力度。9. 華虹半導(dǎo)體（01347）
2024年3月28日晚間，華虹半導(dǎo)體有限公司（華虹半導(dǎo)體，證券代碼：01347）披露2023年全年業(yè)績。華虹半導(dǎo)體2023年全年銷售收入22.86億美元，同比增長7.7%；歸母凈利潤2.80億美元，同比增長37.8%，全年毛利率為21.3%。2023年，華虹半導(dǎo)體功率分立器件銷售收入9.02億美元，與上年同期相比增長16.5%，增長主要得益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。華虹宏力在2023年持續(xù)在技術(shù)上增加投入，研發(fā)費(fèi)用合計(jì)約2.07億美元，同比增長28.3%。華虹繼續(xù)擴(kuò)大“8英寸+12英寸”生產(chǎn)與技術(shù)平臺(tái)建設(shè)，2023年6月在無錫正式開工建設(shè)二期項(xiàng)目12英寸生產(chǎn)線，目前無錫第二條12英寸晶圓生產(chǎn)線的主廠房鋼屋吊架已吊裝完成，預(yù)計(jì)將于2024年底投產(chǎn)，月產(chǎn)能將達(dá)8.3萬片。截至2023年底，華虹無錫的9.45萬片月產(chǎn)能已完全釋放，華虹半導(dǎo)體折合8英寸月產(chǎn)能擴(kuò)充至39.1萬片，全年付運(yùn)晶圓410.3萬片。隨著華虹IGBT產(chǎn)品比重越來越高，新型超結(jié)MOSFET技術(shù)的有序開放，面向汽車、電動(dòng)車、新能源及工業(yè)用途的客戶新品數(shù)量創(chuàng)下近年新高。10.宏微科技（688711）
2024年4月25日，江蘇宏微科技股份有限公司（宏微科技，證券代碼：688711 ）發(fā)布2023 年年度報(bào)告。2023 年，宏微科技實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 150,473.94 萬元，同比增長 62.48%；歸母凈利潤 11,619.49 萬元，同比增長 47.63%；功率半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)營收1,486,64.42萬元，同比增長61.45%；報(bào)告期內(nèi)公司整體產(chǎn)能提升，接受的訂單飽滿，營業(yè)收入同比大幅上升。宏微科技2023 年度實(shí)現(xiàn)研發(fā)投入10,809.85 萬元，同比增長 68.17%，占營業(yè)收入的比例為 7.18%，同比增加0.24個(gè)百分點(diǎn)。2023 年，該公司持續(xù)圍繞微溝槽 IGBT 技術(shù)、虛擬原胞技術(shù)、逆導(dǎo) IGBT 技術(shù)等多項(xiàng)第七代功率芯片關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行創(chuàng)新，IGBT 產(chǎn)品在微細(xì)槽柵結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝上得到了突破；IGBT 芯片在 12 英寸、FRD 在 8 英寸制造工藝實(shí)現(xiàn)方面得到了突破，所研發(fā)的 IGBT 和 FRD 產(chǎn)品成功批量應(yīng)用于光伏逆變器和新能源汽車電控系統(tǒng)中。截至報(bào)告期末，宏微科技“新型電力半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目”及“研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目” 已完成承諾投資，項(xiàng)目均已實(shí)施完畢并達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)。2023 年 7 月發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券的募集資金主要用于“車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體分立器件生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目（一期）”，項(xiàng)目建成后，將形成每年 240 萬塊車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn)能力。11. 新潔能（605111）
2024年3月27日，無錫新潔能股份有限公司 （新潔能，證券代碼：605111）發(fā)布2023 年年度報(bào)告。2023 年，新潔能實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 147,656.14 萬元，較去年同期減少 18.46%；歸屬母凈利潤 32,311.63 萬元，較去年同期減少 25.75%；功率器件業(yè)務(wù)收入139,869.84萬元，較去年同期減少-17.54%。2023年新潔能功率器件產(chǎn)品的生產(chǎn)量相比去年同期增加 8.34%、銷售量比上年同期增加 9.89%、庫存量比上年同期增加13.80%。新潔能2023年研發(fā)投入 8,731.42 萬元，占營業(yè)收入的比例為 5.91%。該公司持續(xù)推進(jìn)高端 IGBT、MOSFET 的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，在已推出先進(jìn)的超薄晶圓 IGBT 等產(chǎn)品基礎(chǔ)上，持續(xù)對(duì)產(chǎn)品升級(jí)換代，實(shí)現(xiàn)基于 12 英寸芯片工藝平臺(tái)的 IGBT 產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)。目前新潔能 IGBT 模塊主要用于光伏逆變器，受到報(bào)告期內(nèi)光伏儲(chǔ)能需求減弱的影響，新潔能整體 IGBT 產(chǎn)品的銷售呈現(xiàn)下滑狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)銷售收入 2.66 億元，比去年同期下滑 33.97%，銷售占比從去年的 22.33%下降到今年的 18.09%。新潔能預(yù)計(jì) 2024 年光伏需求會(huì)有所回暖、進(jìn)而促進(jìn) IGBT 產(chǎn)品的銷售回升，其他變頻、小家電、汽車等領(lǐng)域的 IGBT 產(chǎn)品銷售規(guī)模亦將進(jìn)一步擴(kuò)大。截至目前，新潔能控股子公司無錫金蘭已經(jīng)完成建設(shè)第一條 IGBT 模塊的封裝測試產(chǎn)線，滿產(chǎn)后可達(dá)到產(chǎn)能 6 萬個(gè)模塊/月。計(jì)劃 2024 年開始按車規(guī)要求升級(jí)產(chǎn)線，滿足車規(guī)產(chǎn)品的生產(chǎn)要求，并逐步通過車規(guī)質(zhì)量體系 IATF16949 審核。? ?12. 賽晶科技（00580）
2024年3月22日，賽晶科技集團(tuán)有限公司（賽晶科技，證券代碼：00580）發(fā)布2023年業(yè)績公告。報(bào)告顯示，2023年，受益于國內(nèi)特高壓直流輸電工程密集開工，賽晶科技相關(guān)訂單和交付增長，以及其自研功率半導(dǎo)體銷售收入增長等有利因素，集團(tuán)業(yè)績?nèi)婊嘏N售收入達(dá)10.55億元人民幣，同比增長15%；毛利率32%，同比增長4個(gè)百分點(diǎn)；歸母凈利潤3,155萬元，同比增長31%。2023年賽晶科技研發(fā)成本約11,360萬元，同比增加約26.1%，主要由于自產(chǎn)IGBT和儲(chǔ)能集成母排等產(chǎn)品的研發(fā)成本增加。? ?2023年賽晶科技自研功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，實(shí)現(xiàn)銷售收入達(dá)8,145萬元，同比增長105%。銷售收入的94%都來自進(jìn)入門檻高、品質(zhì)要求苛刻的新能源發(fā)電、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車領(lǐng)域。IGBT模塊銷售量約17萬個(gè)，收入約為8,140萬元，?較去年同期增長約105%。2023年賽晶科技路陸續(xù)推出1700V IGBT及FRD芯片，ST封裝IGBT模塊、HEEV 封裝碳化硅（「SiC」）模塊、EVD封裝IGBT模塊等多款新產(chǎn)品；并啟動(dòng)電壓為1200V和1700V，包含Si IGBT和SiC MOSFET的多個(gè)系列芯片和模塊研發(fā)，有望于2024年內(nèi)陸續(xù)推出。在產(chǎn)能方面，賽晶科技成為第一批在12寸IGBT晶圓代工生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)芯片量產(chǎn)的國內(nèi)企業(yè)，并完成第2條IGBT模塊生產(chǎn)線建設(shè)，啟動(dòng)了第3條IGBT模塊生產(chǎn)線和第1條碳化硅模塊生產(chǎn)線的建設(shè)。2024年，賽晶科技將加快產(chǎn)能擴(kuò)充，力爭完成第3條IGBT模塊和第1條碳化硅模塊封測生產(chǎn)線的建成。13.皇庭國際（意發(fā)功率半導(dǎo)體）（000056）
2024年4月26日晚間，深圳市皇庭國際企業(yè)股份有限公司（皇庭國際，證券代碼：000056）發(fā)布2023年年報(bào)，報(bào)告顯示，2023年皇庭國際實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入11.72億元，同比增長76.68%。2023年皇庭國際以“123”轉(zhuǎn)型發(fā)展戰(zhàn)略為指引，在穩(wěn)步發(fā)展商業(yè)管理業(yè)務(wù)的同時(shí)，繼續(xù)加大對(duì)功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)支持力度。2023 年是皇庭國際收購意發(fā)功率后第一個(gè)完整的審計(jì)年度， 意發(fā)功率主要從事功率半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)、制造及銷售業(yè)務(wù)，擁有年產(chǎn)36萬片6寸功率晶圓的能力，核心產(chǎn)品為FRD、SBD、MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體。報(bào)告期內(nèi)，意發(fā)功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 12,905.49 萬元，占營業(yè)收入比11.01%；產(chǎn)量方面，德興工廠全年產(chǎn)出 26.6 萬片，較上年同期增長 60%；產(chǎn)品質(zhì)量方面，2023 年平均成活率為 98.58%，較 2022 年提升 1.58%，平均測試良率為 97.92%，較 2022 年提升 1.62%，均接近業(yè)內(nèi)標(biāo)桿水平。2024年，意發(fā)功率收入目標(biāo)為2.2億元，將持續(xù)加大研發(fā)投入，加快新工藝、新產(chǎn)品開發(fā)，改善產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，并向下游成品業(yè)務(wù)延伸，目標(biāo)在工業(yè)焊機(jī)、充電樁、儲(chǔ)能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，將意發(fā)功率打造成真正的 IDM 型公司。14. 華微電子（600360）
2024年4月28日，吉林華微電子股份有限公司（ST華微，證券代碼：600360）發(fā)布2023年年報(bào)。報(bào)告期內(nèi)，華微電子實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 174,175.60 萬元，同比下降 10.82%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤 3,686.94 萬元，同比下降 36.16%；半導(dǎo)體分立器件實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入1,666,45.98萬元，同比下降11.62%。? ?2023年，華微電子實(shí)現(xiàn)多個(gè)戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域的拓展：在新能源光伏逆變與風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn) IGBT、FRD 產(chǎn)品銷售額的穩(wěn)步增長；在工控領(lǐng)域IPM、PM 模塊實(shí)現(xiàn)可觀銷售；在儲(chǔ)能逆變領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn) IGBT產(chǎn)品銷售額大幅度提升；在白電領(lǐng)域取得長足發(fā)展，供應(yīng)產(chǎn)品覆蓋了 MOSFET、FRD、IGBT、IPM 全部門類。報(bào)告期內(nèi)，華微電子持續(xù)推進(jìn)研發(fā)創(chuàng)新，研發(fā)投入10,614.95萬元，同比增加0.85%。在IGBT方面的研發(fā)主要體現(xiàn)在根據(jù)在白色家電、工業(yè)變頻、UPS 和光伏等領(lǐng)域應(yīng)用的不同特點(diǎn)，有針對(duì)性地優(yōu)化 IGBT 產(chǎn)品參數(shù)，形成適用于不同應(yīng)用領(lǐng)域的低、中、高頻系列 IGBT 產(chǎn)品及模塊。開發(fā)的新一代載流子存儲(chǔ)溝槽 IGBT 技術(shù)，具有更低的導(dǎo)體和開關(guān)損耗，在空調(diào)、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域批量應(yīng)用。15. 國電南瑞科技（600406）
2024年4月24日，國電南瑞科技股份有限公司（國電南瑞，證券代碼：600406）發(fā)布 2023 年年度報(bào)告。報(bào)告顯示，國電南瑞2023年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 515.73 億元，較上年同期增長 10.13%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤 71.84 億元，較上年同期增長 11.44%。2023 年國電南瑞全年研發(fā)投入 34.59 億元，占收入比 6.71% ? ?2023年國電南瑞已實(shí)現(xiàn) 1200V、1700V 中低壓 IGBT 產(chǎn)品自主可控和 3300V、 4500V 高壓 IGBT 產(chǎn)品的掛網(wǎng)應(yīng)用。其中高可靠性 4500V 壓接式 IGBT 產(chǎn)品通過中電聯(lián)新產(chǎn)品技術(shù)鑒定，綜合技術(shù)性能指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平；4500V/3000A IGBT 在張北延慶換流站掛網(wǎng)，1700V 及 1200V IGBT 器件在客戶端實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用。經(jīng)初步測算，國電南瑞計(jì)劃2024年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 560 億元，同比增長 8.6%，重點(diǎn)工作包括加快發(fā)展電網(wǎng)外和新興業(yè)務(wù)，全力推進(jìn)新能源、工業(yè)領(lǐng)域的高質(zhì)量發(fā)展，推動(dòng) IGBT、儲(chǔ)能、信創(chuàng)、海上風(fēng)電等新興業(yè)務(wù)規(guī)模化發(fā)展，形成新的效益增長點(diǎn)。16. 固锝電子（002079）
2024年3月30日，蘇州固锝電子股份有限公司（固锝電子，證券代碼：002079）發(fā)布 2023 年年度報(bào)告。2023 年度，固锝電子實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 408,735.45 萬元，同比增長 25.06%，達(dá)到并超過了年初經(jīng)營計(jì)劃的營收目標(biāo)，繼 2021 年、2022 年之后，營收再創(chuàng)歷史新高。其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)共實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 100,183.56 萬元，比去年同期下降 20.89%。? ?固锝電子專注于功率二極管生產(chǎn)研發(fā)，在 DFN、QFN、SMD 等封裝基礎(chǔ)上兼顧 MOSFET 與 IGBT 封裝。2024 年，固锝電子將擴(kuò)展高密度貼片產(chǎn)品和新型大功率封裝工藝的品類，進(jìn)一步提升工藝流程的自動(dòng)化水平，重點(diǎn)開發(fā)相關(guān)新產(chǎn)品：SOT-277 mini bloc 與 IGBT 模塊產(chǎn)品，一期重點(diǎn)開發(fā) IGBT43＆62mm、 Econo DUAL3 與 EASY 1B/2B，二期開發(fā) T-PAK 等。產(chǎn)品方面規(guī)劃開發(fā) 128 款 mos 產(chǎn)品，同步完成中低壓車規(guī) 10-15 款產(chǎn)品，IGBT 5 款 IPM 2 款，等；同時(shí)繼續(xù)開發(fā)車用半導(dǎo)體新型模塊，在原有基礎(chǔ)上，繼續(xù)加大車用半導(dǎo)體 SiP 封裝與電源功率模塊的封裝研發(fā)力度，并持續(xù)上量。17. 振華科技（000733）
2024 年 4 月 27 日，中國振華（集團(tuán)）科技股份有限公司（振華科技，證券代碼：000733）發(fā)布 2023 年年度報(bào)告。報(bào)告顯示，振華科技2023 年?duì)I業(yè)收入 77.89 億元，同比增長 7.19%；毛利率 59.34%，同比下降 3.38 個(gè)百分點(diǎn)；歸母凈利潤 26.82 億元，同比增長 12.57%；研發(fā)投入4.4億元，同比減少14.69%。? ?
報(bào)告期內(nèi)，振華科技在新產(chǎn)品研制方面，完成了高壓大電流碳化硅肖特基二極管、大功率碳化硅MOSFET、第七代IGBT芯片、大電流航空斷路器、高功率密度厚膜混合集成DC/DC變換器和高強(qiáng)度LTCC陶瓷材料及配套高導(dǎo)電銅漿等多款新產(chǎn)品的研制。另外，根據(jù)振華科技4月16日、18日在投資者互動(dòng)平臺(tái)的回答，振華科技將IGBT產(chǎn)品聚焦于特種領(lǐng)域，并秉承軍民協(xié)同發(fā)展戰(zhàn)略，拓展高端民用領(lǐng)域。目前，振華科技已根據(jù)訂單情況合理安排IGBT產(chǎn)線投產(chǎn)，lGBT產(chǎn)品交付正常，產(chǎn)品可應(yīng)用于機(jī)器人、機(jī)械臂等領(lǐng)域，同時(shí)瞄準(zhǔn)民用船舶、航空、軌道交通、衛(wèi)星及新能源汽車市場。艾邦建有IGBT/SiC產(chǎn)業(yè)鏈微信交流群，歡迎識(shí)別二維碼加入艾邦交流群及通訊錄，一起探討交流，共謀進(jìn)步。
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