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科普丨SiC 800V高壓架構解析

據悉,2024年北京車展配備SiC的車型超70款,如華為問界M5、蔚來樂道L60、保時捷Macan EV等,SiC的應用已經鋪開,800V的SiC Mosfet已成為新能源汽車的標配。

 

800V高壓僅僅是指快充系統么?它到底為何能成為車企技術中的“香餑餑”?搭載800V SiC的新能源汽車到底如何升級駕乘體驗?

01

什么是800V高壓架構?

800V是一個比較寬泛的概念,并不是指整車的高壓電氣系統全時段都能達到800V,而是一個平均值,整車的電壓范圍在550V—950V范圍內,都可以稱為800V高壓平臺

談到800V,很多人下意識里認為800V就是快充系統。實際上這個理解有些偏差,準確地說,800V高壓快充只是800V高壓架構中的一個系統,還包括800V電池包、800V功率器件如電機、電空調等零部件。

簡單來說,整個架構的高壓方案是采用800V。

科普丨SiC 800V高壓架構解析

 

02

800V高壓架構的多種方案

第一種:全域800V

全域800V,即整車的電機、電池、電控、空調、DC-DC等電氣系統均支持800V。例如小鵬的G9,其搭載扶搖架構的車型就是標配全域800V高壓SiC碳化硅平臺。這種方案的優勢在于電機電控迭代升級,能量轉換效率高;但電驅的功率芯片需要用SiC功率器件全面替代IGBT晶體管,零部件成本高。

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第二種:局部800V

關鍵部件支持800V,比如電驅系統、電池支持800V,而空調等部件依舊采用400V,可以兼顧整車成本和驅動效率的平衡,因為當前800V功率開關器件成本是400V級IGBT的數倍。這一方案能提升車輛的能耗表現,比400V架構的車型續航更實在。

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第三種:充電800V

僅電池支持800V高壓快充,其它部件均為400V。即整車搭載一個800V電池組,在電池組和其他高壓部件之間增加一個額外的DC-DC(DC-DC指直流轉直流電源(Direct Current)輸出直流電壓可高于或低于直流輸入電壓。將800V電壓降至400V,車上其他高壓部件仍采用400V電壓平臺。當然這個800V電池組也可能是兩個400V電池組通過智能串并聯實現充電800V,放電400V。這一方案主要是解決快速補能問題,也是目前幾乎所有800V車型都會配備的技術,投入低,見效快。

 

03

為什么要引入800V高壓系統?

引入高壓系統的目的都是為了提升效率,包括時間效率和能量流轉效率。

提升充電功率的方式無非有兩種——要么提升電流I,要么提高電壓U(P=UI)。就像是水龍頭要在最快時間放滿一桶水,要么加快水流(I),要么加大水龍口徑(U)。

據熱量公式:P=I2*R來看,電阻R是固定的,那么充電過程中的發熱就只和電路中的電流I相關,和電壓U無關。那么為了減少熱量損失,降低熱失控風險,就要控制電流I的大小,但又要提升充電功率,那就只能加大電壓U了。選擇高壓系統,既能保證一定充電功率提升充電效率,又能降低電流,減少熱損耗,可謂一舉兩得。

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04

SiC功率模塊,高電壓平臺的最佳搭檔

與動力電池電壓一同提升的,往往還有一個新能源汽車上雖然不起眼,但是對車輛各方面性能表現至關重要的零部件——功率開關模塊。功率器件的性能,直接決定電動汽車的加速、極速、電耗等核心性能表現。

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采用硅基IGBT功率開關,由于本身的承壓能力所限,電池電壓很難超過700V,而得益于碳化硅的耐高壓特性,可以控制更高的系統電壓,因此被認為是800V高壓平臺的最佳拍檔。

碳化硅具備高效率、低損耗、耐高溫等物理特性,可以將汽車的性能從1.0躍升到3.0,在功率密度、電子漂移飽和速度以及熱導率等方面可謂是全方位碾壓,大幅增加了汽車的續航里程和節省車內空間。

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基于碳化硅材料的巨大潛力,2025年碳化硅MOSFET的滲透率預期普遍在20%左右,未來幾年內IGBT仍將是電驅動系統最主流的功率半導體器件。

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05

800V高壓技術能帶來怎樣的駕乘體驗?

第一個直觀感受就是充電速度更快。例如最早推出800V快充的保時捷Taycan,能夠將充電功率提升至350kW,在22.5分鐘內電量從5%充到80%,這對當時動輒需要1小時快充時間的400V車型來說是質的飛躍。

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其次是動力性能更出色,800V高電壓平臺下電機逆變器功率密度更高,相同尺寸電機扭矩&功率更大,就像72V的電摩和36V的電瓶車,騎起來完全是兩種不同的體驗。

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此外由于高壓平臺對能量的利用率更高,自然也會讓車輛的能耗控制更出色,續航更高。例如小鵬G9在上市時就邀請大家測試其高速續航達成率(高速續航/CLTC續航×100%)。800V的電機比400V的要輕,導線也可以更細,疊加一些線纜和部件減少,可以減輕車身重量

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文章來源:江蘇卓遠半導體有限公司

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