愛仕特官微6月20日宣布，近日公司成功實現3300V/60A 碳化硅 MOSFET 的規(guī)模量產和交付。這一里程碑式的成就標志著公司在高壓大功率電子器件領域的突破，有效打破了國外碳化硅廠商的市場壟斷。

愛仕特3300V系列碳化硅MOSFET

目前，成功研制出3300V碳化硅MOSFET的國內碳化硅器件廠商仍是寥寥無幾，據全網最新公開數據，愛仕特是國內首家實現量產3300V/60A 碳化硅MOSFET的廠商。

自2018年研制出3300V 碳化硅 MOSFET樣品以來，愛仕特科技經過多年的研發(fā)和優(yōu)化，成功推出了耐壓高達3300V、導通電阻僅為58mΩ的產品，可承載高達60A的電流。該產品的成功量產和市場交付，體現了愛仕特在SiC功率器件領域的卓越研發(fā)能力和先進的生產技術。

愛仕特3300V/60A碳化硅MOSFET采用新型TO-247-4L封裝設計，具有高耐壓能力、低導通電阻、高溫穩(wěn)定性、高開關速度和高功率密度等多項優(yōu)勢。這些特點使得該產品可以在-55°C至175°C的極端溫度范圍內穩(wěn)定運行，適用于3C電子、新能源、汽車電子、五金家電等多個行業(yè)的需求。

通過使用自主研發(fā)的碳化硅芯片，愛仕特不僅提升了產品的性能，還通過優(yōu)化制程，降低了芯片成本近15%，在同等規(guī)格下，其芯片面積比國內同行小15%至20%，為客戶創(chuàng)造更大的經濟效益。

來源：愛仕特官微

原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導體網）：愛仕特量產并交付3300V/60A 碳化硅器件