近日據(jù)瞻芯電子官微消息，基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認(rèn)證；同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。
瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ?SiC MOSFET，現(xiàn)有3款產(chǎn)品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于車載電驅(qū)動系統(tǒng)，憑借出色的性能表現(xiàn)，已獲得多家車載電驅(qū)動客戶的項目定點。瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET特性第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET，相比第二代工藝，元胞的Pitch縮小了超過20%。同時在核心指標(biāo)上，第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下，將比導(dǎo)通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，達(dá)到國際第一梯隊的水平。同時，第三代產(chǎn)品的開關(guān)損耗，對比第二代產(chǎn)品進一步降低30%以上。而且，第三代產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻Rds(on)的溫度系數(shù)明顯降低，在高溫運行情況下，導(dǎo)通電阻增加較少。如下圖所示，當(dāng)Vgs=15V應(yīng)用時，175°C時的Rds(on)對比25°C時的Rds(on)只有1.42倍；當(dāng)Vgs=18V應(yīng)用時，175°C時的Rds(on)對比25°C時的Rds(on)只有1.65倍。在可靠性方面，首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)完成了三批次可靠性認(rèn)證，獲得車規(guī)級可靠性認(rèn)證證書，而且通過了更嚴(yán)格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括動態(tài)可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，柵極負(fù)偏壓下的HTRB等。原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：1200V 13.5mΩ ，瞻芯電子第三代SiC產(chǎn)品正式量產(chǎn)
