Nexperia 6月27日在官網(wǎng)表示，將投資 2億美元（約合14億人民幣）開發(fā)SiC/GaN，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎設施，擴大產(chǎn)能。
為了滿足對高效功率半導體不斷增長的長期需求，這三種技術（SiC、GaN和Si）都將從2024年6月開始在德國研發(fā)和生產(chǎn)。這意味著Nexperia正在支持電氣化和數(shù)字化領域的關鍵技術。SiC和GaN半導體使數(shù)據(jù)中心等耗電量大的應用能夠以卓越的效率運行，并且是可再生能源應用和電動汽車的核心組成部分。這些WBG技術具有巨大的潛力，對于實現(xiàn)脫碳目標越來越重要。Nexperia德國公司總經(jīng)理表示:"未來安世半導體的漢堡工廠將覆蓋WBG半導體的全部產(chǎn)品，同時仍然是最大的小型信號二極管和晶體管工廠。”第一條高壓GaN D型晶體管和 SiC二極管生產(chǎn)線于2024年6月啟動。下一個里程碑將是用于SiC MOSFET和GaN HE MT的200 mm生產(chǎn)線。這些將在未來兩年內(nèi)在漢堡工廠建立。同時，這項投資將有助于進一步實現(xiàn)漢堡工廠現(xiàn)有基礎設施的自動化，并通過系統(tǒng)化轉(zhuǎn)換到200毫米硅片來擴大硅生產(chǎn)能力。在清潔室面積擴大后，正在建造新的研發(fā)實驗室，以繼續(xù)確保今后從研究到生產(chǎn)的無縫過渡。原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導體網(wǎng)）：安世半導體將在德國投資14億元，擴大SiC/GaN產(chǎn)能
