一、氧化鈹(BeO)
BeO晶體結構 圖源自網絡
二、氧化鋁(Al2O3)
三、氮化鋁(AlN)
AlN粉體 圖源自網絡
AlN是一種具有纖鋅礦結構的Ⅲ-Ⅴ族化合物，其單元晶胞為AlN4四面體，屬于六方晶系，具有很強的共價鍵，因而其機械性能優(yōu)良、抗彎強度較高。理論上其晶體密度為3.2611g/cm3，因而具有高導熱性能，純凈的AlN晶體室溫熱導率高達320W/(m·k)，熱壓燒制的AlN基片熱導率可達150W/(m·K)，為Al2O3的5倍以上，熱膨脹系數為3.8×10－6～4.4×10－6/℃，與Si、SiC和GaAs等半導體芯片材料熱膨脹系數匹配良好。
四、氮化硅(Si3N4)
五、碳化硅(SiC)
單晶SiC以第三代半導體材料而被大家熟知，其具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率高以及電子飽和速度高等優(yōu)點。
通過在SiC中添加少量的BeO和B2O3來增加其電阻率，再添加相應的燒結助劑在1900℃以上的溫度中使用熱壓燒結，即可制備出致密度達98%以上的SiC陶瓷。采用不同的燒結方法、燒結助劑制備出的不同純度的SiC陶瓷，其室溫下熱導率為100～490W/(m·K)。由于SiC陶瓷的介電常數非常大，因而其只適合低頻應用，并不適合高頻應用。
參考文獻：
1、陸琪， 劉英坤， 喬志壯等. 陶瓷基板研究現狀及新進展
2、劉雄章，郭冉，李青達等．高熱導率氮化硅散熱基板材料的研究進展；
3、劉佳佳，劉英坤，譚永亮．SiC 電力電子器件研究現狀及新進展
4、鄭銳， 席生岐， 周敬恩． AlN 低溫燒結助劑的研究現狀
活動推薦：
2021年7月9日（周五）
深圳 觀瀾 格蘭云天酒店
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時間 |
議題 |
演講單位 |
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09:00-09:25 |
開場介紹 |
艾邦智造 江耀貴 創(chuàng)始人 |
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09:25-09:50 |
淺談MLCC未來發(fā)展趨勢 |
宇陽科技 陳永學 戰(zhàn)略總監(jiān) |
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9:50-10:15 |
MLCC高端關鍵生產裝備國產化解決方案 |
宏華電子 梁國衡 副總工程師 |
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10:15-10:40 |
茶歇 |
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10:40-11:05 |
應用于電子陶瓷領域的畢克產品介紹 |
畢克化學 王玉立 博士 |
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11:05-11:30 |
淺談我國無源元器件的機遇與挑戰(zhàn) |
風華高科 黃昆 LTCC事業(yè)部經理/技術總監(jiān) |
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11:30-11:55 |
微波毫米波無源集成關鍵材料與技術 |
南方科技大學工學院黨委書記/副院長 汪宏 教授 |
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11:55-14:00 |
午餐 |
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14:00-14:25 |
封接玻璃作用機理及在電子元器件應用研究進展 |
華東理工大學 曾惠丹 教授/博導 |
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14:25-14:50 |
LTCC高頻低介電常數陶瓷生料帶 |
上海晶材新材料 汪九山 總經理 |
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14:50-15:15 |
稀土在先進電子陶瓷電容材料中的研究進展 |
晶世新材料 程佳吉 教授 |
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15:15-15:40 |
高性能電容器材料的應用研究 |
上海硅酸鹽研究所 陳學鋒 研究員/博士 |
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15:40-16:05 |
茶歇 |
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16:05-16:30 |
MLCC產品失效分析和檢測手段 |
深圳納科科技 段建林 總經理 |
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16:30-16:55 |
物理氣相法制備MLCC內外電極金屬粉體 |
江蘇博遷新材料 江益龍 總經理 |
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16:55-17:20 |
如何提升LTCC激光開孔效果對后段工藝良率影響 |
東莞盛雄激光 王耀波 高級項目總監(jiān) |
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17:20-17:45 |
MLCC在5G基站的應用及可靠性評估方法 |
中興 楊航 材料技術質量高級工程師 |
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17:45-20:00 |
晚宴 |
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畢克化學 |
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