天岳先進自成立以來已獲得了6輪融資，獲得了國開行、中車時代、中微公司等龍頭投資。另外，天岳先進還是華為哈勃進軍第三代半導體所投資的第一家企業。據企查查消息顯示，華為哈勃投資金額為2726.25萬元，占股權的7%。
華為之后，公司又獲得了“寧王”的加持，前景一片大好。
目前，碳化硅主要應用于以 5G 通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領域。
“碳中和”、“碳達峰”下，國內外已刮起碳化硅上車的風潮。
此外，由于第三代半導體的下游工藝制程具有更高的包容性和寬容度，下游制造環節對設備的要求相對較低，投資額相對較小，制約第三代半導體行業快速發展的關鍵之一在上游材料端——襯底，因此其已成為兵家必爭之地。
我們若能在襯底行業實現突破，將有望在半導體行業實現換道超車。
TrendForce集邦咨詢指出，SiC襯底作為產業鏈最關鍵環節，Wolfspeed/SiCrystal(Rohm)/ II-VI等國際大廠占據了絕大部分市場份額，其中Wolfspeed位于美國北卡羅萊納州的8吋SiC襯底產線預計將在2022年上半年開始產能爬坡。
天科合達/山東天岳/爍科晶體/同光晶體等中國廠商開始嶄露頭角，但主流尺寸仍停留在4吋，6吋剛剛步入量產，與國際巨頭差距不小。
天岳先進是我國第三代半導體材料碳化硅的龍頭企業，目前能夠供應2英寸~6英寸的單晶襯底。
在半絕緣型SiC襯底領域，天岳先進產品電阻率已實現108Ω·cm以上，電學性能達到較高水平，已批量且穩定地供應給通信行業領先企業，用于其新一代信息通信射頻器件的制造。據相關統計，2019/2020年，天岳先進已躋身半絕緣型SiC襯底市場世界前三。
據招股書，天岳先進本次擬募資20億元，在上海臨港新片區建設SiC襯底生產基地，以滿足不斷擴大的碳化硅半導體襯底材料的需求。該項目建設期為6年，自2020年10月開始前期準備，計劃于2022年試生產，預計2026年100%達產。（文：化合物半導體市場 Amber）
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