據(jù)三星官方消息，2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子宣布其基于3nm全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT，簡(jiǎn)稱 GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。
據(jù)介紹，3nm GAA技術(shù)采用了更寬通的納米片，與采用窄通道納米線的GAA技術(shù)相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技術(shù)上，三星能夠調(diào)整納米晶體管的通道寬度，優(yōu)化功耗和性能，從而能夠滿足客戶的多元需求。此外，GAA的設(shè)計(jì)靈活性對(duì)設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO)非常有利，有助于實(shí)現(xiàn)更好的PPA優(yōu)勢(shì)。與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來(lái)第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少 35%。三星電子首次實(shí)現(xiàn)GAA“多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管”（簡(jiǎn)稱: MBCFET? Multi-Bridge-Channel FET）應(yīng)用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過(guò)降低工作電壓水平來(lái)提高能耗比，同時(shí)還通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)電流增強(qiáng)芯片性能。三星首先將納米片晶體管應(yīng)用于高性能、低功耗計(jì)算領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片，并計(jì)劃將其擴(kuò)大至移動(dòng)處理器領(lǐng)域。
三星電子Foundry業(yè)務(wù)部總經(jīng)理崔時(shí)榮表示?：“一直以來(lái)，三星電子不斷將新一代工藝技術(shù)應(yīng)用于生產(chǎn)制造中。例如：三星的第一個(gè)High-K Metal Gate (HKMG) 工藝、FinFET 以及 EUV等。三星希望通過(guò)率先采用3nm工藝的‘多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管’（ MBCFET?），將繼續(xù)保持半導(dǎo)體行業(yè)前沿地位。同時(shí)，三星將繼續(xù)在競(jìng)爭(zhēng)性技術(shù)開發(fā)方面積極創(chuàng)新，并建立有助于加速實(shí)現(xiàn)技術(shù)成熟的流程。”?
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原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：三星半導(dǎo)體 3nm GAA 架構(gòu)制程技術(shù)芯片開始生產(chǎn)
