據三星官方消息，2022年6月30日，作為先進的半導體技術廠商之一的三星電子宣布其基于3nm全環繞柵極（Gate-All-AroundT，簡稱 GAA）制程工藝節點的芯片已經開始初步生產。
據介紹，3nm GAA技術采用了更寬通的納米片，與采用窄通道納米線的GAA技術相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技術上，三星能夠調整納米晶體管的通道寬度，優化功耗和性能，從而能夠滿足客戶的多元需求。
此外，GAA的設計靈活性對設計技術協同優化（DTCO)非常有利，有助于實現更好的PPA優勢。與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少 35%。
三星電子首次實現GAA“多橋-通道場效應晶體管”（簡稱: MBCFET? Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅動電流增強芯片性能。三星首先將納米片晶體管應用于高性能、低功耗計算領域的半導體芯片，并計劃將其擴大至移動處理器領域。
三星電子Foundry業務部總經理崔時榮表示?：“一直以來，三星電子不斷將新一代工藝技術應用于生產制造中。例如：三星的第一個High-K Metal Gate (HKMG) 工藝、FinFET 以及 EUV等。三星希望通過率先采用3nm工藝的‘多橋-通道場效應晶體管’（ MBCFET?），將繼續保持半導體行業前沿地位。同時，三星將繼續在競爭性技術開發方面積極創新，并建立有助于加速實現技術成熟的流程。”?
來源：?三星半導體和顯示官方
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原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：三星半導體 3nm GAA 架構制程技術芯片開始生產
