杭州士蘭微電子股份有限公司發布公告稱，合資公司廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司啟動化合物半導體第二期建設，即實施"SiC功率器件生產線建設項目"。士蘭明鎵擬建設一條 6 吋 SiC 功率器件芯片生產線，項目總投資為 15 億元，建設周期 3 年，最終形成年產 14.4 萬片 6 吋 SiC 功率器件芯片的產能（主要產品為 SiC MOSFET、SiC SBD）。該項目已于 2022 年 7 月 29 日取得了《廈門市企業投資項目備案證明》（編號：廈海工信投備（2022）247 號）。
據介紹，廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司是士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司在廈門市海滄區共同投資設立的合資公司，雙方在于 2017 年 12 月 18 日在中國廈門共同簽署了《關于化合物半導體項目之投資合作協議》，在廈門市海滄區建設一條 4/6 吋兼容的化合物半導體生產線，總投資 50 億元， 其中一期總投資 20 億元，二期總投資 30 億元。
截至 2021 年底，士蘭明鎵已完成第一期 20 億元的投資，形成了每月 7.2 萬片 4 英寸 GaN 和 GaAS 高端 LED 芯片的產能，其產品在小間距顯示、mini LED 顯示屏、紅外光耦、安防監控、車用 LED 等領域得到廣泛應用。
士蘭明鎵作為士蘭微化合物半導體產品的主要供應商之一，本項目是實現士蘭微在電動汽車、新能源市場整體戰略布局的規劃之一，有利于加快實現士蘭微 SiC 功率器件的產業化，滿足日益增長的新能源領域的市場需求，推動士蘭微主營業務持續成長。
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：士蘭明鎵啟動二期項目建設，擬建設一條 6 吋 SiC 功率器件芯片生產線
