據重慶日報消息，8月11日，位于兩江新區水土新城的重慶萬國半導體科技有限公司已成功造出西南地區首顆獨立開發、設計并自行完成晶圓制造與封裝測試的IGBT元件，目前該IGBT元件通過了用戶試用，并獲得了良好評價，預計在今年年內就可實現量產。

IGBT元件是絕緣柵雙極型晶體管的英文名縮寫，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管，組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，作用是調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控，廣泛應用于新能源車、光伏、家電、工業、軌交、智能電網等領域。

由于IGBT元件是能源變換與傳輸的核心器件，因此又俗稱電力電子裝置的"CPU"。目前，全球IGBT市場格局主要由英飛凌、安森美、意法半導體、富士電機、三菱電機等海外廠商主導。

不過，自新冠肺炎疫情以來，海外IGBT大廠供應的持續緊張，國內部分企業開始擴大尋求本土供應商供貨。

今年年初，重慶萬國正式啟動了IGBT元件項目研發，經過數月時間研發，成功造出西南地區首顆自研自產IGBT元件。據介紹，該元件具有飽和壓降低，開關損耗小，電流短路能力強等特點，可用于消費電器與工業電器的動能轉換，經客戶使用反饋，其品質與國際上IGBT大廠產品相當。

IGBT元件的制造還難在工藝，這也是為什么許多半導體工廠沒生產IGBT元件的原因。重慶萬國在芯片生產和封裝測試的每個環節上，都有業內資深的專家坐鎮，確保質量的穩定，在過去十二個月的出貨量中，重慶萬國做到了每10億顆芯片中，不良率只有3顆，這樣的質量在全球業界名列前茅。因此，重慶萬國在IGBT元件的制造環節也格外順暢，并獲得了用戶的良好評價。

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：重慶萬國自研IGBT預計年內實現量產