4月26日，博世（Bosch）宣布正在通過(guò)碳化硅芯片擴(kuò)展其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。該公司計(jì)劃收購(gòu)位于加利福尼亞州羅斯維爾（Roseville）的美國(guó)芯片制造商 TSI Semiconductors 的資產(chǎn)。
該公司擁有 250 名員工，是專(zhuān)用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，它主要開(kāi)發(fā)和生產(chǎn) 200 mm硅晶圓上的芯片，用于移動(dòng)、電信、能源和生命科學(xué)行業(yè)的應(yīng)用。在接下來(lái)的幾年里，博世打算在羅斯維爾工廠投資超過(guò) 15 億美元，并將 TSI Semiconductors制造設(shè)施轉(zhuǎn)變?yōu)樽钕冗M(jìn)的工藝。 從 2026 年開(kāi)始，將在200 mm SiC晶圓上生產(chǎn)第一批芯片。
通過(guò)這種方式，博世正在系統(tǒng)地加強(qiáng)其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，并將在 2030 年底之前顯著擴(kuò)展其全球 SiC 芯片產(chǎn)品組合。最重要的是，全球電動(dòng)汽車(chē)的繁榮和發(fā)展導(dǎo)致對(duì)此類(lèi)特殊半導(dǎo)體的巨大需求。計(jì)劃投資的全部范圍將在很大程度上取決于通過(guò) CHIPS 和科學(xué)法案獲得的聯(lián)邦資助機(jī)會(huì)以及加利福尼亞州內(nèi)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展機(jī)會(huì)。 博世和 TSI Semiconductors已達(dá)成協(xié)議，不披露交易的任何財(cái)務(wù)細(xì)節(jié)，該交易有待監(jiān)管部門(mén)批準(zhǔn)。
汽車(chē)行業(yè)對(duì)芯片的需求仍然很高。 到 2025 年，博世預(yù)計(jì)每輛新車(chē)平均會(huì)集成 25 顆芯片。 碳化硅芯片市場(chǎng)也在繼續(xù)快速增長(zhǎng)——平均每年增長(zhǎng) 30%。 這種增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力是全球電動(dòng)汽車(chē)的繁榮和發(fā)展。 在電動(dòng)汽車(chē)中，SiC 芯片可減少高達(dá) 50% 的能源消耗，從而實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)的續(xù)航里程和更高效的充電。 安裝在這些車(chē)輛的電力電子設(shè)備中，它們確保車(chē)輛一次充電可以行駛更長(zhǎng)的距離——平均而言，可能的行駛距離比硅基芯片多 6%。
博世管理委員會(huì)主席 Stefan Hartung 博士表示："通過(guò)收購(gòu)TSI Semiconductors，我們正在一個(gè)重要的銷(xiāo)售市場(chǎng)建立 SiC 芯片的制造能力，同時(shí)也在全球范圍內(nèi)增加我們的半導(dǎo)體制造。 羅斯維爾現(xiàn)有的潔凈室設(shè)施和專(zhuān)家人員將使我們能夠更大規(guī)模地制造用于電動(dòng)汽車(chē)的 SiC 芯片。"
羅斯維爾的新工廠將加強(qiáng)博世的國(guó)際半導(dǎo)體制造網(wǎng)絡(luò)。從 2026 年開(kāi)始，在重組之后，首批 SiC 芯片將在大約 10,000 平方米潔凈室中將在 200 毫米晶圓上生產(chǎn)首批 SiC 芯片。早期，博世投資于碳化硅芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。自 2021 年以來(lái)，博世一直在使用自己專(zhuān)有的、高度復(fù)雜的工藝在其位于斯圖加特（Stuttgart）附近的羅伊特林根（Reutlingen）工廠大規(guī)模生產(chǎn)碳化硅芯片。未來(lái)，羅伊特林根工廠還將在 200 mm晶圓上生產(chǎn)芯片。到 2025 年底，博世將把羅伊特林根的潔凈室面積從大約 35,000 平方米擴(kuò)大到 44,000 多平方米。
博世管理委員會(huì)成員兼移動(dòng)解決方案業(yè)務(wù)部門(mén)主席 Markus Heyn 博士表示："SiC 芯片是電動(dòng)汽車(chē)的關(guān)鍵部件。 通過(guò)在國(guó)際上擴(kuò)展我們的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，我們正在加強(qiáng)我們?cè)谝粋€(gè)重要的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的本地影響力。"
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