5月29日上午，深圳芯能半導體與安巢經開區在合肥市政府簽署項目合作協議，芯能半導體功率器件封測項目落戶安巢經開區。 此次簽約項目采用先進工藝，專注于大功率模塊封測，主要建設10條IGBT、5條SiC MOS自動化生產線，產品應用于新能源汽車、太陽能和家電等行業，項目整體建成達產后，預計可實現年產480萬只IGBT模塊和60萬只SiC MOS模塊，年營收約15億元。 深圳芯能半導體技術有限公司是一家聚焦IGBT芯片、高壓柵極驅動芯片以及智能功率模塊的研發、生產、應用和銷售的國家高新技術企業和國家“專精特新”小巨人企業，在深圳、上海、青島、順德、杭州等地建立了銷售辦事處，先后獲得了深圳高新投、美的、小米、國電投、達晨創投等股權投資。公司掌握國內領先核心技術，專注功率半導體相關產品的研發設計，截至2023年3月底，集成電路布圖47個，已實際授權發明專利84篇，產品主要應用于工業伺服電機驅動、變頻家電、逆變器、電力系統、新能源汽車等。 來源：安巢發布 原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：芯能半導體大功率模塊封裝測試項目落戶合肥 文章導航 行業動態 | 車規級半導體之爭中，國產IGBT動搖了大廠的統治根基 IGBT模塊結構及老化簡介
