近日，深圳后浪實驗室利用自主研發的直接濺射陶瓷基板（Direct Sputtering Ceramic Substrate，DSC）首次完成曝光、顯影、蝕刻等工藝實現IGBT線路雙面刻蝕，制備的IGBT基板銅層厚度達300微米，相對活性釬焊基板（AMB）、直接鍵合基板（DBC），DSC基板具有附著力更強、致密度更高的優勢。
DSC基板是通過實驗室自主研發的持續高功率磁控濺射技術直接在陶瓷基板表面濺射沉積銅金屬層到所需厚度（0.3mm）的新型陶瓷基板制造方法，通過金屬層設計可實現銅層與陶瓷基板的可靠結合。這種直接濺射制作覆銅板的方法完全在真空系統中完成，有效避免傳統DBC、AMB陶瓷基板制造過程中的環境污染、附著力不強、高溫導致的致密度不足等問題，可顯著提高陶瓷基板的結合強度、致密度以及導電性。同時，DSC制備工藝簡單可控，可以同時適用于氧化鋁、氮化鋁、氮化硅等多種陶瓷基板，避免多種材料、工藝或裝備的重復開發和重復建設問題，有望降低陶瓷基板的制造成本。
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