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IGBR 是具有防潮功能的大功率背接觸式電阻器,可實現超高額定功率,具有適用于混合組件的微型外殼尺寸。

為什么 IGBT 模塊中需要柵極電阻器?

IGBR 電阻器具有高額定功率、單一引線接合組裝的特性,外殼尺寸從 0202 到 0808 不等。典型應用于功率轉換器(第三代 SiC MOSFET)的柵極電阻器、大功率應用和替代能源等領域。IGBR 是節省電源模塊空間的完美部件。
為什么 IGBT 模塊中需要柵極電阻器?

1.?通過限制電流影響開關速度

2.?限制柵極驅動路徑中的噪聲
3. 限制寄生電感和電容
4.?限制對柵極進行充電和放電的電流
5.?限制峰值柵極電流以保護驅動器輸出級
6.?耗散柵極回路中的功率
7.?影響開關損耗并防止柵極振蕩
深圳市禹龍通電子股份有限公司成立于 2000 年,坐標深圳市南山區,擁有獨立自主的厚膜、薄膜生產線。我司 2005 年獲得軍工武器裝備資質,最高可生產宇航標準等級產品;2010?年成為國家高新技術企業,目前主要給 5G 通訊和軍工產品作配套。
目前禹龍通生產的 IGBR 主要應用于 SiC MOSFET 模塊中,作為柵極電阻起到驅動的作用。當前國內 SiC MOSFET模塊基本是都是用國外(美國)威世的電阻,我們可以對其進行國產化替代。
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為什么 IGBT 模塊中需要柵極電阻器?

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原文始發于微信公眾號(艾邦半導體網):為什么 IGBT 模塊中需要柵極電阻器?

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