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導語

11月30日,中國電子科技集團公司第五十五研究所將出席并贊助支持第七屆陶瓷封裝產業論壇,研究員 龐學滿做《微波大功率封裝外殼技術發展》主題演講,歡迎大家與會交流。

中電科55所將參加第七屆陶瓷封裝產業論壇并做《微波大功率封裝外殼技術發展》主題演講

演講大綱:

1、封裝外殼分類簡介

2、大功率外殼技術及發展方向

3、高頻率外殼技術及發展方向
嘉賓簡介:

龐學滿,天津大學材料學博士學位,中國電子科技集團公司第五十五研究所封裝事業部副主任,研究員級高工。主要專業方向為封裝外殼與基板,先后主持承擔并完成了多項國家重大工程配套項目。主持研發的低損耗陶瓷材料以及相應微波外殼系列達到國際領先水平,獲得國防科工局以及中國電子科技集團公司多項科學技術獎,申請并獲得授權十余項外殼領域發明專利,其中包括獲得俄羅斯以及歐洲多個國家授權。

公司介紹

中電科55所將參加第七屆陶瓷封裝產業論壇并做《微波大功率封裝外殼技術發展》主題演講

中電國基南方集團有限公司封裝事業部主要從事微波毫米波及各類半導體器(組)件、集成電路等封裝所需的外殼、基板及相關產品的技術研究、產品開發與生產經營工作。“十五”以來事業部承擔了國家下達的預研、新品、型譜、支撐、863、973、產業化、可靠性增長、核高基等課題70余項。“十五”以來共獲省部級以上科技進步獎32項,獲得國家發明專利授權26項。

封裝事業部形成了氧化鋁、氮化鋁高溫共燒多層陶瓷、低溫共燒多層陶瓷和微晶玻璃四大類材料的產品體系,為客戶提供微波毫米波為主的各類封裝外殼、多層陶瓷基板、薄膜基板、無源元件等產品以及鍍覆、氣密封裝等工藝服務。事業部建有多條生產線,廠房面積16000平方米,設備先進,工藝穩定,具有良好的批量供應能力。

產品使用頻率可以覆蓋至60GHz,滿足千瓦級功率器件的散熱需求,廣泛應用于各類微波毫米波器(組)件、集成電路封裝、光電產品封裝、電力電子產品封裝、MEMS 器件封裝、金屬玻璃封裝等。

產品介紹

微波電路封裝陶瓷外殼

封裝部開發的CQFN封裝采用的垂直信號傳輸結構,可傳輸DC~40GHz的控制信號或射頻信號。常用的引出端節距有1.27mm、0.65mm、0.5mm等,端口數量12~80,外殼與芯片尺寸接近1.2:1。分為金屬化接地或金屬熱沉接地以滿足芯片不同的散熱需求。封帽形式有平行縫焊、合金熔封等多種。具有尺寸小、重量輕、高頻性能優異等特點。

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SIP多芯片組件封裝外殼
系統封裝是當前電子設備小型化、集成化發展的趨勢所向,采用基板集成的一體化技術和三維封裝結構的SIP(system in package)多芯片組件封裝外殼可以滿足系統及子系統封裝需求,結構緊湊,集成度高。封裝形式多樣,覆蓋BGA、QFN。
BGA 型陶瓷外殼主要分為通用BGA型陶瓷外殼與定制BGA陶瓷外殼,其中通用型BGA外殼提供射頻與直流傳輸端口,用戶可將多層復雜布線放置于 PCB 中,單層或多層堆疊。定制類BGA陶瓷外殼可根據用戶需求進行多層布線,以實現多芯片組件的封裝。

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功率電子封裝
功率電子封裝外殼通常指以二極管、三極管、整流器為代表的分立器件封裝,主要分為TO和SMD兩類。
現階段TO陶瓷封裝外殼為三面腔體壁為金屬,一面腔體壁為陶瓷,金屬引針穿過陶瓷片到內部。以TO外殼為例,耐壓性能從1200V提升至 3000V DC,滿足以SiC為代表的新一代芯片的封裝需求。
SMD封裝是基于SMT技術發展而來的封裝形式,可通過自動拾放設備進行自動化裝配。在傳統SMD封裝的基礎上,對載流能力和集成化提出了新要求。通過內鑲嵌高導電材料實現大載流,同時腔內集成其他無源/有源器件。

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紅外探測器類陶瓷封裝外殼
封裝部開發的紅外探測器封裝外殼分為制冷型及非制冷型。其中制冷型紅外焦平面探測器用陶瓷引線環其主體采用圓形通腔結構,陶瓷引線環可實現外殼內外的電氣連接以及芯片的支撐保護,金屬圓環實現與光窗和外部制冷器的焊接。廣泛應用于各類高精度高可靠紅外成像和制導領域。
非制冷型紅外探測器陶瓷封裝外殼,從結構上可分為蝶形結構的金屬外殼以及CLCC(CQFN)和CPGA類型的陶瓷外殼。具有多引出端、高可靠性的特點。最大電流承載能力:5A,氣密性:漏率≤1.0× 10-3pa?cm9/s,絕緣電阻≥1.0× 109Ω。

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光通訊封裝外殼系列
光通訊陶瓷封裝外殼應用于光纖通信領域,主要分為蝶形封裝外殼及BOX封裝外殼,用于封裝各類光電發射、接收器件以及大功率激光器。產品參數、氣密性、可靠性均滿足國際標準要求,產品外形、結構可接受用戶的定制化要求。
BOX封裝多用于多通道并行封裝,主要應用于40G以上速率的高速光模塊,具有高速率電磁干擾、體積小、散熱性好等特性。

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集成電路陶瓷外殼
封裝部開發的集成電路陶瓷外殼廣泛應用于FPGA、DSP、CPU、SOC等大規模和超大規模集成電路封裝,是目前應用范圍最廣的封裝外殼,產品系列包括CSOP、CQFP、CFP、CLCC、CDIP、CPGA等封裝形式,可根據用戶的要求定制開發各種集成電路外殼。端口數量:3~256。典型節距:2.54、1.27mm、1.0mm、0.80mm、0.635mm、0.50mm等 ,月產能30萬只。

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吸氫材料
封裝部開發以鈦合金為基材制備的吸氫材料,能夠有效吸附并貯存器件及組件密閉腔體內所不停釋放的氫氣,避免了封裝體內氫氣對器件或組件的電性能和物理性能上的損壞,防止“氫中毒”事件的發生,可廣泛用于各類有控氫要求的器件和組件。吸氫材料的特點為吸氫量大,最大吸氫量可達 1.8%wt,同時可定制不同形狀(片式、圍框、螺釘等),無粉末,使用溫度寬,耐高溫,使用簡便,無需前處理。其適用于各類封裝材料的器件組件,如可伐、鎢銅、硅鋁、鋁合金等;密度為4.5g/cm3,可滿足各類器件或組件。吸氫材料經85℃~250℃烘烤48h激發后,內部氫含量≤500ppm。貨架尺寸:3×3×0.3、4×4×0.3、2×5×0.3、3.5×5×0.3,使用方式為導電膠粘接(通用)、錫銀銅/鉛錫/金錫等焊接。

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原文始發于微信公眾號(艾邦陶瓷展):中電科55所將參加第七屆陶瓷封裝產業論壇并做《微波大功率封裝外殼技術發展》主題演講

作者 liu, siyang

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