近日，芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V/20A TO-252-3封裝 SiC SBD產品在內，芯塔電子已有兩款核心產品通過此項認證。本次認證成功通過，為芯塔電子拓展新能源車用市場奠定了堅實基礎。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業通過測試，已進入批量導入階段。

芯塔電子1200V/80mΩTO-263-7封裝器件及晶圓

芯塔電子1200V/80mΩ?SiC MOSFET車規級認證證書

隨著新能源汽車800V高壓平臺的大規模上車，SiC器件憑借其自身性能優勢進入了黃金賽道。芯塔電子針對新能源汽車車用場景推出了系列SiC應用方案，助力新能源車企實現超級快充、降低系統成本、增加續航里程以及實現輕量化等。

圖一 基于Si MOSFET的6.6kw OBC拓撲

圖1為基于Si MOSFET器件的6.6KW傳統電路拓撲，前一級DC/DC為兩個BOOST PFC交錯并聯，后面一級DC/DC為LLC。圖2為基于SiC MOSFET方案的電路拓撲。前一級DC/DC為單個單相Totem Pole PFC，后一級DC/DC為LLC。

圖二 基于SiC MOSFET的6.6kw OBC拓撲

對應前一級的PFC電路，如果使用Si器件，開關損耗高、功率器件溫度高，因此單個單向PFC電路功率有限，需要兩路PFC交錯并聯來擴展功率。在后一級LLC電路中，如果使用低壓Si MOSFET作為同步整流，無法支持高電池電壓（1000V）充電，而使用1200V SiC MOSFET則可以支持高壓電池充電。另外，SiC MOSFET體二極管反向恢復損耗遠低于Si MOSFET, 非常適合用于V2G功能的OBC。不僅如此，SiC MOSFET使用還有助于提高OBC效率和功率密度。

來源：芯塔電子公眾號

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：芯塔電子SiC MOSFET通過車規級認證，批量導入新能源汽車