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12月20日,光谷宣布投資50億元建設(shè)化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地,選址湖北武漢九峰山實驗室南面,建設(shè)研發(fā)辦公樓、中試車間、潔凈廠房、會議中心等孵化加速功能載體,及人才公寓等配套設(shè)施,明年開工,后年投用。作為總部園區(qū),力爭在3年內(nèi)引育企業(yè)100家。

目前已有天工芯測檢測中心項目、芯導(dǎo)傳能等6個項目團隊明確入駐意愿,潔凈室廠房需求達1.7萬平方米。

投資50億元,光谷打造化合物半導(dǎo)體企業(yè)總部園區(qū)

化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地項目效果圖

總部園區(qū)由武漢高科集團投資建設(shè),將借助九峰山實驗室工藝產(chǎn)線和檢測能力等資源,降低開發(fā)門檻、縮短開發(fā)周期,重點突破設(shè)計、設(shè)備、材料等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié),完成創(chuàng)新鏈和產(chǎn)業(yè)鏈的對接。九峰山實驗室是十大湖北實驗室之一,已建成化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最先進、規(guī)模最大的科研及中試平臺。

光谷積極謀劃化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,發(fā)布了九峰山科技園產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃,以九峰山實驗室為核心,規(guī)劃建設(shè)九峰山科技園,構(gòu)建設(shè)備、材料、設(shè)計、芯片、器件、模塊、制造、封裝、檢測的全產(chǎn)業(yè)鏈體系,推動創(chuàng)新鏈、人才鏈、資金鏈和產(chǎn)業(yè)鏈深度融合發(fā)展,形成創(chuàng)新活躍、要素齊全、開放協(xié)同的產(chǎn)業(yè)生態(tài),打造世界領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。到2035年,九峰山科技園全面建成,形成完整化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈。

除該項目外,圍繞九峰山科技園及周邊,還布局了化合物半導(dǎo)體學(xué)院,配套了未來商業(yè)廣場、創(chuàng)新園等設(shè)施,可滿足企業(yè)和員工工作生活需要。

化合物半導(dǎo)體指除單質(zhì)半導(dǎo)體(如硅Si、鍺Ge之外的半導(dǎo)體材料,主要分三類。一類主要的化合物半導(dǎo)體是由ⅢA與ⅤA元素組成,即Ⅲ-Ⅴ族化合物,包括:砷化鎵(GaAs),磷化銦(InP),氮化鎵(GaN)等。一類來自于ⅡB族與ⅥA族元素,被稱為Ⅱ-Ⅵ族化合物,包括硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)等。另一類則是Ⅳ-Ⅳ族化合物,碳化硅(SiC),硅鍺合金(SiGe)等。
化合物半導(dǎo)體具體應(yīng)用可按具體材料分類:
GaAs,InP,GaN:光子集成電路、激光器、LED、光探測器、光伏器件等功率放大器(PA),LNA,射頻開關(guān)濾波器,單片微波集成電路等;
GaN,SiC:肖特基勢生二極管(SBD)、MOSFET、IGBT等。
來源:中國光谷、Tom聊芯片智造 公眾號

原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)):投資50億元,光谷打造化合物半導(dǎo)體企業(yè)總部園區(qū)

作者 li, meiyong

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