據(jù)愛(ài)企查網(wǎng)站信息顯示，揚(yáng)杰科技近日公布了六項(xiàng)關(guān)于碳化硅功率器件的制備方法發(fā)明專利。

包括一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法、一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法、一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法、隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法、一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法、一種碳化硅二極管器件及其制備方法專利。

其中關(guān)于“提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法”，涉及功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟：步驟001，提供一種N型重?fù)诫s類型的襯底，即為N+型SiC半導(dǎo)體襯底，摻雜濃度為360~400um，摻雜濃度為1e19 cm?2；N+型襯底具有兩個(gè)表面，分為正面與背面，在正面形成一層N型緩沖層，厚度為0.8~1um，摻雜濃度為1e18 cm?2；在N型緩沖層覆蓋N型輕摻雜類型的漂移層，即為N?型漂移層，厚度為5~15um，摻雜濃度為5e15~1e16 cm?2,背面形成金屬電極層；步驟002，在漂移層的表面通過(guò)光刻掩膜，進(jìn)行P型摻雜形成P?Well阱區(qū)；本發(fā)明制作工藝簡(jiǎn)單，效果顯著，可以應(yīng)用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。

“隔離柵的碳化硅晶體管及其制備方法”，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次連接的碳化硅襯底，碳化硅漂移層和正面金屬層；所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有向下延伸的PW區(qū)；所述PW區(qū)的頂面設(shè)有向下延伸的NP區(qū)；所述NP區(qū)內(nèi)設(shè)有向下延伸的PP區(qū)；所述碳化硅漂移層的頂面依次設(shè)有向上伸入正面金屬層內(nèi)的柵氧層和Poly層；所述碳化硅漂移層的頂面設(shè)有包裹所述柵氧層和Poly層的氧化物隔離層，所述氧化物隔離層底端分別與碳化硅漂移層和NP區(qū)連接；所述氧化物隔離層的側(cè)部設(shè)有與PP區(qū)連接的歐姆接觸金屬層。本發(fā)明一定程度上可提高器件的開(kāi)關(guān)性能，降低開(kāi)關(guān)損耗。

“一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法”，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括從下而上依次設(shè)置的背面加厚金屬、背面歐姆接觸金屬、碳化硅襯底、碳化硅外延層和N型注入?yún)^(qū)；所述N型注入?yún)^(qū)的頂面設(shè)有伸入碳化硅外延層的終端溝槽和若干間隔設(shè)置的源區(qū)溝槽；所述源區(qū)溝槽的槽底設(shè)有向下延伸的P型注入?yún)^(qū)；所述終端溝槽的頂面設(shè)有伸入碳化硅外延層的P型主結(jié)和若干間隔設(shè)置的P型分壓環(huán)；所述碳化硅外延層上設(shè)有覆蓋P型主和若干P型分壓環(huán)的場(chǎng)氧層；本發(fā)明在不增加單顆芯片面積和工藝復(fù)雜程度的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步降低了器件的正向?qū)▔航怠?/span>

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