近日，繼芯塔電子自主研發的1200V/80mΩSiC MOSFET器件獲得全套AEC-Q101車規級可靠性認證后，又成功通過第三方權威檢測機構（廣電計量）高壓960V H3TRB（HV-H3TRB）可靠性考核。此舉標志著芯塔電子躋身為國內少數SiC MOSFET產品通過雙重考核的廠商之一。

AEC-Q101是汽車行業最為重要的的國際標準之一，也是國際汽車行業通用的技術規范，汽車電子必須獲得的認證之一。對于1200V耐壓器件，AEC-Q101在高壓高濕高溫反偏（HTRB）考核標準中耐壓通常為100V。HV-H3TRB主要是針對高溫高電壓環境下的失效的加速實驗。考核中，1200V耐壓器件的耐壓提高到960V，這對器件的設計、制造及封裝技術提出了更嚴苛的要求。因而通過HV-H3TRB可靠性驗證，意味著功率器件在極端運行環境下仍有優良耐受能力及使用壽命。當前，獲得AEC-Q101車規級認證并通過HV-H3TRB可靠性考核逐漸成為各大主流汽車及光伏儲能廠家對高可靠性功率器件的通用要求。

自2022年初首款SiC MOSFET量產后，芯塔電子在不到兩年的時間里先后推出了650V/1200V/1700V三個電壓平臺18種不同型號的產品，并拓展了TO-263-7、DFN 8*8、Toll等具有更小尺寸、更低寄生干擾、優異熱管理能力及高可靠性的的封裝外形。產品具有出色的熱性能和電性能，以滿足客戶不同應用場景的多樣化需求。截止目前，芯塔電子SiC MOSFET累計出貨量已超過百萬只，得到了市場的熱烈響應及客戶的廣泛認可。

來源：芯塔電子官微

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：芯塔電子SiC MOSFET通過AEC-Q101和HV-H3TRB雙重考核！