外延是指在碳化硅襯底的表面，生長出的一層質量更高的單晶材料，在導電型碳化硅襯底表面生長一層碳化硅外延層，稱為同質外延；在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，則稱為異質外延。
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碳化硅晶體在生長過程中會不可避免地產生缺陷、引入雜質，導致襯底材料的質量和性能都不夠好，而外延層的生長可以消除襯底中的某些缺陷，使晶格排列整齊。目前幾乎所有的器件都是在外延上實現的，因此外延的質量對器件的性能有著決定性的影響。
根據 CASA 統計，2022年SiC功率電子市場規模約為21億美元，預計到 2027年SiC功率電子市場規模接近80億美元，復合增長率為 30%。外延占碳化硅功率器件成本結構的 23%，價值量占比較高。
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出于降本的需要，國內企業在6英寸碳化硅外延生長上已經實現逐步放量，并開始延展至對8英寸外延的研發投產。
報告內容如下：
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：2024年碳化硅（SiC）外延及供應商報告.ppt