■?半導體新品發布現場
SiC EP200D-ZJS具備單腔同時加工2片8英寸晶圓的能力，設備單位產能提升80%，生產成本降低30%，同時EP200D搭載了目前最新的外延摻雜工藝包、全自動化上料模塊以及AI大數據分析平臺EAP接口，可實現基于C2C模式的大規模外延量產方案。 EM200A-ZJS采用傅里葉變換紅外光譜技術，對6/8英寸的SiC外延片進行非接觸式的外延層膜厚及整體均勻性的測量，該設備內置了兩套自主研發算法，實現緩沖層和外延層的計算，用戶可根據自身工藝、膜層厚度及晶圓生長結構進行算法選擇和調整。 FM200A-ZJS采用掠入射移相干涉技術，對2-8英寸SiC襯底片以及外延片的平坦度和厚度進行非接觸式的高精度測量。設備支持定制化數據分析功能開發及自定義被測晶圓的分選標準，可根據設定標準對晶圓進行分選下片。 WGP12T-ZJS采用空氣主軸帶動砂輪高速旋轉，以IN-Feed方式對8-12英寸晶圓進行磨削的減薄設備，可穩定實現厚度100μm以下的薄片化加工，可與貼膜機聯機使用，一次性完成晶圓撕貼膜作業。 WGP12THC-ZJS是根據當前先進封裝等市場需求開發的超精密晶圓減薄設備。集成先進的超精密磨削、CMP及清洗工藝，配置卓越的厚度偏差與表面缺陷控制技術，極大滿足了3DIC制造、先進封裝等領域中晶圓超精密減薄技術需求。
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