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科普丨SiC 800V高壓架構(gòu)解析

據(jù)悉,2024年北京車展配備SiC的車型超70款,如華為問(wèn)界M5、蔚來(lái)樂(lè)道L60、保時(shí)捷Macan EV等,SiC的應(yīng)用已經(jīng)鋪開,800V的SiC Mosfet已成為新能源汽車的標(biāo)配。

 

800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么?它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”?搭載800V SiC的新能源汽車到底如何升級(jí)駕乘體驗(yàn)?

01

什么是800V高壓架構(gòu)?

800V是一個(gè)比較寬泛的概念,并不是指整車的高壓電氣系統(tǒng)全時(shí)段都能達(dá)到800V,而是一個(gè)平均值,整車的電壓范圍在550V—950V范圍內(nèi),都可以稱為800V高壓平臺(tái)

談到800V,很多人下意識(shí)里認(rèn)為800V就是快充系統(tǒng)。實(shí)際上這個(gè)理解有些偏差,準(zhǔn)確地說(shuō),800V高壓快充只是800V高壓架構(gòu)中的一個(gè)系統(tǒng),還包括800V電池包、800V功率器件如電機(jī)、電空調(diào)等零部件。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),整個(gè)架構(gòu)的高壓方案是采用800V。

科普丨SiC 800V高壓架構(gòu)解析

 

02

800V高壓架構(gòu)的多種方案

第一種:全域800V

全域800V,即整車的電機(jī)、電池、電控、空調(diào)、DC-DC等電氣系統(tǒng)均支持800V。例如小鵬的G9,其搭載扶搖架構(gòu)的車型就是標(biāo)配全域800V高壓SiC碳化硅平臺(tái)。這種方案的優(yōu)勢(shì)在于電機(jī)電控迭代升級(jí),能量轉(zhuǎn)換效率高;但電驅(qū)的功率芯片需要用SiC功率器件全面替代IGBT晶體管,零部件成本高。

科普丨SiC 800V高壓架構(gòu)解析
第二種:局部800V

關(guān)鍵部件支持800V,比如電驅(qū)系統(tǒng)、電池支持800V,而空調(diào)等部件依舊采用400V,可以兼顧整車成本和驅(qū)動(dòng)效率的平衡,因?yàn)楫?dāng)前800V功率開關(guān)器件成本是400V級(jí)IGBT的數(shù)倍。這一方案能提升車輛的能耗表現(xiàn),比400V架構(gòu)的車型續(xù)航更實(shí)在。

科普丨SiC 800V高壓架構(gòu)解析
第三種:充電800V

僅電池支持800V高壓快充,其它部件均為400V。即整車搭載一個(gè)800V電池組,在電池組和其他高壓部件之間增加一個(gè)額外的DC-DC(DC-DC指直流轉(zhuǎn)直流電源(Direct Current)輸出直流電壓可高于或低于直流輸入電壓。將800V電壓降至400V,車上其他高壓部件仍采用400V電壓平臺(tái)。當(dāng)然這個(gè)800V電池組也可能是兩個(gè)400V電池組通過(guò)智能串并聯(lián)實(shí)現(xiàn)充電800V,放電400V。這一方案主要是解決快速補(bǔ)能問(wèn)題,也是目前幾乎所有800V車型都會(huì)配備的技術(shù),投入低,見效快。

 

03

為什么要引入800V高壓系統(tǒng)?

引入高壓系統(tǒng)的目的都是為了提升效率,包括時(shí)間效率和能量流轉(zhuǎn)效率。

提升充電功率的方式無(wú)非有兩種——要么提升電流I,要么提高電壓U(P=UI)。就像是水龍頭要在最快時(shí)間放滿一桶水,要么加快水流(I),要么加大水龍口徑(U)。

據(jù)熱量公式:P=I2*R來(lái)看,電阻R是固定的,那么充電過(guò)程中的發(fā)熱就只和電路中的電流I相關(guān),和電壓U無(wú)關(guān)。那么為了減少熱量損失,降低熱失控風(fēng)險(xiǎn),就要控制電流I的大小,但又要提升充電功率,那就只能加大電壓U了。選擇高壓系統(tǒng),既能保證一定充電功率提升充電效率,又能降低電流,減少熱損耗,可謂一舉兩得。

科普丨SiC 800V高壓架構(gòu)解析

 

04

SiC功率模塊,高電壓平臺(tái)的最佳搭檔

與動(dòng)力電池電壓一同提升的,往往還有一個(gè)新能源汽車上雖然不起眼,但是對(duì)車輛各方面性能表現(xiàn)至關(guān)重要的零部件——功率開關(guān)模塊。功率器件的性能,直接決定電動(dòng)汽車的加速、極速、電耗等核心性能表現(xiàn)。

科普丨SiC 800V高壓架構(gòu)解析
采用硅基IGBT功率開關(guān),由于本身的承壓能力所限,電池電壓很難超過(guò)700V,而得益于碳化硅的耐高壓特性,可以控制更高的系統(tǒng)電壓,因此被認(rèn)為是800V高壓平臺(tái)的最佳拍檔。

碳化硅具備高效率、低損耗、耐高溫等物理特性,可以將汽車的性能從1.0躍升到3.0,在功率密度、電子漂移飽和速度以及熱導(dǎo)率等方面可謂是全方位碾壓,大幅增加了汽車的續(xù)航里程和節(jié)省車內(nèi)空間。

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基于碳化硅材料的巨大潛力,2025年碳化硅MOSFET的滲透率預(yù)期普遍在20%左右,未來(lái)幾年內(nèi)IGBT仍將是電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)最主流的功率半導(dǎo)體器件。

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05

800V高壓技術(shù)能帶來(lái)怎樣的駕乘體驗(yàn)?

第一個(gè)直觀感受就是充電速度更快。例如最早推出800V快充的保時(shí)捷Taycan,能夠?qū)⒊潆姽β侍嵘?50kW,在22.5分鐘內(nèi)電量從5%充到80%,這對(duì)當(dāng)時(shí)動(dòng)輒需要1小時(shí)快充時(shí)間的400V車型來(lái)說(shuō)是質(zhì)的飛躍。

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其次是動(dòng)力性能更出色,800V高電壓平臺(tái)下電機(jī)逆變器功率密度更高,相同尺寸電機(jī)扭矩&功率更大,就像72V的電摩和36V的電瓶車,騎起來(lái)完全是兩種不同的體驗(yàn)。

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此外由于高壓平臺(tái)對(duì)能量的利用率更高,自然也會(huì)讓車輛的能耗控制更出色,續(xù)航更高。例如小鵬G9在上市時(shí)就邀請(qǐng)大家測(cè)試其高速續(xù)航達(dá)成率(高速續(xù)航/CLTC續(xù)航×100%)。800V的電機(jī)比400V的要輕,導(dǎo)線也可以更細(xì),疊加一些線纜和部件減少,可以減輕車身重量

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文章來(lái)源:江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司

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推薦活動(dòng)

碳化硅半導(dǎo)體加工技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)論壇(蘇州·7月4日)

01

會(huì)議議題

序號(hào)
暫定議題
擬邀請(qǐng)企業(yè)
1
8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟枰r底企業(yè)/高校研究所
2
大尺寸碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)痛點(diǎn)解析
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟鑶尉е苽淦髽I(yè)/高校研究所
3
新一代切片機(jī)“破局”8英寸碳化硅
擬邀請(qǐng)切割設(shè)備企業(yè)/高校研究所
4
激光技術(shù)在碳化硅切割及劃片上的應(yīng)用
擬邀請(qǐng)激光企業(yè)/高校研究所
5
液相法制備碳化硅技術(shù)
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟杵髽I(yè)/高校研究所
6
國(guó)產(chǎn)MBE設(shè)備應(yīng)用及發(fā)展情況
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟柰庋悠髽I(yè)/高校研究所
7
SiC MOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解決方案
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟杵骷髽I(yè)/高校研究所
8
車用碳化硅加工工藝與要點(diǎn)研究
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟杓庸て髽I(yè)/高校研究所
9
利用碳化鉭的碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟杵髽I(yè)/高校研究所
10
碳化硅襯底研磨拋光工藝及耗材技術(shù)
擬邀請(qǐng)研磨拋光設(shè)備企業(yè)/高校研究所
11
適用于8英寸碳化硅的先進(jìn)切割工藝
擬邀請(qǐng)切割設(shè)備企業(yè)/高校研究所
12
化學(xué)機(jī)械拋光在碳化硅上的反應(yīng)機(jī)理
擬邀請(qǐng)拋光設(shè)備企業(yè)/高校研究所
13
碳化硅襯底及外延缺陷檢測(cè)技術(shù)
擬邀請(qǐng)檢測(cè)設(shè)備企業(yè)/高校研究所
14
8英寸碳化硅外延材料生長(zhǎng)核心工藝與關(guān)鍵裝備
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟柰庋悠髽I(yè)/高校研究所
15
外延摻雜技術(shù)的優(yōu)化與改進(jìn)
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟柰庋悠髽I(yè)/高校研究所
16
8英寸碳化硅的氧化工藝技術(shù)
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟杵髽I(yè)/高校研究所
17
碳化硅離子注入設(shè)備技術(shù)
擬邀請(qǐng)離子注入企業(yè)/高校研究所
18
高純度碳化硅粉末制備碳化硅晶體
擬邀請(qǐng)激光企業(yè)/高校研究所
19
碳化硅先進(jìn)清洗技術(shù)
擬邀請(qǐng)清洗設(shè)備企業(yè)/高校研究所
20
碳化硅關(guān)鍵裝備的現(xiàn)狀及國(guó)產(chǎn)化思考
擬邀請(qǐng)?zhí)蓟柙O(shè)備企業(yè)/高校研究所
更多相關(guān)議題征集中,演講及贊助請(qǐng)聯(lián)系張小姐:13418617872 (同微信)
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擬邀企業(yè)

  • 高純碳粉、硅粉、碳化硅粉末、坩堝、籽晶等材料企業(yè);
  • 晶錠、襯底、外延、晶圓等產(chǎn)品企業(yè);
  • 碳化硅晶體、外延生長(zhǎng)等設(shè)備企業(yè);
  • 金剛石線切割、砂漿線切割、激光切割等切割設(shè)備企業(yè);
  • 碳化硅磨削、研磨、拋光和清洗及耗材等企業(yè);
  • 檢測(cè)、退火、減薄、沉積、離子注入等其他設(shè)備企業(yè);
  • 高校、科研院所、行業(yè)機(jī)構(gòu)等;
……

03

報(bào)名方式

方式1:請(qǐng)加微信并發(fā)名片報(bào)名
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?肖小姐/Nico:13684953640
ab012@aibang.com
演講或贊助聯(lián)系 Elaine?張:134?1861?7872(同微信)
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方式2:長(zhǎng)按二維碼掃碼在線登記報(bào)名
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04

收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)

付款時(shí)間
1~2個(gè)人(單價(jià)每人)
3個(gè)人及以上(單價(jià))
6月2日前
2700/人
2600/人
7月2日前
2800/人
2700/人
現(xiàn)場(chǎng)付款
3000/人
2800/人
費(fèi)用包括會(huì)議門票、全套會(huì)議資料、午餐、茶歇等,但不包括住宿。

05

贊助方案

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作者 liu, siyang

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