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解鎖陶瓷新境界:實現陶瓷材料100%理論密度,消除殘余孔隙!

在追求極致性能的工業陶瓷領域,一種名為“等靜壓”的神奇工藝正逐漸嶄露頭角。今天,讓Quintus為您介紹旗下的等靜壓技術,一起揭開這種神秘工藝的面紗,看看它是如何助力先進陶瓷達到前所未有的高度!

解鎖陶瓷新境界:實現陶瓷材料100%理論密度,消除殘余孔隙!

熱等靜壓

最大程度改善先進陶瓷特性

熱等靜壓(HIP)工藝是生產先進陶瓷的最佳工藝,適用于要求全密度、 最小晶粒生長水平、極限強度和高可靠性的應用。

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醫療植入物

目前發展最快的先進陶瓷應用有醫療植入物、熱等靜壓SN混合陶瓷軸承和透明陶瓷。

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熱等靜壓SN 混合陶瓷軸承

實現材料100%的理論密度

? 調整燒結溫度,使用高等靜壓力,實現最小晶粒生長。

??實現最大強度及可靠性、硬度和透明度。

極大提升生產效率

??利用接觸點處的高氣壓,以及高密度 壓縮氣體(高達 0.5 kg/dm3)的浮力效應,可堆疊部件,而無需考慮粘連或凹陷風險。

廣泛應用于

??用于混合陶瓷軸承部件的熱等靜壓SN

??用于醫療植入物的 ZTA、ATZ和熱等靜壓SN

??用于激光增益、防刮窗口、裝甲等方面的透明陶瓷

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透明陶瓷

對于采用任何粉末壓實法(CIP、AM、CIM、軸向壓制等)成型和燒結的先進陶瓷部件,使用HIP進行最終致密化可消除殘余孔隙,即使對于液相燒結體系也可獲益。

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使用HIP提高部件在500 MPa載荷下的強度時,計算對失效概率F的影響(韋伯模量常數,m=15)。

Quintus的HIP系統憑借高達207 MPa的額定壓力和2000°C的極限溫度,足以將大多數陶瓷材料壓實到接近100%的最大理論密度,同時將晶粒生長降至最低水平。大多數材料的標準工藝氣體為氬氣,而氮化物可以使用100%的氮氣進行加工。不論是強度、可靠性還是硬度、透明度,Quintus HIP都能為你量身打造!

新型 HPHTTM:HIP的進階版

Quintus不斷探索HIP工藝的新功能,以滿足客戶的多樣化需求。目前,Quintus高壓熱處理功能已經在金屬系統中得到應用,并正在評估將其拓展至先進陶瓷領域。憑借Steered cooling?等特性,HPHTTM可實現性能定制、加強工藝控制并提高生產效率,Quintus Purus? 則可確保工藝氣氛和使用壽命。

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制備完全透明非立方多晶氧化鋁的技術:使用納米級均勻粉末,在最低溫度下燒結以達到氣密狀態,并施加最大壓力將所需溫度保持在最低水平,以免晶粒生 長到超過可見光波長的尺寸,再HIP至>99.99% 的理論密度。由 Quintus Technologies、POLYCTRYSTAL design GmbH 和 Lithoz GmbH 合作提供。

冷等靜壓/溫等靜壓

陶瓷的起點

冷等靜壓或溫等靜壓(CIP/WIP)是固結大型陶瓷或難熔金屬粉末部件以及現有最大等靜壓石墨部件前驅體塊的首選方法。CIP/WIP技術不僅是固結陶瓷粉末獲得均勻高密度的最快方法,還能確保高效且低成本的生產。

為什么選擇 CIP/WIP:

? 將粉末固結到均勻性最佳的“生胚態”,從而可達到理想的最終性能。

??對于長徑比高且形狀復雜的大型粉末部件,實現最佳均勻性。

??減少性能離散性,實現最大可靠性。

在環境溫度或高達145°C的溫度下,在直徑達2.5米的鋼絲纏繞壓力容器中施加1000至 ? 6000 bar之間的壓力,CIP/WIP可以實現非韌性粉末的最高生坯密度水平。韌性粉末的密度 水平可接近 100% 的理論密度,為通過燒結和HIP工藝實現最終致密化創造了最佳起點。

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通過單軸壓制或等靜壓制時 3:1 (D:h) 棒體中的生坯密度分布

等靜壓特別適用于長徑比高且形狀復雜的大型部件或坯料,而單軸壓實法可能在壓力點之 間產生較大密度梯度。

選擇CIP/WIP,讓陶瓷生產更高效

CIP/WIP普遍應用于各種材料的固結,包括陶瓷粉末、等靜壓石墨、難熔金屬和電絕緣體。CIP/WIP技術不僅能幫助你獲得均勻高密度的陶瓷生坯,還能確保高效且低成本的生產。這種技術已經廣泛應用于濺射靶材、大尺寸陶瓷部件、電子元件和固態電池材料等多個領域。經過CIP/WIP固結的部件,在HIP的進一步加工下,更能實現全密度并提高機械特性。

解鎖陶瓷新境界:實現陶瓷材料100%理論密度,消除殘余孔隙!
解鎖陶瓷新境界:實現陶瓷材料100%理論密度,消除殘余孔隙!

待壓實的陶瓷或金屬初始粉末、帶有多個陶瓷元件的電路板、PVD 濺射光伏電路和大型陶瓷球。

等靜壓工藝,讓先進陶瓷的生產變得更為高效、可靠。無論是HIP還是CIP/WIP,它們都是陶瓷行業不可或缺的利器。如果你也在追求陶瓷材料的極致性能,不妨嘗試一下等靜壓工藝吧!

 

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作者 gan, lanjie

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