愛仕特官微6月20日宣布，近日公司成功實(shí)現(xiàn)3300V/60A 碳化硅 MOSFET 的規(guī)模量產(chǎn)和交付。這一里程碑式的成就標(biāo)志著公司在高壓大功率電子器件領(lǐng)域的突破，有效打破了國外碳化硅廠商的市場壟斷。

愛仕特3300V系列碳化硅MOSFET

目前，成功研制出3300V碳化硅MOSFET的國內(nèi)碳化硅器件廠商仍是寥寥無幾，據(jù)全網(wǎng)最新公開數(shù)據(jù)，愛仕特是國內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)3300V/60A 碳化硅MOSFET的廠商。

自2018年研制出3300V 碳化硅 MOSFET樣品以來，愛仕特科技經(jīng)過多年的研發(fā)和優(yōu)化，成功推出了耐壓高達(dá)3300V、導(dǎo)通電阻僅為58mΩ的產(chǎn)品，可承載高達(dá)60A的電流。該產(chǎn)品的成功量產(chǎn)和市場交付，體現(xiàn)了愛仕特在SiC功率器件領(lǐng)域的卓越研發(fā)能力和先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)。

愛仕特3300V/60A碳化硅MOSFET采用新型TO-247-4L封裝設(shè)計(jì)，具有高耐壓能力、低導(dǎo)通電阻、高溫穩(wěn)定性、高開關(guān)速度和高功率密度等多項(xiàng)優(yōu)勢。這些特點(diǎn)使得該產(chǎn)品可以在-55°C至175°C的極端溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，適用于3C電子、新能源、汽車電子、五金家電等多個(gè)行業(yè)的需求。

通過使用自主研發(fā)的碳化硅芯片，愛仕特不僅提升了產(chǎn)品的性能，還通過優(yōu)化制程，降低了芯片成本近15%，在同等規(guī)格下，其芯片面積比國內(nèi)同行小15%至20%，為客戶創(chuàng)造更大的經(jīng)濟(jì)效益。

來源：愛仕特官微

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