Nexperia 6月27日在官網(wǎng)表示，將投資 2億美元（約合14億人民幣）開(kāi)發(fā)SiC/GaN，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施，擴(kuò)大產(chǎn)能。
為了滿足對(duì)高效功率半導(dǎo)體不斷增長(zhǎng)的長(zhǎng)期需求，這三種技術(shù)（SiC、GaN和Si）都將從2024年6月開(kāi)始在德國(guó)研發(fā)和生產(chǎn)。這意味著Nexperia正在支持電氣化和數(shù)字化領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。SiC和GaN半導(dǎo)體使數(shù)據(jù)中心等耗電量大的應(yīng)用能夠以卓越的效率運(yùn)行，并且是可再生能源應(yīng)用和電動(dòng)汽車(chē)的核心組成部分。這些WBG技術(shù)具有巨大的潛力，對(duì)于實(shí)現(xiàn)脫碳目標(biāo)越來(lái)越重要。Nexperia德國(guó)公司總經(jīng)理表示:"未來(lái)安世半導(dǎo)體的漢堡工廠將覆蓋WBG半導(dǎo)體的全部產(chǎn)品，同時(shí)仍然是最大的小型信號(hào)二極管和晶體管工廠。”第一條高壓GaN D型晶體管和 SiC二極管生產(chǎn)線于2024年6月啟動(dòng)。下一個(gè)里程碑將是用于SiC MOSFET和GaN HE MT的200 mm生產(chǎn)線。這些將在未來(lái)兩年內(nèi)在漢堡工廠建立。同時(shí)，這項(xiàng)投資將有助于進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)漢堡工廠現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施的自動(dòng)化，并通過(guò)系統(tǒng)化轉(zhuǎn)換到200毫米硅片來(lái)擴(kuò)大硅生產(chǎn)能力。在清潔室面積擴(kuò)大后，正在建造新的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，以繼續(xù)確保今后從研究到生產(chǎn)的無(wú)縫過(guò)渡。來(lái)源：安世半導(dǎo)體官網(wǎng)原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：安世半導(dǎo)體將在德國(guó)投資14億元，擴(kuò)大SiC/GaN產(chǎn)能
