Nexperia 6月27日在官網表示，將投資 2億美元（約合14億人民幣）開發SiC/GaN，并在漢堡工廠建立生產基礎設施，擴大產能。
為了滿足對高效功率半導體不斷增長的長期需求，這三種技術（SiC、GaN和Si）都將從2024年6月開始在德國研發和生產。這意味著Nexperia正在支持電氣化和數字化領域的關鍵技術。SiC和GaN半導體使數據中心等耗電量大的應用能夠以卓越的效率運行，并且是可再生能源應用和電動汽車的核心組成部分。這些WBG技術具有巨大的潛力，對于實現脫碳目標越來越重要。
Nexperia德國公司總經理表示:"未來安世半導體的漢堡工廠將覆蓋WBG半導體的全部產品，同時仍然是最大的小型信號二極管和晶體管工廠。”
第一條高壓GaN D型晶體管和 SiC二極管生產線于2024年6月啟動。下一個里程碑將是用于SiC MOSFET和GaN HE MT的200 mm生產線。這些將在未來兩年內在漢堡工廠建立。
同時，這項投資將有助于進一步實現漢堡工廠現有基礎設施的自動化，并通過系統化轉換到200毫米硅片來擴大硅生產能力。在清潔室面積擴大后，正在建造新的研發實驗室，以繼續確保今后從研究到生產的無縫過渡。
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：安世半導體將在德國投資14億元，擴大SiC/GaN產能
