2月24日，聯華電子股份有限公司宣布，董事會通過在新加坡Fab12i廠區擴建一座嶄新的先進晶圓廠計劃。新廠第一期的月產能規劃為30000片晶圓，預計于2024年底開始量產，有助紓解產業趨勢帶動的芯片短缺。

聯電這座新廠(Fab12i P3)是新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一，提供22/28納米制程，總投資金額為50億美元。聯華電子在新加坡投入12吋晶圓制造廠的營運已超過20年，新加坡Fab12i廠也是聯電的先進特殊制程研發中心。加計Fab12i 的擴建計劃，聯電在2022年的資本支出預算將提高至36億美元。

由于5G、物聯網和車用電子大趨勢的帶動，對聯電 22/28納米制程需求的前景強勁，因此新廠所擴增的產能也簽訂了長期的供貨合約，以確保2024年后對客戶產能的供應。新廠生產的特殊制程技術，如嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性內存、RFSOI及混合信號CMOS等，在智能型手機、智能家庭設備和電動車等廣泛應用上至為關鍵。我們期望這座新廠能在滿足這些市場強勁的需求上扮演重要角色，特別是協助紓解22/28奈米晶圓產能結構性的短缺。

聯電董事長洪嘉聰表示：”非常高興能夠擴大聯電在新加坡的12吋晶圓廠營運，這將使聯電的制造能量進一步朝多元化邁進。在過去的二十年里，聯電受益于新加坡透過完善的基礎設施、產業鏈以及人力資源來吸引高科技公司的愿景。新加坡Fab12i廠是聯電的旗艦創新中心，與客戶合作新的研發項目并將在新廠上線后立刻投入生產。近期半導體供應短缺已明確點出半導體供應鏈必須提高透明度，共同降低風險。此次擴廠投資是聯電與重要客戶朝共同目標緊密合作的成果，我們將會在提升供應鏈產能與創造客戶的長期成功上，盡最大的努力。”

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：聯電宣布在新加坡設立22納米新廠