5月13日，意法半導體（STMicroelectronics，ST）和 MACOM宣布宣布成功生產射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。
RF GaN-on-Si為 5G 和 6G 基礎設施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) 主導了早期射頻功率放大器 (PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN 可以提供比 LDMOS 更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅 (SiC) 晶片上制造。由于高功率應用對 SiC 晶圓的競爭以及其非主流半導體加工，RF GaN-on-SiC 可能會更昂貴。另一方面，意法半導體和 MACOM 正在開發的 GaN-on-Si 技術有望通過集成到標準半導體工藝流程中實現巨大的規模經濟，具有競爭力。意法半導體制造的原型晶圓和器件已實現成本和性能目標，使其能夠有效地與市場上現有的LDMOS 和 GaN-on-SiC 技術競爭。這些原型現在正在邁向下一個重要里程碑——認證和工業化，意法半導體的目標是在 2022 年實現這一里程碑。隨著這一進展，意法半導體和 MACOM 已經開始進一步研究以加快向市場交付先進射頻 GaN-on-Si 產品的速度。意法半導體功率晶體管子集團總經理兼執行副總裁 Edoardo Merli 表示：“我們相信，該技術現在已經達到了性能水平和工藝成熟度，可以有效地挑戰現有的 LDMOS 和 GaN-on-SiC，我們可以為包括無線基礎設施、商業化在內的大批量應用提供成本和供應鏈優勢，將RF GaN-on-Si產品商業化是我們與 MACOM 合作的下一個重要里程碑，隨著不斷的進步，我們期待著充分發揮這一激動人心的技術的潛力。”MACOM 總裁兼首席執行官Stephen G. Daly 表示：“我們一起在推動GaN-on-Si 技術走向商業化和大批量生產方面繼續取得良好進展，我們與 ST 的合作是我們射頻功率戰略的重要組成部分，我相信我們可以在GaN-on-Si技術滿足要求的目標應用中贏得市場份額。”原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：意法半導體與MACOM成功生產射頻硅基氮化鎵原型
