8月19日，三星電子在韓國器興的新半導體研發中心破土動工，旨在擴大其在最先進半導體技術方面的領導地位。三星電子計劃到 2028 年在其器興園區內占地約 109,000 平方米的區域內投資約 20 萬億韓元。新設施將引領內存和系統半導體的下一代設備和工藝的先進研究，以及基于長期路線圖的創新新技術的開發。隨著新研發設施的建立，三星電子正在尋求克服半導體規模的限制并鞏固其在半導體技術方面的競爭優勢。三星電子的器興園區位于首爾南部，靠近 DS 事業部的華城園區，是 1992 年世界上第一個 64Mb DRAM 的誕生地，標志著該公司半導體領導地位的開始。新的器興研發設施與華城研發線和世界上最大的半導體生產基地平澤一起，也有望提升三星在大都市區的三個主要半導體綜合體之間的協同作用。原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：三星電子在韓國器興的新半導體研發中心破土動工
