杭州士蘭微電子股份有限公司發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵 SiC 功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè) SiC 器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn) 2000 片6 英寸 SiC 芯片的生產(chǎn)能力。
士蘭微目前已完成第一代平面柵 SiC-MOSFET 技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平，并已將 SiC-MOSFET 芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評(píng)測(cè)，即將向客戶送樣。
作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，SiC 具有寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高壓、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體器件材料。在新能源汽車領(lǐng)域，SiC 功率半導(dǎo)體主要用于驅(qū)動(dòng)和控制電機(jī)的逆變器、車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、車載充電器（OBC）等。車載充電器和充電樁使用 SiC 器件后將充分發(fā)揮高頻、高溫和高壓三方面的優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)充電系統(tǒng)高效化、小型化和高可靠性。
據(jù)介紹，廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司是由杭州士蘭微電子股份有限公司（持股34.72%）與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（持股65.28%）共同出資設(shè)立，計(jì)劃投資50億元分兩期建設(shè)一條 4/6 吋兼容的化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線。截至 2021 年底，士蘭明鎵已完成第一期 20 億元的投資，形成了每月 7.2 萬(wàn)片 4 英寸 GaN 和 GaAS 高端 LED 芯片的產(chǎn)能，其產(chǎn)品在小間距顯示、mini LED 顯示屏、紅外光耦、安防監(jiān)控、車用 LED 等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。士蘭明鎵于2022年7月正式啟動(dòng)化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)項(xiàng)目，即"SiC 功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目"，計(jì)劃投資 15 億元，建設(shè)一條 6 吋 SiC 功率器件芯片生產(chǎn)線，最終形成年產(chǎn) 14.4 萬(wàn)片 6 吋 SiC 功率器件芯片的產(chǎn)能，其中 SiC-MOSFET 芯片 12 萬(wàn)片/年、SiC-SBD 芯片 2.4 萬(wàn)片/年。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：士蘭明鎵 SiC 功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè) SiC 器件芯片已投片成功
