據(jù)中電科官網(wǎng)消息，近日，中國(guó)電科46所成功制備出2英寸氧化鎵同質(zhì)外延片，實(shí)現(xiàn)在該領(lǐng)域的再次突破。

走進(jìn)緊張忙碌的新型半導(dǎo)體材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，一臺(tái)臺(tái)單晶和外延生長(zhǎng)設(shè)備映入眼簾，在這些看似神秘的裝置里，白色氧化鎵粉末聚沙成塔默默生長(zhǎng)，由它打磨而成的拋光片、外延片，制作成的各類器件，在消費(fèi)電子、新能源汽車、特高壓輸電、軌道交通等領(lǐng)域有著廣闊應(yīng)用前景。

氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體材料可謂"天資卓越"，超大禁帶寬度使其能用更少材料制造出更高耐壓、更強(qiáng)處理能力的半導(dǎo)體器件。面對(duì)氧化鎵自主創(chuàng)新重任，46所實(shí)施揭榜掛帥，突破2英寸、4英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)，研制出高耐壓外延片，為實(shí)現(xiàn)氧化鎵批量生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

這是中國(guó)電科加快關(guān)鍵基礎(chǔ)材料自主創(chuàng)新的生動(dòng)實(shí)踐。

堅(jiān)持把科技命脈掌握在自己手中，46所以超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新為引領(lǐng)，以硅外延產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)為依托，加快突破先進(jìn)硅材料和化合物半導(dǎo)體材料原創(chuàng)技術(shù)。

從率先研制出滿足深紫外探測(cè)要求的高透氮化鋁單晶，技術(shù)領(lǐng)先的同帶泵浦激光光纖，到大幅提升6英寸砷化鎵單晶材料電阻率，從形成硅單晶、硅片、硅外延等完整產(chǎn)業(yè)鏈，到光纖環(huán)圈產(chǎn)能產(chǎn)量實(shí)現(xiàn)翻番增長(zhǎng)。近年來，立足電子功能材料領(lǐng)域深厚基礎(chǔ)，46所聚焦"打基礎(chǔ)、見成效、跨越式發(fā)展"三步走目標(biāo)，全面布局一代、二代、三代、四代半導(dǎo)體"賽道"，奮力實(shí)現(xiàn)系列創(chuàng)新突破。

創(chuàng)新實(shí)力穩(wěn)步提升，為產(chǎn)業(yè)應(yīng)用提供了硬支撐。

全力推進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，46所加快布局第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，不斷延鏈擴(kuò)鏈強(qiáng)鏈，不斷提升行業(yè)地位和影響力，勇?lián)a(chǎn)業(yè)鏈"鏈長(zhǎng)"，奮力打造國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、世界先進(jìn)的材料創(chuàng)新發(fā)展集群，支撐我國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。

來源：中電科官網(wǎng)

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