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長(zhǎng)飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶光谷
助力打造化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地
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8月25日,東湖高新區(qū)管委會(huì)與長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目合作協(xié)議書(shū)。
長(zhǎng)飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元,其中項(xiàng)目一期總投資100億元,可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓,包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等 ,將助力武漢打造國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。

總投資超200億!長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地落戶光谷長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)

安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司專注于碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造,擁有國(guó)內(nèi)一流的產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng),具備從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。

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