干法刻蝕（Dry Etching）是使用氣體刻蝕介質。常用的干法刻蝕方法包括物理刻蝕（如離子束刻蝕）和化學氣相刻蝕（如等離子體刻蝕）等。

與干法蝕刻相比，濕法刻蝕使用液體刻蝕介質，通常是一種具有化學反應性的溶液或酸堿混合液。這些溶液可以與待刻蝕材料發生化學反應，從而實現刻蝕。硅濕法刻蝕是一種相對簡單且成本較低的方法，通常在室溫下使用液體刻蝕介質進行。

然而，與干法刻蝕相比，它的刻蝕速度較慢，并且還需要處理廢液。每個目標物質都需要選擇不同的化學溶液進行刻蝕，因為它們具有不同的固有性質。例如，在刻蝕SiO2時，主要使用HF；而在刻蝕Si時，主要使用HNO3。因此，在該過程中選擇適合的化學溶液至關重要，以確保目標物質能夠充分反應并被成功去除。

“各向同性”和“各向異性”

在介紹濕法蝕刻和干法蝕刻的區別時，必不可少的詞是“各向同性”和“各向異性”。各向同性是指物質和空間的物理性質不隨方向變化，各向異性是指物質和空間的物理性質隨方向不同而不同。各向同性蝕刻是指在某一點周圍蝕刻進行相同量的情況，各向異性蝕刻是指蝕刻在某一點周圍根據方向不同進行的情況。例如，在半導體制造過程中的刻蝕中，往往選擇各向異性刻蝕，以便只刮削目標方向，而留下其他方向。

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原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：干法刻蝕與濕法刻蝕的區別