Dry Chemicals 近日開發出一種工藝可以將功率半導體材料碳化硅（SiC）晶圓的制造成本降低 20-30%。該工藝在晶錠上進行凹槽加工，使晶圓切片更平整，減少了晶圓表面研磨、拋光等后處理所需的步驟。該公司將于 10 月份開始晶圓代加工和制造設備對外銷售，預計第一年銷售 5 至 10 臺設備。

預先用磨石在晶錠要切割的位置處切割出圓周凹槽，這些凹槽起到引導鋼鋸的作用，從而可以更精確地切割晶片。"SiC 晶體特別硬，切割時會發生漂移。如果有凹槽，砂粒可以有效地進入，從而很難發生漂移。"通過這樣的方法最大限度地減少對晶片表面的損傷。

對于厚度為 15 毫米的硅錠，可以切割 20 個凹槽，"磨石最多可以切割 40 毫米。這樣的話，可以切割得到 75 片晶圓。"

另外，通常在切割后需要進行斜角（斜面）工藝來修整每個晶片的邊緣，但據介紹："當在晶錠上放置凹槽時也會形成斜角，因此不需要該工藝。而且，由于單晶圓加工變成批量加工，效率進一步提高。"因此，成品只需鏡面研磨、化學機械拋光（CMP）、清潔和切割后立即檢查即可。

"研磨后的 Ra（表面粗糙度）已達到 0.5 納米以下，而通常需要兩個階段的1.0納米（納米是1/10億）"。因此，通常需要兩步的 CMP 可以一步完成，從而減少了化學品的使用量以及研磨和拋光廢物的量。

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：日本采用新工藝將 SiC 晶圓制造成本降低 30%