目前 IGBT/SiC 發(fā)展方興未艾，前景廣闊，成為各行各業(yè)尤其是新能源等方向的發(fā)展新風(fēng)口。據(jù)小編統(tǒng)計，僅在10月，已有三安光電、科友半導(dǎo)體、欣銳科技、凌銳半導(dǎo)體、基本半導(dǎo)體、安世半導(dǎo)體、京瓷、東芝、意法半導(dǎo)體、安森美等 30 余家企業(yè)通過投融資并購、簽署合作訂單、項目簽約及開工投產(chǎn)、發(fā)布新品新技術(shù)等方式在 IGBT/SiC 方面助力第三代半導(dǎo)體發(fā)展。其中 7 家企業(yè)通過投融資助力，8 家企業(yè)簽署合作訂單、8 家企業(yè)有項目簽約或開工投產(chǎn)、10 家企業(yè)發(fā)布推出相關(guān)新品。3）相干公司碳化硅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將獲得 DENSO 和三菱電機 10 億美元的投資5）德智新材完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資，助力碳化硅部件國產(chǎn)替代1）安世半導(dǎo)體與京瓷 AVX合作生產(chǎn)650 V 碳化硅整流器模塊4）賽米控丹佛斯與SK Inc. 簽署SiC合作協(xié)議1）順為科技集團IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項目簽約2）乾晶半導(dǎo)體碳化硅襯底項目中試線主廠房結(jié)頂3）杰平方半導(dǎo)體擬69億元在香港設(shè)立碳化硅8寸先進垂直整合晶圓廠4）芯未半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬片IGBT芯片一期項目全面通線投產(chǎn)5）正齊半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬顆功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目簽約6）三安光電8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)、車規(guī)MOS驗證提速7）安森美韓國碳化硅工廠擴建正式落成，8英寸晶圓年產(chǎn)能上限將突破100萬片8）賽晶第二條IGBT封裝測試線正式投產(chǎn)1）英飛凌發(fā)布3款I(lǐng)GBT新品2）東芝第3代碳化硅MOSFET新產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)3）科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線5）宏微科技IGBT模塊產(chǎn)品已完成問界新款車型主驅(qū)產(chǎn)品定點驗證測試6）凌銳半導(dǎo)體推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS7）羅姆新增SiC和IGBT模型，可提供超過3,500種LTspice?模型8）宇晶股份即將上線新品碳化硅襯底加工關(guān)鍵裝備9）基本半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅年度新品10）意法半導(dǎo)體新品車規(guī)雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置?
10月8日，忱芯科技（UniSiC）宣布已于近日完成億元戰(zhàn)略融資，本輪融資由火山石投資、華潤旗下潤科基金、老股東武岳峰科創(chuàng)聯(lián)合投資，融資資金將主要用于忱芯科技前瞻產(chǎn)品的研發(fā)，以及量產(chǎn)產(chǎn)品的全球化布局。
10 月 9 日，臻驅(qū)科技宣布完成D輪超6億元人民幣融資。該輪融資由君聯(lián)資本和元禾辰坤聯(lián)合領(lǐng)投，C資本、新尚資本、華泰寶利投資、敦成投資、九頌繁星、奧飛娛樂創(chuàng)始人兼總裁蔡曉東等多家頭部投資機構(gòu)共同參與投資。此次融資將主要用于業(yè)務(wù)爆發(fā)階段的運營現(xiàn)金流補充，產(chǎn)能擴建，研發(fā)下一代功率模塊、功率磚和碳化硅技術(shù)。過去1個月，臻驅(qū)科技相繼完成了 C+輪沃爾沃汽車科技基金（Volvo Car Technology Fund AB）戰(zhàn)略融資和D輪融資。至此，年內(nèi)已獲得包括產(chǎn)業(yè)資本、私募股權(quán)投資、國有投資平臺、保險資金等各類投資人的支持與認可。3.相干公司碳化硅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將獲得DENSO和三菱電機10億美元的投資10月10日，日本電裝株式會社及三菱電機株式會社宣布向美國光電子產(chǎn)品生產(chǎn)商相干（Coherent）的碳化硅業(yè)務(wù)獨立子公司分別投資5億美元，各獲得12.5%的非控股權(quán)益。電裝與三菱電機將向這家公司采購150mm和200mm碳化硅晶圓。
根據(jù)交易條款，電裝和三菱電機將各投資5億美元，以獲得Coherent 碳化硅業(yè)務(wù)12.5%的非控股所有權(quán)，Coherent 擁有剩余75%的所有權(quán)。在交易完成之前，Coherent 將把SiC業(yè)務(wù)剝離出來，成立新的子公司獨立運營，子公司由碳化硅功率器件和模塊領(lǐng)域的2大領(lǐng)先企業(yè)電裝和三菱電機進行戰(zhàn)略投資。10月19日，長沙安牧泉智能科技有限公司宣布已于近日順利完成超4億元C輪融資。本輪融資由湘江國投、華金資本領(lǐng)投，聯(lián)想創(chuàng)投聯(lián)投，深投控資本、長江資本、深圳智慧城市產(chǎn)投、東方富海、蘇州乾融資本跟投。本輪融資募集資金，將主要用于公司3萬平米二期基地的擴產(chǎn)建設(shè)，以及先進封裝技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新，更好滿足國內(nèi)高端芯片客戶不斷增長的需求。5.德智新材完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資，助力碳化硅部件國產(chǎn)替代10月27日，湖南德智新材料有限公司表示已于近日完成數(shù)億元人民幣的戰(zhàn)略融資，此次融資將主要用于德智新材株洲、無錫兩地產(chǎn)能擴建與研發(fā)投入，助力國產(chǎn)替代。
目前，德智新材已開發(fā)LED外延設(shè)備用組件、三代半外延設(shè)備用組件、硅基外延設(shè)備用組件、SiC刻蝕環(huán)、SiC晶舟等一系列半導(dǎo)體用SiC部件制品。其中，德智新材在12寸大硅片外延用SiC涂層石墨盤、實體SiC刻蝕環(huán)產(chǎn)品實現(xiàn)技術(shù)突破，成為國內(nèi)極少具備量產(chǎn)能力的領(lǐng)先企業(yè)。?
10月30日，中瑞宏芯半導(dǎo)體宣布于近日完成近億元人民幣的產(chǎn)投融資，由光伏微逆領(lǐng)頭公司禾邁股份（股票代碼688032）和頭部汽車電子供應(yīng)商納芯微（股票代碼688052）聯(lián)合投資。本輪融資將繼續(xù)用于碳化硅器件的技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新、生產(chǎn)運營及市場拓展，全方位提升中瑞宏芯在SiC功率半導(dǎo)體行業(yè)的核心競爭力。
10月30日，特思迪宣布完成B輪融資，本輪融資將進一步推動特思迪在技術(shù)突破、產(chǎn)能擴充、產(chǎn)品研發(fā)、產(chǎn)業(yè)布局、人才引進等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的發(fā)展進程，加快8寸碳化硅等半導(dǎo)體材料磨拋設(shè)備國產(chǎn)化。
1.安世半導(dǎo)體與京瓷 AVX合作生產(chǎn)650 V 碳化硅整流器模塊10月4日，半導(dǎo)體專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布與國際領(lǐng)先的先進電子元件供應(yīng)商 KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作伙伴關(guān)系，合作生產(chǎn)新型 650 V 20 A 碳化硅 (SiC) 整流器模塊，用于從 3 kW 到 11 kW 功率堆棧設(shè)計的高頻功率應(yīng)用、工業(yè)電源、電動汽車充電站和車載充電器等應(yīng)用。此次聯(lián)手將進一步深化兩家公司之間現(xiàn)有的長期合作伙伴關(guān)系。安世半導(dǎo)體預(yù)計新型 SiC 整流器模塊的樣品將于 2024 年第一季度提供。
10月8日，芯塔電子（安徽芯塔電子科技有限公司）宣布與南京博蘭得電子科技有限公司在器件供應(yīng)、市場拓展、應(yīng)用開發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新、資源整合等方面合作達成一致，共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。芯塔電子SiC MOSFET已批量出貨南京博蘭得20KW直流充電模塊產(chǎn)品。基于博蘭得專利技術(shù)，該產(chǎn)品采用SiC方案后，可做到全范圍高效輸出，峰值效率可達97.5%，平均滿載效率高于96%，領(lǐng)先業(yè)界平均水平2%。? ?
10月11日， 欣銳科技（深圳欣銳科技股份有限公司（300745.SZ））宣布與ST Microelectronics卡塔尼亞公司雙方高層會晤并展開深度交流，此次交流將涉及從設(shè)計初期就開發(fā)創(chuàng)新的車載充電機OBC系統(tǒng)解決平臺方案，雙方達成一致并展開深度戰(zhàn)略合作。? ?
欣銳科技是全球最早實現(xiàn)碳化硅并批量交付的企業(yè)之一，第三代半導(dǎo)體SiC MOSFET應(yīng)用的全球領(lǐng)航企業(yè)，開發(fā)的碳化硅雙向OBC產(chǎn)品出貨量已過百萬件。ST是欣銳科技的半導(dǎo)體供應(yīng)商，早在2015年雙方就展開了合作，一直保持著友好穩(wěn)定的合作關(guān)系。
4.賽米控丹佛斯與SK Inc. 簽署SiC合作協(xié)議10月24日，SK Inc. 與賽米控丹佛斯簽署協(xié)議，探討合作方案，聚焦碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，并將在近期成立聯(lián)合工作組（TF）。SK集團方面表示，與賽米控-丹佛斯的簽約有助于加強SK Chemicals子公司（包括SK Siltron 和SK powertech）之間的協(xié)同效應(yīng)，并探索加強碳化硅領(lǐng)域競爭力的方法。? ?
10月28日，賽米控丹佛斯宣布已與韓國 SK 集團的控股和投資公司 SK Inc. 簽署諒解備忘錄 (MOU)，將共同致力于推進技術(shù)和解決方案以應(yīng)對影響當(dāng)今世界的五個全球大趨勢：氣候變化、城市化、數(shù)字化、電氣化以及食品和水供應(yīng)。歡迎加入艾邦I(lǐng)GBT/SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈交流社群，了解更多功率半導(dǎo)體企業(yè)資訊，加強與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)交流合作，請掃描以下二維碼即可加入產(chǎn)業(yè)鏈微信群及通訊錄。
1.順為科技集團IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項目簽約10月7日，石峰融媒發(fā)布表示株洲市石峰區(qū)已于近日舉行順為科技集團IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項目簽約儀式。項目位于田心高科園，主要生產(chǎn)工業(yè)調(diào)頻、充電樁、儲能逆變、光伏/風(fēng)力發(fā)電用IGBT模塊等。該項目總投資7.5億元，預(yù)計在今年年底啟動建設(shè)，明年上半年正式投產(chǎn)，建成達產(chǎn)400萬個IGBT模塊及100萬個SiC模塊，預(yù)計年產(chǎn)值8億元，帶動就業(yè)400人。2.乾晶半導(dǎo)體碳化硅襯底項目中試線主廠房結(jié)頂?10月12日，乾晶半導(dǎo)體（衢州）有限公司碳化硅襯底項目中試線主廠房結(jié)頂儀式在智造新城東港八路78號一期地塊隆重舉行。施工單位中電二公司和乾晶半導(dǎo)體項目團隊僅用4個月中試車間金頂就順利完工，為接下來的潔凈間機電安裝、設(shè)備搬入和生產(chǎn)線調(diào)試奠定了堅實基礎(chǔ)。? ?3.杰平方半導(dǎo)體擬69億元在香港設(shè)立碳化硅8寸先進垂直整合晶圓廠?10月13日，香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，總投資額預(yù)計達到69億元。預(yù)計至2028年，可年產(chǎn)24萬片8寸碳化硅晶圓，每年生產(chǎn)總值達110億元，創(chuàng)造逾700個職位。? ?祈4.芯未半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬片IGBT芯片一期項目全面通線投產(chǎn)?10月13日，成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司一期通線儀式順利舉行，標(biāo)志著芯未一期項目全面通線投產(chǎn)，芯未半導(dǎo)體項目推進邁出關(guān)鍵一步。本次通線投產(chǎn)后，將形成約6萬片/年IGBT晶圓（折合8寸）、120萬只/年功率模塊生產(chǎn)能力。5.正齊半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬顆功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目簽約?10月19日，正齊半導(dǎo)體年產(chǎn)六萬顆高階功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目在杭州蕭山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行簽約儀式，該項目將在開發(fā)區(qū)投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊工廠。項目首期投資3000萬美元，總投資額將達10億元人民幣，規(guī)劃建設(shè)10條智能化模塊封裝生產(chǎn)與組裝線，滿足車規(guī)級與航天級的模塊生產(chǎn)線要求，每年將生產(chǎn)6萬顆高端航天及車規(guī)級IGBT與碳化硅芯片、模塊及器件等產(chǎn)品。目前，該項目已經(jīng)開始裝修設(shè)計階段，預(yù)計于2024年中旬投產(chǎn)通線，達產(chǎn)后每年產(chǎn)值約5億元，二期總達產(chǎn)后年產(chǎn)值約25-30億元。6.三安光電8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)、車規(guī)MOS驗證提速10月23日，三安光電旗下湖南三安披露已實現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)，產(chǎn)品進入小批量生產(chǎn)及送樣階段，部分產(chǎn)品已進入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。9月初，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會上首發(fā)8英寸SiC碳化硅襯底，正式躋身國內(nèi)8英寸襯底陣列。? ?
碳化硅MOSFET方面，該公司推出的650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET產(chǎn)品均已處于客戶端導(dǎo)入階段，將逐步批量供貨；1200V /16mΩ車規(guī)級芯片已在戰(zhàn)略客戶處進行模塊驗證。此外，湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的三安意法半導(dǎo)體（重慶）有限公司，承建的8英寸SiC器件廠項目前期相關(guān)審批事項已成功獲批，各項工作有序推進，預(yù)計2025年完成階段性建設(shè)并投產(chǎn)，2028年實現(xiàn)達產(chǎn)。作為配套，三安未來也將獨立建造及運營一個8英寸SiC襯底廠。
7.安森美韓國碳化硅工廠擴建正式落成，8英寸晶圓年產(chǎn)能上限將突破100萬10月24日，安森美（onsemi）宣布其位于韓國富川的先進碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工。全負荷生產(chǎn)時，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片 200 mm SiC 晶圓。新的 150 mm/200 mm SiC 先進生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑和鄰近停車場于 2022 年中期開始建設(shè)，并于 2023 年 9 月竣工。150 mm/200 mm SiC 外延 (Epi) 和晶圓廠的擴建，體現(xiàn)了安森美致力于在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化硅制造供應(yīng)鏈的戰(zhàn)略。富川 SiC 生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn) 150 mm 晶圓，在 2025 年完成200 mm SiC工藝驗證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn) 200 mm 晶圓。8.賽晶第二條IGBT封裝測試線正式投產(chǎn)?10月27日，賽晶科技旗下子公司賽晶亞太半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司第二條IGBT封裝測試線正式投產(chǎn)。? ?賽晶半導(dǎo)體第二條封裝測試線的批量投產(chǎn)將進一步增加生產(chǎn)能力，以ED模塊為例計算，年產(chǎn)能由30萬件增至70萬件。第二條封裝測試線可以生產(chǎn)ED封裝、ST封裝，及EVD封裝等多個型號的IGBT封裝產(chǎn)品，將有效滿足市場對高端IGBT封裝產(chǎn)品的需求。
1.英飛凌發(fā)布3款I(lǐng)GBT新品?10月17日，英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體發(fā)布用于工業(yè)硬開關(guān)應(yīng)用的大功率IGBT單管新品1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7。該系列新增兩款采用TO-247-3和-4的120A新產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域：太陽能系統(tǒng)解決方案、不間斷電源(UPS)、電動汽車充電、工業(yè)加熱和焊接電源。? ?10月19日，發(fā)布新品300A 1200V IGBT7三相橋EconoPACK?3。采用TRENCHSTOP? IGBT7技術(shù)的新品模塊具有同類產(chǎn)品最高的功率密度和最佳的電氣性能，可以減小系統(tǒng)尺寸或增大功率，應(yīng)用于工業(yè)電機驅(qū)動和控制和伺服電機驅(qū)動和控制等領(lǐng)域。10月24日，發(fā)布20-40A 1400V R5L逆導(dǎo)型IGBT新品，優(yōu)化了二極管和IGBT的性能，具有更高的阻斷電壓和集電極峰值電流能力，感應(yīng)加熱設(shè)備可以實現(xiàn)更高的效率、更高的可靠性和精確的系統(tǒng)控制，在價格和性能之間實現(xiàn)了更好的權(quán)衡。? ?
2.東芝第3代碳化硅MOSFET新產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)?10月17 日， 東芝半導(dǎo)體宣布其碳化硅MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。東芝推出的第3代TWxxNxxxC系列，共有10款產(chǎn)品，包括5款1200V和5款650V產(chǎn)品。與第2代產(chǎn)品一樣，這些新一代MOSFET內(nèi)置了與碳化硅MOSFET內(nèi)部PN結(jié)二極管并聯(lián)的碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD），從而提高了可靠性。東芝650V和1200V第3代碳化硅MOSFET擁有更低的功耗，適用于大功率且高效、高功率密度的各類應(yīng)用，如開關(guān)電源（數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、通信設(shè)備等）、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器、電動汽車充電站等。3.科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線?10月16日，科友半導(dǎo)體宣布首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底于2023年9月在科友產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)襯底加工車間成功下線。此前，4月科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產(chǎn)，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，6月表示已突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，其8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，打破了國際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。?10月17日，翠展微電子推出TPAK封裝產(chǎn)品，有標(biāo)稱340A/750V的IGBT模塊，預(yù)計今年年底會推出具有更高電流能力的400A/750V的升級產(chǎn)品，同期也將推出5.5mΩ/1200V 的SiC 模塊，屆時，此封裝系列的產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用與新能源電驅(qū)系統(tǒng)及高壓大功率充電系統(tǒng)領(lǐng)域。? ?5.宏微科技IGBT模塊產(chǎn)品已完成問界新款車型主驅(qū)產(chǎn)品定點驗證測試?10月17日，宏微科技回應(yīng)投資者在互動平臺向其的提問時表示：公司IGBT模塊產(chǎn)品已完成賽力斯汽車問界新款車型主驅(qū)產(chǎn)品定點驗證測試，后續(xù)將根據(jù)客戶需求逐步批量交付，具體合作細節(jié)涉及保密條款公司不方便透露。
江蘇宏微科技股份有限公司成立于2006年8月8日，2021年9月1日成功上市，宏微科技公司產(chǎn)品已涵蓋 IGBT、FRED、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品100余種，IGBT、FRED、MOSFET、整流二極管及晶閘管等模塊產(chǎn)品400余種。
6.凌銳半導(dǎo)體推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS?10月18日， 凌銳半導(dǎo)體宣布正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。凌銳表示新品SiC MOS已達量產(chǎn)階段，并在Q4實現(xiàn)客戶端批量交貨。? ?7.羅姆新增SiC和IGBT模型，可提供超過3,500種LTspice?模型?10月18日，羅姆宣布（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice?的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設(shè)計預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)提供超過3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型，這些模型從各產(chǎn)品頁面均可下載。目前，羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對應(yīng)的LTspice?模型覆蓋率已超過80%，有助于客戶利用嵌入了功率元器件等分立產(chǎn)品的電路仿真工具來提高設(shè)計便利性。? ?8.宇晶股份即將上線新品碳化硅襯底加工關(guān)鍵裝備?10月18日，宇晶股份宣布12月即將上線SP15008寸碳化硅專用四動作高精密磨拋設(shè)備新品。湖南宇晶機器股份有限公司成立于1998年，公司于2018年11月29日在深交所上市，是一家專注光伏新能源半導(dǎo)體及消費電子行業(yè)的智能裝備制造企業(yè)。公司主要從事多線切割機、研磨拋光機等硬脆材料加工裝備、金剛石線、熱場系統(tǒng)系列產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。? ?9.基本半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅年度新品?10月26-27日，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士在2023基本創(chuàng)新日活動會上正式發(fā)布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅(qū)動器及驅(qū)動芯片等系列新品。10.意法半導(dǎo)體新品車規(guī)雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置?10月30日，意法半導(dǎo)體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列車規(guī)碳化硅（SiC）功率模塊，新系列產(chǎn)品采用便捷的 32 引腳雙列直插通孔塑料封裝，目標(biāo)應(yīng)用是車載充電機（OBC）、DC/DC直流變壓器、油液泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點包括高功率密度、設(shè)計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統(tǒng)設(shè)計靈活性。新模塊內(nèi)置1200V SiC功率開關(guān)管，意法半導(dǎo)體第二代和第三代 SiC MOSFET先進技術(shù)確保碳化硅開關(guān)管具有很低的導(dǎo)通電阻RDS(on)。該封裝技術(shù)采用高性能氮化鋁 (AlN) 絕緣基板，在封裝內(nèi)還有一個NTC溫度傳感器。本次推出的 M1F45M12W2-1LA是ACEPACK DMT-32系列的首款產(chǎn)品，從2023 年第四季度開始量產(chǎn)。M1F80M12W2-1LA、M1TP80M12W2-2LA、M1P45M12W2-1LA、M1P80M12W2-1LA、M1P30M12W3-1LA 樣片現(xiàn)已上市，從2024年第一季度開始量產(chǎn)。
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：10月 IGBT/SiC 最新資訊匯總
