近日中建一局中標武漢長飛第三代半導體功率器件生產項目助力武漢打造集成電路芯片和半導體產業高地 △項目效果圖 項目位于武漢市東湖高新區建筑總面積約25.15萬平方米建設內容包括廠房、綜合樓等建成后將打造從外延生長、器件設計晶圓制造到模塊封測的全產業鏈能力預計年產6英寸碳化硅MOSFET及晶圓36萬片功率器件模塊6100萬個廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲能、充電樁、電力電網等領域 △項目總平圖 該項目是響應國家“創新驅動發展戰略”的重大舉措建成后將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地推動長飛先進半導體成為中國第三代半導體產業領頭羊助力武漢打造世界級化合物半導體產業高地為高科技產業新升級貢獻央企力量 來源：中建一局公眾號原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：中標！打造國內最大的SiC功率半導體制造基地 文章導航驕成超聲硬核科技再迎突破，新一代銅線鍵合機正式“亮劍” 103億元！青島180萬片12寸晶圓封測項目開工
