12月22日，電科材料下屬國盛公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延產(chǎn)品下線，標志著國盛公司已步入第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快車道。硅基氮化鎵材料擁有高頻率、低損耗、抗輻射性強等優(yōu)勢，同時整體具有更大的成本優(yōu)勢，具有極高的競爭力。國盛公司制備的硅基氮化鎵外延片，可以滿足電力電子用氮化鎵器件的需求。自電科材料南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目投產(chǎn)以來，大尺寸硅外延片、碳化硅外延片已先后實現(xiàn)客戶交付，如今高質(zhì)量的硅基氮化鎵外延材料順利下線，標志著國盛公司產(chǎn)品多元化布局初步完成。下一步，國盛公司將繼續(xù)按照集團公司、電科材料戰(zhàn)略部署，著力加強關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，完善產(chǎn)品設(shè)計和成果轉(zhuǎn)化，持續(xù)調(diào)整產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)和布局，實現(xiàn)核心關(guān)鍵材料的自主保障和高端半導(dǎo)體外延材料的自主創(chuàng)新發(fā)展，為電科材料成為世界一流的半導(dǎo)體材料創(chuàng)新中心和產(chǎn)業(yè)基地貢獻國盛力量。
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：國盛公司第一枚硅基氮化鎵外延片正式下線
