2月18日，據證券時報網消息，日本權威行業調研機構富士經濟公布了《2024年版新一代功率器件&相關市場現狀和展望》報告，圍繞世界SiC/GaN的最新動向以及材料供不應求的情況展開了分析和預測。據報告測算，2023年全球導電型碳化硅襯底材料市場占有率前三的公司之一來自中國，天岳先進（SICC）超過高意（Coherent）躍居全球第二，僅次于連續多年保持市占率第一的Wolfspeed。盡管Wolfspeed位居榜首，但其市場份額正面臨來自其他襯底公司的強力挑戰，占比持續下滑。報告進一步指出，在電動汽車、電力設備以及能源領域驅動下，SiC功率器件市場需求整體保持堅挺。預計到2030年，SiC功率器件市場規模將達到近150億美元，約占整體功率器件市場24%，到2035年，市場規模有望超過200億美元，屆時SiC器件市場規模將占到整體功率器件的40%以上。為此，業內主要廠家都在積極進行擴建以及做好設備投資的準備，特別是中國企業，除滿足本國需求外，開始不斷擴張世界范圍內的市場占有率。其中，特別值得關注的是襯底材料的市場表現。
在此背景下，天岳先進（688234.SH）作為國內領先的寬禁帶半導體材料生產商，自2010年成立以來，已經在半絕緣型和導電型碳化硅半導體材料的研發、生產和銷售領域取得了顯著成就。據了解，天岳先進碳化硅半導體材料項目計劃于2026年實現全面達產，屆時6英寸導電型碳化硅襯底的年產能將達到30萬片。目前該公司已實現6英寸導電型襯底、4-6英寸半絕緣型襯底等產品的規模化供應，并在2022年初公布了自主擴徑制備的高品質8英寸襯底，2023年8月成功通過制備出業內首創的低缺陷密度8英寸晶體，進一步鞏固了其在行業內的領先地位。根據報告分析，全球SiC襯底銷售主要分布在日本（17.4%）、中國（24.4%）、北美（20%）、歐洲（29%）四大市場，其中歐洲已成為全球最大的SiC襯底市場。值得一提的是，天岳先進已與海內外多家知名企業簽署了長期供應協議，如2022年與博世簽署了導電型碳化硅襯底的長期供應協議，2023年5月與英飛凌簽訂了新的襯底和晶棒供應協議。此外，公司還在2022年7月和2023年8月分別與E、F兩大客戶簽訂了總額超過22億元的長期銷售框架協議，為其提供導電型碳化硅襯底產品，進一步擴大了其銷售規模和市場影響力。天岳先進在導電型碳化硅襯底產能和規模化供應能力上持續展現超預期成果。通過與英飛凌、博世集團的長期供應協議，在技術實力和規模化供應能力上展現突出優勢，推動業績快速增長。2023年5月，天岳先進上海臨港智慧工廠的啟用進一步加速了產能提升，顯著擴大了銷售規模。
長期以來，天岳先進專注于SiC襯底的技術積累，使其在產能和客戶服務方面建立了獨特的競爭優勢。繼半絕緣型碳化硅襯底市占率連續4年位居全球前三以來，其導電型襯底市場占有率顯著提升至世界第二，也得益于長期的技術積累。此外，公司在8英寸碳化硅襯底產品領域的技術領先地位進一步證明了其作為寬禁帶半導體材料研發和生產領域的前沿實力，展示了天岳先進在技術實力、產能規模化及市場擴張方面的綜合競爭優勢。功率半導體行業在低碳化和電氣化時代將繼續獲得蓬勃的發展動力，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料和器件將繼續成為這一領域關注的焦點。穩定的供應和質量保障成為占領市場高地的重要抓手，我們期待中國企業在世界半導體行業取得更耀眼的成績。原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：全球視野下的突破：天岳先進引領中國SiC襯底技術與市場領先之路
