近日，海通證券股份有限公司發(fā)布關于芯三代半導體科技（蘇州）股份有限公司首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案的公告。

公告顯示，海通證券已于2024年1月30日與芯三代半導體科技（蘇州）股份有限公司簽訂上市輔導協(xié)議。

芯三代研發(fā)的碳化硅外延設備（來源：渾璞投資）

芯三代半導體致力于研發(fā)生產(chǎn)半導體相關專業(yè)設備，目前聚焦于第三代半導體SiC-CVD裝備，傾力為業(yè)界提供先進且富有競爭力的量產(chǎn)裝備。SiC-CVD設備用于碳化硅襯底上同質(zhì)單晶薄膜外延層的生長，SiC外延片主要用于制造功率器件如肖特基二極管、IGBT、MOSFET等電子器件。

融資方面，芯三代半導體在此之前共獲得5輪融資的助力，其中2021年12月和2023年6月融資金額分別達到超億元和數(shù)千萬元人名幣。

來源：企查查

據(jù)網(wǎng)絡消息，2023年3月29號，作為江蘇省科技創(chuàng)新企業(yè)代表，芯三代亮相央視新聞聯(lián)播。2023年下半年，芯三代自主研發(fā)的8吋垂直氣流外延設備已經(jīng)幫助兩家客戶順利完成8吋SiC外延工藝的調(diào)試和首批8吋外延片訂單交付，從而證明國產(chǎn)外延設備不僅在6吋SiC上已經(jīng)實現(xiàn)超越，在8吋SiC上也取得突破性進展，尤其在缺陷率指標上更勝一籌。

來源：東方財經(jīng)網(wǎng)、自動化網(wǎng)

原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導體網(wǎng)）：SiC外延設備廠商芯三代半導體擬IPO上市