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近日,中瓷電子(003031.SZ)接受特定對象調研活動,小編整理調研內容,發現公司完成重組后,與各分、子公司,分別在碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、精密陶瓷零部件及電子陶瓷外殼等產品方面均取得一定性進展。

  • 碳化硅 車規級 SiC MOS 模塊穩定供貨數百萬只

碳化硅作為性能優異的第三代半導體代表之一,SiC MOS 相比傳統的 Si MOS具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關速度和更小的尺寸等優點,可有效提高新能源電動汽車充電功率和縮短充電時間,在該領域得到了廣泛的應用

中瓷電子調研中表示,控股子公司國聯萬眾,已開發系列的 1200V SiC MOSFET 產品,技術指標和性能媲美國外主流廠家產品,車規級碳化硅 MOSFET 模塊已向國內一線車企穩定供貨超過數百萬只電動汽車主驅用大功率 MOSFET 產品也已經通過參數驗證,正在進行上車前批產驗證,客戶主要面向比亞迪,其他客戶也在密切接觸、合作協商、送樣驗證等階段中。

中瓷電子:車規級SiC MOS模塊供貨數百萬;多款1.6T光模塊配套陶瓷產品交樣

圖 國聯萬眾SiC器件?來源?北京順義

國聯萬眾正在按計劃進行第三代半導體工藝及封測平臺建設項目、碳化硅高壓功率模塊關鍵技術研發項目。其現有的碳化硅功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產品,主要應用于新能源汽車、工業電源、新能源逆變器等領域,未來擬攻關高壓碳化硅功率模塊領域,進一步對高壓碳化硅功率芯片(自用)和模塊相關的刻蝕技術、氧化工藝、減薄技術、封裝技術等方面進行深入研發,搶占行業技術高地,在智能電網、動力機車、軌道交通等高壓、超高壓領域搶占市場份額,實現對 IGBT 功率模塊的部分替代。

北京國聯萬眾半導體科技有限公司成立于2015年3月,是由中國電子科技集團公司第十三研究所控股(中瓷電子實控),中國電子科技集團公司、北京市投資公司、順義區投資公司、骨干團隊合伙制平臺等股東參股的混合所有制企業。公司主營業務為第三代半導體器件,涵蓋設計、封裝、模塊、檢測、應用等產品,包括GaN射頻功放、SiC功率器件等。據悉,國聯萬眾車載充電器(OBC)用SiC MOSFET芯片月產能已達500萬只以上,能夠保障車企需求

  • 掌握電子陶瓷外殼核心材料和技術?多款1.6T產品交樣

中瓷電子調研中表示,公司已電子陶瓷外殼核心材料和技術的知識產權,具備質量、管理、品牌等多方面競爭優勢,開創了我國光通信器件陶瓷外殼產品領域,實現了關鍵核心部件的替代。

中瓷電子:車規級SiC MOS模塊供貨數百萬;多款1.6T光模塊配套陶瓷產品交樣

圖源 中瓷電子

目前已有多款 1.6T 光模塊配套的陶瓷產品處于用戶交階段,性能已通過客戶驗證,處于小批量交付階段。同時,公司在積極開展現有業務的同時,也在不斷探索和跟進行業發展趨勢及市場需求。

  • 精密陶瓷零部件?批量應用于國產半導體關鍵設備

中瓷電子調研中表示,公司已開發了精密陶瓷零部件用氧化鋁、氮化鋁核心材料和配套的金屬化體系,建立了完善的精密陶瓷零部件制造工藝平臺,開發的陶瓷加熱盤產品核心技術指標已達到國際同類產品水平并通過用戶驗證,實現了關鍵零部件的研發生產,已批量應用于國產半導體關鍵設備中。2023 年精密陶瓷零部件的銷售收入呈現增長的態勢。

中瓷電子:車規級SiC MOS模塊供貨數百萬;多款1.6T光模塊配套陶瓷產品交樣

圖源 中瓷電子

精密陶瓷零部件采用氧化鋁、氮化鋁等先進陶瓷經精密加工后制備的半導體設備用核心零部件,具有高強度、耐腐蝕、高精度等優異性能,應用于刻蝕機、涂膠顯影機、光刻機、離子注入機等半導體關鍵設備中。中瓷電子布局精密陶瓷零部件領域,面向半導體設備零部件的需求,持續開發陶瓷材料體系,利用成熟的制造工藝平臺,實現加熱盤和靜電卡盤等技術難度高的精密零部件研發生產,解決國產半導體設備行業的突出問題,拓展產品領域。

  • 氮化鎵 微波產品精密制造項目穩步推進

中瓷電子調研中表示,控股子公司博威公司,緊密圍繞當前合作用戶需求,積極推進星鏈通信射頻芯片與器件關鍵技術突破和研發工作,目前公司在星鏈通信相關芯片與器件領域儲備關鍵技術和開發樣品,并根據用戶系統開發進程,穩步推進產品優化和產業化布局。公司氮化鎵微波產品精密制造生產線建設項目、通信功放與微波集成電路研發中心建設項目正按計劃進行中。

氮化鎵通信基站射頻芯片與器件主要應用于 5G 通信大功率基站和 MIMO 基站。隨著新一代 5G 移動通信對高頻性能射頻器件的需求持續旺盛,博威公司產品也在持續迭代。博威公司產品基本覆蓋 5G 主要應用場景,同步開展微基站、小站等應用場景的氮化鎵射頻芯片與器件產品。根據每年終端客戶建設不同用途、不同頻段的基站,博威公司供應的產品也不同。

河北博威集成電路有限公司是中電科13所(中瓷電子實控)所屬的一家專業從事微波射頻集成電路開發生產的有限責任公司,在國內率先實現了5G通信基站用GaN功放及5G網絡數據回傳用微波毫米波芯片的全體系技術突破,指標及可靠性達到國內領先、國際先進水平,打破了國外廠家在5G通信基站及數據回傳領域核心射頻元器件的壟斷局面,解決“卡脖子”問題,填補了國內空白,在中國移動通信國產化、自主化道路上具有里程碑意義,華為和中興等大型集團微波器件的主力供應商

除了以上進展外,中瓷電子還表示,IPO募投項目廠房已于2023年底建成投產,產能和產量正在逐步釋放。中瓷電子將緊跟市場及技術方向,新產品開發和項目產品結構將隨市場需求變化而調整。

原文始發于微信公眾號(艾邦半導體網):中瓷電子:車規級SiC MOS模塊供貨數百萬;多款1.6T光模塊配套陶瓷產品交樣

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