• 晶能微電子、揚杰電子、天睿半導體、韓國ASE、韓國HANS MACHINE、譜析光晶6家企業有相關項目簽約；

• 天域半導體、芯華睿、三安＆意法、豐正半導體、晶佰源、山東水發＆臺灣某半導體、芯干線、重投天科、英特利、愛仕特等12家企業有相關項目進展；

1.?晶能微電子10億SiC半橋模塊項目簽約

2.?天域半導體項目2號廠房封頂，預計5月試產

2月3日，廣東天域半導體股份有限公司總部、生產制造中心和研發中心建設項目2號廠房于近日封頂，預計2024年5月試產。該項目位于東莞松山湖生態園，總投資達80億元，將分二期建設，一期建設2號廠房，二期建設1、3號廠房。其中一期項目投資金額約為19.14億元，將購置71臺外延爐，搭建年產能約17萬片的 6/8 英寸SiC外延片生產線，預計6英寸產能占比約90%，8英寸產能占比約 10%。

3.?揚杰科技SiC模塊封裝項目落地揚州

2月4日，江蘇揚州維揚經濟開發區集中簽約7個先進制造業項目，總投資約58億元。其中揚杰電子科技股份有限公司旗下的新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項目是簽約項目之一。該項目總投資5億元，主要從事車規級IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發制造，全部建成投產后，可實現年開票銷售5億元，年納稅1500萬元。

4.?愛仕特SiC模塊交付海外、中標中電裝SiC模塊開發項目

2月3日，愛仕特宣布實現1200V MED系列碳化硅功率模塊成功交付海外客戶；實現650V MEP系列碳化硅功率模塊的批量交付，該產品適用于太陽能系統和ESS應用的快速開關。

2月29日，中國電氣裝備集團科學技術研究院有限公司在其官網公布了“碳化硅模塊封裝設計與工藝開發技術服務項目”成交結果，愛仕特脫穎而出成功中標。此次中標，愛仕特將提供碳化硅功率模塊封裝設計與工藝開發技術服務，在項目工期內交付基于愛仕特1200V/1700V碳化硅芯片的 62mm封裝定制開發功率模塊。

5.?芯華睿微電子已全面步入試生產階段

2月19日，東臺日報透露江蘇芯華睿微電子已全面步入試生產階段。芯華睿新能源及車規功率半導體項目由上海芯華睿半導體科技投資建設，落地江蘇東臺高新區，聚焦Si、SiC車規級功率半導體研發生產。項目一期投資5億元購置全自動設備、布局智能生產線和超聲波設備檢測線，擬于4月部分投產，全部建成達效后可年產汽車、光伏、工控功率模組產品200萬只，其中包括塑封（SiC）模組為110萬只等。

6.?天睿半導體8英寸GaN/SiC項目落地福州

2月20日，福建省福州市舉行可持續發展暨企業家大會，長樂分會場成功簽約13個項目，其中包括天睿半導體8英寸GaN/SiC項目。該項目將新建8英寸氮化鎵和碳化硅晶圓廠，并通過產業并購和新建項目等方式布局第三代半導體襯底外延、晶圓制造、器件設計、系統應用及相關設備生產等全產業鏈。

7.?總投資超5000萬美元，2個韓資半導體項目簽約江蘇

2月20日，蘇州昆山巴城鎮與韓國ASE株式會社及韓國HANS MACHINE株式會社舉行項目簽約儀式。兩項目均為中園益泰（昆山）半導體產業園入園項目。

韓國ASE半導體項目計劃總投資2000萬美元，將涉及半導體清洗機、電力半導體碳化硅清洗機、刻蝕機、液晶清洗機的研發和生產等。項目達產后，預計實現年產值超5億元。

韓國HANS MACHINE半導體項目計劃總投資3000萬美元，將涉及半導體自動化系統設備的研發、生產和制造等。項目達產后，預計實現年產值超6億元。

8.?重慶三安意法SiC項目將年內提前2個月通線

2月20日，重科城微報透露三安意法半導體項目在春節期間不停工，建設取得快速進展，預計年內亮燈通線，將比原計劃提前2個月。三安意法半導體項目，規劃總投資約32億美元。達產后，每年能生產48萬片8吋碳化硅車規級MOSFET功率芯片，在行業處于領先水平。目前，項目主廠房已經封頂，正在進行室內裝修和設備采購。

9.?豐正半導體晶圓項目開工奠基

2月22日，浙江豐正半導體特色工藝晶圓制造項目在浙江麗水云和奠基。該項目為特色工藝晶圓制造，聚焦?6/8英寸碳化硅及氮化鎵晶圓片，總投資額達51億元，用地約130畝，共分2個階段建設。

10.?譜析光晶年產10萬臺SiC芯片項目簽約浙江瓜瀝

2月24日，浙江省杭州市蕭山區瓜瀝鎮舉行推進新型工業化暨項目開工簽約大會，會上新簽約項目包含譜析光晶投資的年產10萬臺“第三代半導體芯片與系統生產基地項目”。該項目計劃總投資1億元，達產后預計年產值2億元，稅收貢獻1000萬元。

11.?晶佰源IGBT/SiC功率模塊封測和5寸晶圓生產項目

2月26日，山東省棗莊市嶧城舉行2024年春季全區高質量發展重大項目建設現場推進會，其中包含晶佰源IGBT/SiC功率模塊封裝測試和5寸晶圓生產項目。該項目總5.8億元，2024年計劃投資1.2億元，預計年產半導體電子元器件5000萬件。

12.?山東半導體項目開工，二期建設GaN/SiC生產線

2月26日，山東省菏澤市牡丹區吳店鎮舉辦2024年春季吳店鎮省重點項目建設現場推進會暨砷化鎵半導體晶片項目開工奠基儀式。該項目由山東水發聯合臺灣半導體龍頭企業共同投資建設，項目總投資35億元，計劃分兩期實施。一期工程計劃投資15億元，建設4/6英寸砷化鎵生產線。二期工程計劃投資20億元，建設4/6英寸第三代化合物半導體GaN/SiC生產線，主要生產功率半導體器件及耐高壓新能源汽車逆變器，以滿足多元化市場需求。二期工程計劃2026年下半年開工建設，預計2028年上半年投產。

13.?普興電子年產24萬片6英寸SiC外延片項目更新

2月26日，普興電子旗下6英寸低密度缺陷SiC外延片產業化項目環評第一次公示更新。該項目總投資35070.16萬元，建筑面積約4000m2，購置SiC外延設備及配套設備116臺(套)形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產線。項目建成后，將實現年產24萬片SiC外延片的生產能力。

14. 芯干線第三代半導體芯片設計及智能功率模塊封測項目

2月26日，江蘇省鹽城市建湖縣縣委調研建湖縣重大項目推進情況，其中包括南京芯干線公司投資建設的第三代半導體芯片設計及智能功率模塊封測項目。該項目一期購置各類設備約22臺套，二期購置約135臺套，項目全部投產后，可形成年產100萬顆IPM智能功率模塊產品的能力，可實現開票銷售15億元/年。據官網消息，江蘇芯干線一期工廠已經在鹽城市開始建設，預計2024年初會實現規?；慨a，二期芯干線功率模塊產業園建設也在進行中。

15. 重投天科第三代半導體項目正式啟用

2月27日，由深圳市重投天科半導體有限公司建設運營的第三代半導體碳化硅材料生產基地在深圳寶安區啟用，總投資32.7億元。該項目重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產線，2021年11月開工建設，2022年11月關鍵生產區域廠房結構封頂，2023年6月襯底產線正式進入試運行階段，預計今年襯底和外延產能達25萬片。

16.?英特利IGBT制氫整流器成功投運并順利產氫

2月27日，英特利宣布自主研發的16kA IGBT千方級制氫整流器成功投運，這是迄今為止制氫行業投運的最大電流的IGBT整流器，也是英特利繼國內首個最大單電解槽3000Nm3/h配套的晶閘管制氫整流器業績后，在制氫行業IGBT整流器產品新的突破。

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：熱點追蹤：202402期 IGBT/SiC項目16項最新進展