對比6英寸SiC晶圓，8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產出可增加80-90％，SiC晶圓升級到8英寸將會給汽車和工業客戶帶來重大收益。因此，SiC晶圓走向8英寸是業界公認的發展趨勢。

SiC長晶受限于生長良率低、周期長等瓶頸導致成本無法有效降低。先進SiC鍵合襯底技術可以將高、低質量SiC襯底進行鍵合集成，有效利用低質量長晶襯底，與長晶技術一同推進SiC材料成本顯著降低，實現高效地將過剩的傳統生產力轉化為新質生產力。

4月11日，青禾晶元宣布近日通過技術創新，在SiC鍵合襯底的研發上取得了重要進展，在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底，進一步鞏固了青禾晶元在該領域的引領地位，有望加速8英寸SiC襯底量產進程，為產業界客戶提供更具競爭力的價格。

青禾晶元8寸N型SiC復合襯底

青禾晶元集團成立于2020年7月，是國際上少數掌握全套先進半導體襯底鍵合集成技術的半導體公司之一。青禾晶元天津復合襯底產線是國內首條新型復合襯底量產線，技術水平全球領先，填補了國內在該領域的空白。

目前，這條國內首條新型復合襯底量產線已于2023年5月19日正式通線，產線首期產能規模3萬片，未來計劃達到15萬片；襯底尺寸以6英寸為主，未來會轉到8英寸。

青禾晶元致力于將國際前沿的半導體材料融合技術產業化，已獲得多家知名產業方和社會資本的廣泛認可。根據企查查信息，青禾晶元此前已完成6輪融資，累計完成超8億元人民幣的融資，其中2023年5月獲2.2億元A++輪融資。目前該公司已獲得天津天創青鑫企業管理合伙企業(有限合伙)，南京俱成，云啟資本，北京集成電路尖端芯片基金，沃賦創投，陽光電源，磐衡投資，智科資產，瑞東資本，建信信托、英諾天使、同創偉業、合勤資本、惠友資本、云啟資本、云暉資本、軟銀中國、韋豪創芯、芯動能、正為資本等機構投資。

資料來源：青禾晶元

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備