NPC060N120A產品特性

• 更寬的柵極驅動電壓范圍（-8~22V）

• 支持+15V，+18V驅動模式（可實現IGBT兼容：+18 V）

• +18V模式對下，RDSon可降低20%

• 更好的RDSon溫度穩定性

• 出色的閾值電壓一致性

• V_th在25°C~175°C?的范圍保持在2.0V~2.8V之間

• 體二極管正向壓降非常低且穩健性高

• 100%的雪崩測試，從而提高整體的可靠性，抗沖擊能力強

以執行較為嚴苛的HV-H3TRB為例，在可靠性1000小時測試后，該款產品仍具有比較優異的穩定性。

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：納芯微發布首款車規級1200V SiC MOSFET